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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
UG1APL-TP	0.0639	RFQ	6842	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	SOD-123F	UG1A	기준		SOD-123FL	다운로드				353-ug1apl-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SR5150-AP	0.1465	RFQ	1482	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR5150	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR5150-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		920 MV @ 5 a		2 ma @ 150 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BC818-25-TP	0.0940	RFQ	8910	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC818		300MW	SOT-23	다운로드				353-BC818-25-TP	귀 99	8541.21.0075	1																							25 v	500 MA			100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	170MHz
FM4000GP-TP	0.2122	RFQ	1195	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	FM4000	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-FM4000GP-TP	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													4000 v		5 v @ 500 ma	300 ns	5 µa @ 4000 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	-
AZ23C9V1-TP	0.0426	RFQ	5339	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C9V1		300MW	SOT-23	다운로드				353-AZ23C9V1-TP	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통																		100 na @ 7 v									9.1 v	10 옴
MSJW20N65A-BP	5.1600	RFQ	2529	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	MSJW20	MOSFET (금속 (()		TO-247-3	-		1 (무제한)		353-MSJW20N65A-BP			1			n 채널	650 v	20A (TC)	10V	180mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 v	± 30V	1740 pf @ 100 v	-	250W (TJ)
SMBJ5360CHE3-TP	-	RFQ	5956	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5360		5 w	DO-214AA (SMB)	-				353-SMBJ5360CHE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.2 v @ 1 a		500 na @ 19 v									25 v	4 옴
1N5932B3P-TP	0.1102	RFQ	1382	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5932		3 w	DO-41	다운로드				353-1N5932B3P-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v									20 v	14 옴
GS2AFL-TP	0.0438	RFQ	7206	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	GS2A	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-GS2AFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													50 v		1.1 v @ 2 a	4 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
SD101BWHE3-TP	0.3800	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	SD101	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SD101BWHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													50 v		950 mV @ 15 mA	1 ns	200 na @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	15MA	2.1pf @ 0v, 1MHz
MBRL30P100-TP	0.4347	RFQ	7534	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	8-powertdfn	MBRL30	Schottky		DFN5060	다운로드				353-MBRL30P100-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 30 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	1350pf @ 4V, 1MHz
MBRL1545-BP	0.4950	RFQ	6122	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBRL1545	Schottky		TO-220AC	다운로드				353-MBRL1545-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													45 v		520 MV @ 15 a		150 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
1N5405-TP	0.0989	RFQ	7760	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5405	기준		Do-201ad	다운로드				353-1N5405-TP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													500 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
BZX584C10HE3-TP	0.0515	RFQ	6266	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523	다운로드				353-BZX584C10HE3-TP	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v									20 v	20 옴
SIL02N15-TP	0.2472	RFQ	3401	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	SIL02	MOSFET (금속 (()		SOT-23-6L	다운로드				353-SIL02N15-TP	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널	150 v	2A (TA)	8V, 10V	290mohm @ 2a, 10V	2.5V @ 250µA	15.9 NC @ 10 v	± 20V	540 pf @ 25 v	-	1.25W
MMSZ5267B-TP	0.0318	RFQ	5990	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5267		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 56 v									75 v	270 옴
SMB2EZ51D5-TP	-	RFQ	4252	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMB2EZ51		2 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수			353-SMB2EZ51D5-TPTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 38.8 v									51 v	48 옴
SR305-AP	0.1211	RFQ	7958	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR305	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR305-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		720 MV @ 3 a		1 ma @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
GS2DHE3-LTP	0.0649	RFQ	5726	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드				353-GS2DHE3-LTP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1000 v		1.1 v @ 2 a	4 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
MBR20150FCT-BP	0.5700	RFQ	8457	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	MBR20150	Schottky		ITO-220AB	다운로드				353-MBR20150FCT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	20A			25 µa @ 150 v	150 ° C
BZT52B30JSHE3-TP	0.3500	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZT52B30		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-BZT52B30JSHE3-TPCT	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		45 na @ 21 v									30 v	75 옴
ER3BB-TP	0.0927	RFQ	6625	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	er3b	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드				353-er3bb-tp	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
GP1515-BP	0.3300	RFQ	9848	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	GP1515	기준		TO-220AC	다운로드				353-GP1515-BP	귀 99	8541.10.0080	1		짐													1500 v		1.15 V @ 15 a		5 µa @ 1500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	40pf @ 4V, 1MHz
SR306-AP	0.1211	RFQ	1330	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR306	Schottky		Do-201ad	다운로드				353-SR306-AP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		720 MV @ 3 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	200pf @ 4V, 1MHz
BD882-O-TP	0.2089	RFQ	4755	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BD882		500MW	SOT-89	다운로드				353-BD882-O-TP	귀 99	8541.21.0095	1																							30 v	3 a			10µA			NPN	500mv @ 200ma, 2a	60 @ 1a, 2v	50MHz
GS1ME-TPS05	-	RFQ	5586	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	GS1M	기준		smae	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-GS1ME-TPS05TR	귀 99	8541.10.0080	6,000		짐													1000 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5261B-TP	0.0318	RFQ	3721	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5261		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																			100 na @ 36 v									47 v	105 옴
3SMBJ5943B-TPS02	0.2439	RFQ	9698	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	3SMBJ5943		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드				353-3SMBJ5943B-TPS02	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
MUR2040CT-BP	0.5234	RFQ	7144	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MUR2040	기준		TO-220AB	다운로드				353-MUR2040CT-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	400 v	20A	1.3 V @ 10 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBU8B-BP	0.3000	RFQ	1530	마이크로 마이크로 공동	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU8	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000																	1 V @ 4 a		5 µa @ 100 v		8 a				단일 단일	100 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²