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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 전류 - 출력 피크 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 파괴 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 현재 - 오버 브레이크 |
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![]() | BC856A-TP | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SIL3439KA-TP | 0.0435 | ![]() | 9405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SIL3439 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SOT-23-6L | 다운로드 | 353-SIL3439KA-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 20V | 1.2A, 1A | 300mohm @ 650ma, 4.5v, 850mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.8nc @ 4.5v, 0.86nc @ 4.5v | 33pf @ 16v, 40pf @ 16v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | RL104-N-0-1-BP | - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 축 | RL104 | 기준 | A-405 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | RL104-N-0-1-BPMS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR303-TP | - | ![]() | 5565 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | FR303 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCG30N03-TP | - | ![]() | 6121 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MCG30 | MOSFET (금속 (() | DFN3030 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 2.3V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1490 pf @ 15 v | - | 25W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G-LTP | 0.0415 | ![]() | 6030 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | S1G | 기준 | DO-214AA, HSMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCAC68N03Y-TP | 0.6900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC68N03 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCAC68N03Y-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 68a | 7.2MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 732 pf @ 15 v | - | 35W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC945-y-AP | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2SC945 | 400MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 150 MA | 100NA | NPN | 300mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 1ma, 6V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1132-P-TP | - | ![]() | 8019 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2SB1132 | 500MW | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 2a | 82 @ 100MA, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10U60-TP | 0.8600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | MBR10 | Schottky | TO-277-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 500 mV @ 10 a | 500 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC856BS-TPQ2 | 0.0721 | ![]() | 1451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 200MW | SOT-363 | 다운로드 | 353-BC856BS-TPQ2 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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