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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
GS1JHE3-LTP	0.0577	RFQ	6785	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-GS1JHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
KBP402G-BP	0.2306	RFQ	1177	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, GBP	KBP402	기준		GBP	다운로드				353-kbp402g-bp	귀 99	8541.10.0080	1															1.05 V @ 2 a		10 µa @ 200 v		4 a		단일 단일	200 v
AZ23C20-TP	0.0426	RFQ	3306	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C20		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C20-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통																100 na @ 15 v						20 v	50 옴
MCP75N10Y-BP	1.5800	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	MCP75N10	MOSFET (금속 (()		TO-220AB (H)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCP75N10Y-BP	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	100 v	75a	6V, 10V	8.6mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	4.78 nc @ 10 v	± 20V	2270 pf @ 50 v	-	205W
UG1B-TP	0.0599	RFQ	5237	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-ug1b-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	920 MV @ 1 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SK58AHE3-LTP	0.1213	RFQ	8501	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK58	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SK58EHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												80 v	850 mV @ 5 a		100 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
MBR15U100L-TP	0.9500	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR15U	Schottky		TO-277	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MBR15U100L-TPTR	귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	820 MV @ 15 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
TBL801-TP	0.3053	RFQ	5048	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	TBL801	기준		TBL	다운로드				353-TBL801-TP	귀 99	8541.10.0080	1															1 V @ 4 a		5 µa @ 100 v		8 a		단일 단일	100 v
FR1006-AP	-	RFQ	1555	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-6, 축,	FR1006	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	450		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												800 v	1.3 V @ 10 a	500 ns	10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
KBJA408-BP	0.3771	RFQ	8489	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4-SIP, JB	KBJA408	기준		JB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800															1.05 V @ 2 a		10 µa @ 800 v		4 a		단일 단일	800 v
BAT43X-TP	0.0577	RFQ	5669	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	BAT43	기준		SOD-523	다운로드				353-BAT43X-TP	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												30 v	1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
MBRB8100-TP-HF	0.5639	RFQ	5821	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB8100	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRB8100-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	850 mV @ 8 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
MURS1560B-BP	0.8701	RFQ	6911	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MURS1560	기준		TO-220AC	다운로드				353-MURS1560B-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	2.8 V @ 15 a	25 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	15a	92pf @ 4V, 1MHz
BR88DL-BP	-	RFQ	3884	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, BR-8D	BR88	기준		BR-8D	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	BR88DL-BPMS	귀 99	8541.10.0080	400															1.1 v @ 1 a		10 µa @ 800 v		2 a		단일 단일	800 v
W04m-bp	-	RFQ	9532	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, WOM	W04	기준		WOM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000															1 V @ 1.5 a		10 µa @ 400 v		1.5 a		단일 단일	400 v
BR84DL-BP	-	RFQ	7208	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, BR-8D	BR84	기준		BR-8D	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	BR84DL-BPMS	귀 99	8541.10.0080	400															1.1 v @ 1 a		10 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
UF4007GP-BP	0.0533	RFQ	6103	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4007	기준		DO-41	다운로드				353-UF4007GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1000 v	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1N4006-N-2-3-AP	-	RFQ	5711	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4006	기준		DO-41	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1N4006-N-2-3-APMS	귀 99	8541.10.0080	5,000		짐												800 v	1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
UG3CB-TP	0.1972	RFQ	7448	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	UG3C	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-ug3cb-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v	920 MV @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SB12100-BP	0.5163	RFQ	9266	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB12100	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SB12100-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	850 mV @ 12 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	12a	500pf @ 4V, 1MHz
BZX84C27-TP	0.1200	RFQ	7075	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C27		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		100 na @ 18.9 v						27 v	80 옴
MUR1605F-BP	-	RFQ	5561	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2 격리 -2 탭	MUR1605	기준		ITO-220AC	-				353-MUR1605F-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v	975 MV @ 16 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	65pf @ 4V, 1MHz
BZX584C10-TP	0.0381	RFQ	9735	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C10-TP	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v						10 v	20 옴
1N4007-TP-HF	0.0330	RFQ	5810	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드				353-1N4007-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		짐												1000 v	1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SK58LHE3-TP	0.1643	RFQ	5575	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK58	Schottky		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-SK58LHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												80 v	850 mV @ 5 a		100 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz
SL3407-TP	0.4500	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SL3407	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	30 v	4.3A	2.5V, 10V	60mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA		± 20V	700 pf @ 15 v	-	1.5W
MCG13N02Y-TP	-	RFQ	6004	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드	MCG13N02	MOSFET (금속 (()		DFN3333	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		353-MCG13N02Y-TPTR			5,000			n 채널	20 v	13A	1.8V, 4.5V	13.5mohm @ 20a, 4.5v	1V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 10V	673 pf @ 10 v	-	20.8W
FSM11PL-TP	0.0474	RFQ	4469	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	FSM11	기준		SOD-123FL	다운로드				353-FSM11PL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
FS2M-LTPS01	0.0939	RFQ	8512	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	FS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-FS2M-LTPS01	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1000 v	1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
SK58B-LTP	0.1399	RFQ	6897	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK58	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SK58B-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												80 v	850 mV @ 5 a		50 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	200pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²