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불연속 불연속 제품 (10101)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
2N6045-AP	-	RFQ	8110	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-60 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	2N6045		75 w	TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000																							100 v	8 a	20µA (ICBO)			npn-달링턴	4V @ 80MA, 8A	1000 @ 3A, 4V	-
S3B	-	RFQ	1617	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3B	기준		SMC (DO-214AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													100 v		1.2 v @ 3 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
LLSD103C-TP	-	RFQ	4009	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LLSD103	Schottky		미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 150 ° C	350ma	-
FS2M-LTP	0.1429	RFQ	5997	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	FS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v			500 ns	5 µa @ 1000 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
SF22G-TP	0.0592	RFQ	4998	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF22	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	60pf @ 4V, 1MHz
KTC4373-O-TP	-	RFQ	7855	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	KTC4373		500MW	SOT-89	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0075	1,000																							120 v	800 MA	100NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	80 @ 100MA, 5V	120MHz
1N4148X-TP	0.2100	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	1N4148	기준		SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
BAV70DW-TP	0.2800	RFQ	2857	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	bav70	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 음극 음극 공통	75 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
R1800-TP	-	RFQ	4852	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	R1800	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000		짐													1800 v		2 v @ 500 ma		5 µa @ 1800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
MBRBL40120CT-TP	1.6471	RFQ	1796	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRBL40120	Schottky		D2PAK	다운로드				353-MBRBL40120CT-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	120 v	40a	820 MV @ 20 a		100 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MBR10U100H-TP	0.2767	RFQ	8959	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	MBR10	Schottky		TO-277	다운로드				353-MBR10U100H-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 10 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	320pf @ 4V, 1MHz
es1ke-tp	0.4700	RFQ	13	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1K	기준		DO-214AC (SMAE)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	45pf @ 4V, 1MHz
BAT54AT-TP	0.2000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 양극 양극 공통	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DL4739A-TP	-	RFQ	9140	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	DL4739		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DL4739A-TPMSTR	귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7 v							9.1 v	5 옴
SD103CWSHE3-TP	0.3800	RFQ	6	마이크로 마이크로 공동	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-SD103CWSHE3-TPTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		600 mv @ 200 ma	10 ns	5 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 125 ° C	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
SF21-TP	-	RFQ	2927	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF21	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	60pf @ 4V, 1MHz
UF5405-AP	-	RFQ	7447	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UF5405	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													500 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
SF55G-AP	0.1185	RFQ	6396	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF55	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.27 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	30pf @ 4V, 1MHz
EGP20G-TP	-	RFQ	4361	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	EGP20G	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.25 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SF26GS-BP	0.1008	RFQ	9673	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF26	기준		DO-15	다운로드				353-SF26GS-BP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
DMMT3906-TP	0.0488	RFQ	4199	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMMT3906		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							40V	200ma	-			2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
BCX56-16-TP	0.4500	RFQ	8905	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	BCX56		500MW	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1,000																							80 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	130MHz
MCQD08N03A-TP	0.4500	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	MCQD08	MOSFET (금속 (()	3W	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	353-MCQD08N03A-TPCT	귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)			30V	8.5A		23mohm @ 8.5a, 10V	2.2V @ 250µA	5.2NC @ 4.5V		490pf @ 15V	-
FS2JFL-TP	0.0560	RFQ	3364	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	FS2J	기준		do-221ac (SMA-FL)	다운로드				353-FS2JFL-TP	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
1N5239B-TP	-	RFQ	4089	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5239		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
EGP20A-TP	-	RFQ	5535	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	EGP20A	기준		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MMBZ5259B-TP	0.0306	RFQ	8514	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5259		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 100 ma		100 na @ 30 v							39 v	80 옴
BSS138BKT-TP	0.2300	RFQ	5	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	BSS138	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	50 v	340ma	2.5V, 10V	1.5ohm @ 300ma, 10V	1.5V @ 250µA	1.4 NC @ 10 v	± 20V	58 pf @ 30 v	-	270MW
BAT54T-TP	0.2000	RFQ	3	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
RA501-BP	-	RFQ	5881	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	라	RA501	기준		라	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		짐													50 v		1.1 v @ 50 a	3 µs	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	50a	300pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (10101)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²