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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MF100U12F2-BP	46.0900	RFQ	69	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	f2 모듈	MF100U12	기준		F2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1142-MF100U12F2-BP	귀 99	8541.10.0080	80	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		1.58 V @ 100 a	135 ns	1 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	100A	-
BZX584C2V7HE3-TP	0.0515	RFQ	7348	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 7.41%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C2V7HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		20 µa @ 1 v									20 v	100 옴
MBRL1060CT-BP	0.2824	RFQ	3770	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBRL1060	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBRL1060CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	-	60 v	10A	600 mV @ 5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR806-BP	0.2271	RFQ	8021	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR806	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-sr806-bp	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 8 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	380pf @ 4V, 1MHz
BAV756DW-TP	0.0721	RFQ	6911	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	bav756	기준		SOT-363	다운로드				353-BAV756DW-TP	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2. CA + CC	85 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2020FCT-BP	0.5250	RFQ	3992	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR2020	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR2020FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	20 v	20A	840 mV @ 20 a		100 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5404GP-BP	0.1565	RFQ	7466	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5404	기준		Do-201ad	다운로드				353-1N5404GP-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		400 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
BAS70-06HE3-TP	0.3900	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BAS70-06HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	70 v	70ma	1 V @ 15 ma	5 ns	200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MURD1020CT-TP	-	RFQ	3233	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	murd1020	기준		DPAK (TO-252)	-				353-MURD1020CT-TPTR	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	950 MV @ 5 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
SIC20120B-BP	8.6764	RFQ	8799	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SIC20120	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220AC	다운로드				353-SIC20120B-BP	귀 99	8541.10.0080	1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		1200 v		1.8 V @ 20 a	0 ns	50 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	-
BZT52C6V8HE3-TP	0.2400	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C6V8		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZT52C6V8HE3-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v									6.8 v	15 옴
SS25HE3-LTP	0.0841	RFQ	7427	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS25	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-SS25HE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 2 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	90pf @ 4V, 1MHz
SF54-AP	-	RFQ	2556	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF54	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 5 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	45pf @ 4V, 1MHz
SMB3EZ18D5-TP	-	RFQ	3690	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ18		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ18D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 13.7 v									18 v	6 옴
KBP10M-BP	-	RFQ	4214	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP10	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 3.14 a		10 µa @ 1000 v		1.5 a				단일 단일	1kv
SS1150FL-TP	0.0616	RFQ	2338	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS1150	Schottky		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-SS1150FL-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		920 MV @ 1 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
SR202-BP	0.0775	RFQ	2152	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR202	Schottky		DO-41	다운로드				353-SR202-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v	-50 ° C ~ 125 ° C	2A	-
DZW7100-02-BP	153.6000	RFQ	1605	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	DO-200AB, BPUK	DZW7100	기준		-	다운로드		1 (무제한)		353-DZW7100-02-BP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		200 v		1.05 V @ 5000 a		15 ma @ 200 v	-40 ° C ~ 170 ° C	7100A	-
SK110-LTP-HF	-	RFQ	2258	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK110	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-SK110-LTP-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
BAS16WXH-TP	0.0426	RFQ	9870	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAS16	기준		SOD-323	다운로드				353-BAS16WXH-TP	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 V @ 50 ma	6 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	100ma	2pf @ 0V, 1MHz
S3JHE3-TP	0.1156	RFQ	8765	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3J	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드				353-S3JHE3-TP	귀 99	8541.10.0080	1	짐		600 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBRBL20U100CT-TP	0.8920	RFQ	4684	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	mbrbl20u	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRBL20U100CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	650 mV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4106-TP	-	RFQ	4398	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4106		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 8.12 v									12 v	200 옴
1N5372B-TP	0.1156	RFQ	4990	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5372		5 w	DO-15	다운로드				353-1n5372b-tp	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 47.1 v									62 v	42 옴
1N4148W-13P	-	RFQ	9084	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123	1N4148	기준		SOD-123	다운로드				353-1N4148W-13p	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
MBR2030CT-BP	0.3750	RFQ	4761	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR2030	Schottky		TO-220AB	다운로드				353-MBR2030CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	20A			100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR1150-TP	0.0649	RFQ	9808	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR1150	Schottky		DO-41	다운로드				353-SR1150-TP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v				10 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MUR605CT-BP	-	RFQ	8942	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-3	mur605	기준		TO-220AB	-				353-MUR605CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	6A	975 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MMDT5451-TP	0.0474	RFQ	9718	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT5451		200MW	SOT-363	다운로드				353-MMDT5451-TP	귀 99	8541.21.0075	1											160V, 150V	200ma			50NA (ICBO)			NPN, PNP	150mv @ 1ma, 10ma	100 @ 10ma, 5V	100MHz
BC856EHE3-TP	0.2400	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		310 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000											65 v	100 MA			15NA			PNP	650MV @ 5MA, 100MA	125 @ 2MA, 5V	200MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²