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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
3SMBJ5952BHE3-TP	0.1613	RFQ	2184	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5952		3 w	DO-214AA (SMBJ)	다운로드				353-3SMBJ5952BHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v									130 v	450 옴
SK5200LHE3-TP	0.5600	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK5200	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	100pf @ 4V, 1MHz
MB05M-BP	-	RFQ	1840	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB05	기준		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000					1 V @ 400 mA				500 MA				단일 단일	50 v
MMBZ5239B-TP	0.0306	RFQ	8949	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5239		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		3 µa @ 7 v									9.1 v	10 옴
HER208G-AP	0.0625	RFQ	7468	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER208	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
MBR2045FCT-BP	0.5250	RFQ	8918	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR2045	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR2045FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	20A	840 mV @ 20 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR506HL-AP	0.1882	RFQ	4753	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR506	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-sr506hl-ap	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		620 MV @ 5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
BZT52B27HE3-TP	0.0488	RFQ	2813	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B27		410 MW	SOD-123	다운로드				353-BZT52B27HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v									27 v	80 옴
MB4M-BP	-	RFQ	5506	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.200 ", 5.08mm)	MB4	기준		MB-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000					1 V @ 400 mA		5 µa @ 400 v		500 MA				단일 단일	400 v
FR1D-TP	-	RFQ	9648	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	FR1D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
GBPC35005-BP	1.2360	RFQ	1436	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC35005	기준		GBPC	다운로드				353-GBPC35005-BP	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 50 v		35 a				단일 단일	50 v
DFLZ22-TP	0.0494	RFQ	8202	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ22		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v									22 v	15 옴
SK44L-TP	0.4700	RFQ	23	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK44	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 4 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	4a	-
DFLZ5V1-TP	0.1227	RFQ	2855	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	DFLZ5V1		1 W.	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v									5.1 v	7 옴
SMAJ4744A-TP	0.4400	RFQ	24	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4744		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 11.4 v									15 v	14 옴
1N4120-TP	-	RFQ	1276	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4120		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v									30 v	200 옴
2SC1008-R-AP	-	RFQ	4248	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2SC1008		800MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	1,000											60 v	700 MA			100NA (ICBO)			NPN	400mv @ 50ma, 500ma	40 @ 50MA, 2V	30MHz
HER305-AP	-	RFQ	5077	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER305	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1MHz
MPS3702-AP	-	RFQ	9029	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	MPS3702		625 MW	To-92	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	2,000											25 v	800 MA			100NA (ICBO)			PNP	250mv @ 5ma, 50ma	60 @ 50MA, 5V	100MHz
MMBT1815-H-TP	0.0488	RFQ	1725	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT1815		200 MW	SOT-23	다운로드				353-MMBT1815-H-TP	귀 99	8541.21.0095	1											50 v	150 MA			100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 10ma, 100ma	130 @ 2MA, 6V	80MHz
BCW66H-TP	0.0352	RFQ	2636	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW66		330 MW	SOT-23	다운로드				353-BCW66H-TP	귀 99	8541.21.0075	1											45 v	800 MA			20NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
US1KE-TP	-	RFQ	2008	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1K	기준		smae	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-US1KE-TPTR	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 800 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SS24FH-TP	0.1031	RFQ	8614	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	SS24	Schottky		SOD-323fh	다운로드				353-SS24FH-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		480 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
BZT52C47-TP	0.0355	RFQ	8026	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C47		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 35 v									47 v	100 옴
ER3DBFL-TP	0.0625	RFQ	7144	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	er3d	기준		SMBF	다운로드				353-er3dbfl-tp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BC858CV-TP	0.0393	RFQ	9210	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	BC858		150MW	SOT-563	다운로드				353-BC858CV-TP	귀 99	8541.21.0075	1											30V	100ma			15NA			2 PNP	650MV @ 5MA, 100MA	420 @ 2MA, 5V	100MHz
SMB2EZ62D5-TP	-	RFQ	2972	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ62		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ62D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 47.1 v									62 v	60 옴
GS2DFL-TP	0.0438	RFQ	2017	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	GS2D	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-GS2DFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.1 v @ 2 a	4 µs	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
S8050-C-BP	-	RFQ	4529	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	S8050		625 MW	To-92	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		353-S8050-C-BP	귀 99	8541.21.0075	1,000											25 v	500 MA			100NA			NPN	600mv @ 50ma, 500ma	120 @ 50MA, 1V	150MHz
MMSZ4711-TP	0.0218	RFQ	8920	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4711		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					950 mV @ 10 ma		10 NA @ 20.4 v									27 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²