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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SK3150-TP | 0.1643 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SK3150 | Schottky | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | 353-SK3150-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 3 a | 200 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M5FL-TP | 0.0438 | ![]() | 2582 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | M5FL | 기준 | do-221ac (SMA-FL) | 다운로드 | 353-M5FL-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CWTHE3-TP | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-BAT54CWTHE3-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 200ma | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCG04N10Y-TP | - | ![]() | 8999 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | * | 대부분 | 활동적인 | MCG04N10 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCG04N10Y-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1G-LTPS01 | - | ![]() | 7596 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | es1g | 기준 | SMA (DO-214AC) | - | 353-es1g-ltps01tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 1 a | 35 ns | 1 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS25FL-TP | 0.0577 | ![]() | 4318 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SS25 | Schottky | do-221ac (SMA-FL) | 다운로드 | 353-SS25FL-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB1520CT-TP | 0.4637 | ![]() | 7190 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB1520 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | 353-MBRB1520CT-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 20 v | 15a | 100 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5821-BP | 0.1627 | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 1N5821 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | 353-1N5821-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA157GP-TP | 0.0418 | ![]() | 8516 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BA157 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23B27HE3-TP | 0.0848 | ![]() | 7523 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B27 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-AZ23B27HE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 18.9 v | 27 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4006-N-2-2-BP | - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4006 | 기준 | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1N4006-N-2-2-BPMS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 800 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCM1206-TP | - | ![]() | 9561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MCM1206 | MOSFET (금속 (() | DFN2020-6J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 3.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 7.8 NC @ 4.5 v | ± 8V | 740 pf @ 4 v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG3GB-TP | 0.1972 | ![]() | 6957 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | UG3G | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | 353-ug3gb-tp | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 920 MV @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2520CT-BP | 0.5250 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR2520 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | 353-MBR2520CT-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 20 v | 25A | 820 MV @ 25 a | 200 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 8550SS-D-BP | - | ![]() | 8576 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 8050 년대 | 1 W. | To-92 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 353-8550SS-D-BP | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 25 v | 1.5 a | 100NA | PNP | 500mv @ 80ma, 800ma | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB1640CT-TP | 0.5639 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB1640 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | 353-MBRB1640CT-TP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 16A | 700 mv @ 8 a | 100 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4215-y-TP | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 2SC4215 | 100MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-2SC4215-Y-TPTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 20 MA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 100 @ 1ma, 6v | 550MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BM3-TP | 0.0340 | ![]() | 6561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | BC857 | 265 MW | SOT-723 | 다운로드 | 353-BC857BM3-TP | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 MA | 1MA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5366BHE3-TP | 0.2360 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5366 | 5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | 353-SMBJ5366BHE3-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1560-BP | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR1560 | Schottky | TO-220AC | - | 353-MBR1560-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 200 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST30150FCT-BP | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 쓸모없는 | ST30150 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-ST30150FCT-BP | 쓸모없는 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5921B-TP | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5921 | 1.5 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 2.5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5262C-TP | 0.0488 | ![]() | 7537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5262 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 353-MMBZ5262C-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 100 ma | 100 na @ 39 v | 51 v | 125 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1F4G-AP | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | R-1, 방향 축 | 1F4G | 기준 | R-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1F5-AP | - | ![]() | 2388 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | R-1, 방향 축 | 1f5 | 기준 | R-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4759A-TP | 0.0705 | ![]() | 8925 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4759 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SICB20120Y-TP | 9.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SICB20120 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-SICB20120Y-TPTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.55 V @ 20 a | 0 ns | 25 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1552pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT160C08T2-BP | 57.5225 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MT160 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | 353-MT160C08T2-BP | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 400 MA | 800 v | 3 v | 5400A @ 50Hz | 150 MA | 160 a | 2 scrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4748A-TP | - | ![]() | 2614 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4748 | 1 W. | DO-41G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 16.7 v | 22 v | 23 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCQ4407B-TP | 0.6700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQ4407 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 20V | 10.5mohm @ 12a, 20V | 2.8V @ 250µA | 29.8 nc @ 10 v | ± 25V | 2050 pf @ 15 v | - | 3.2W (TJ) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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