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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMXZ5256C-TP	0.0488	RFQ	8000	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	MMXZ5256		200 MW	SOD-323	다운로드				353-MMXZ5256C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 100 ma		100 na @ 23 v						30 v	49 옴
GBJ1502-BP	1.2600	RFQ	2600	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ1502	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15																	1.05 V @ 7.5 a		10 µa @ 200 v		15 a		단일 단일	200 v
UD8KB05-BP	0.2151	RFQ	5272	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-sip	UD8K	기준		D3K	다운로드				353-UD8KB05-BP	귀 99	8541.10.0080	1																	950 MV @ 4 a		5 µa @ 50 v		8 a		단일 단일	50 v
1N5347C-TP	-	RFQ	1070	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5347		5 w	DO-15	-				353-1n5347c-tp	귀 99	8541.10.0050	1																	1.2 v @ 1 a		5 µa @ 7.6 v						10 v	2 옴
MUR1610-BP	0.4200	RFQ	9090	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2	MUR1610	기준		TO-220AC	다운로드				353-MUR1610-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		975 MV @ 16 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	65pf @ 4V, 1MHz
GBJ1008-BP	0.8500	RFQ	7	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ1008	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15																	1.05 V @ 5 a		10 µa @ 800 v		10 a		단일 단일	800 v
SMBJ5345C-TP	-	RFQ	2621	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5345		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5345C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.2 v @ 1 ma		10 µa @ 6.6 v						8.7 v	2 옴
SMD110PL-TP-HF	0.0783	RFQ	6450	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	SMD110	Schottky		SOD-123FL	다운로드				353-SMD110PL-TP-HF	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	30pf @ 4V, 1MHz
1N5922B3P-TP	0.1102	RFQ	9078	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5922		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5922B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v						7.5 v	3 옴
BZT52B6V8JSHE3-TP	0.0616	RFQ	4782	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B6		200 MW	SOD-323	다운로드				353-BZT52B6V8JSHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
GBU8J-BP	0.7700	RFQ	22	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU8	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	24																	1 V @ 4 a		5 µa @ 600 v		8 a		단일 단일	600 v
SI3139KL3A-TP	0.3700	RFQ	12	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	SI3139	MOSFET (금속 (()		DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널	20 v	650ma	1.8V, 4.5V	850mohm @ 500ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	0.86 nc @ 4.5 v	± 12V	40 pf @ 16 v	-	900MW
MCAC85N06KY-TP	1.6300	RFQ	4	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	MCAC85	MOSFET (금속 (()		DFN5060	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-mcac85n06ky-tptr	귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널	60 v	85A	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	70.78 NC @ 10 v	± 20V	4650 pf @ 30 v	-	110W
DZ23C4V7-TP	0.0474	RFQ	1591	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23C4V7		300MW	SOT-23	다운로드				353-DZ23C4V7-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 음극 음극 공통																		5 µa @ 2 v						4.7 v	78 옴
MMSZ5248C-TP	0.0218	RFQ	8392	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5248		500MW	SOD-123	다운로드				353-MMSZ5248C-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						18 v	21 옴
B5819WS-TP	0.2800	RFQ	1	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	B5819	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
MB110S-TP	-	RFQ	3690	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	MB110	Schottky		MBS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000																	850 mv @ 1 a		500 NA @ 100 v		1 a		단일 단일	100 v
BZT52B20LS-TP	0.0355	RFQ	2379	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B20		200 MW	SOD-323FL	다운로드				353-BZT52B20LS-TP	귀 99	8541.10.0050	1																			100 na @ 15 v						20 v	85 옴
GBPC5002-BP	2.2552	RFQ	8105	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 150 ° C	QC 터미널	4- 스퀘어, GBPC	GBPC5002	기준		GBPC	다운로드				353-GBPC5002-BP	귀 99	8541.10.0080	1																	1.1 v @ 25 a		5 µa @ 200 v		50 a		단일 단일	200 v
SMB3EZ91D5-TP	-	RFQ	2896	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB3EZ91		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB3EZ91D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 69.2 v						91 v	115 옴
MB101	-	RFQ	6194	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, BR-6	MB101	기준		BR-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MB101ms	귀 99	8541.10.0080	1																	1.1 v @ 5 a		10 µa @ 100 v		10 a		단일 단일	100 v
RS404L	-	RFQ	10000	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RS-4L	RS404	기준		RS-4L	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	RS404LMS	귀 99	8541.10.0080	1																	1 V @ 3 a		10 µa @ 400 v		4 a		단일 단일	400 v
TBS22J-TP	0.4500	RFQ	2	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	TBS22	기준		4-TB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TBS22J-TPMSTR	귀 99	8541.10.0080	3,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v		2.2 a		단일 단일	600 v
RS407L	-	RFQ	5527	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, RS-4L	RS407	기준		RS-4L	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1																	1 V @ 3 a		10 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv
FS1MFL-TP	0.0562	RFQ	2377	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	fs1m	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-FS1MFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1000 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
KBP201-BP	-	RFQ	6800	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP201	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 100 v		2 a		단일 단일	100 v
BAT64-06W-TP	0.0687	RFQ	5605	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	BAT64	Schottky		SOT-323	다운로드				353-BAT64-06W-TP	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 양극 양극 공통	40 v	250ma	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 30 v	150 ° C
KBP204-BP	-	RFQ	6659	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP204	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v
SMD26PLQ-TP	0.4600	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		Schottky		SOD-123FL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		50 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	95pf @ 4V, 1MHz
KBP2005-BP	-	RFQ	2721	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPR	KBP2005	기준		KBPR	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 50 v		2 a		단일 단일	50 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²