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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MMXZ5221B-TP Micro Commercial Co MMXZ5221B-TP -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 MMXZ5221 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 100 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
PB610 Micro Commercial Co PB610 -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, PB-6 PB61 기준 PB-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
MMBTA42-TP Micro Commercial Co MMBTA42-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
1N4678-TP Micro Commercial Co 1N4678-TP -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4678 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 7.5 µa @ 1 v 1.8 v
MT40CB16T1-BP Micro Commercial Co MT40CB16T1-BP 44.6200
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 T1 MT40CB16 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 1.6kV 2.5 v 1000A @ 50Hz 150 MA 40 a 1 scr, 1 다이오드
MCQ20N03HE3-TP Micro Commercial Co MCQ20N03HE3-TP 0.2306
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ20 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 353-MCQ20N03HE3-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 46.3 NC @ 10 v ± 20V 2191 pf @ 15 v - 3W
MBRD1220CT-TP Micro Commercial Co MBRD1220CT-TP 0.3242
RFQ
 ECAD 2571 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD1220 Schottky D-PAK 다운로드 353-MBRD1220CT-TP 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 12a 470 mV @ 6 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C
HER203G-AP Micro Commercial Co HER203G-AP 0.0625
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER203 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
HER207G-TP Micro Commercial Co HER207G-TP 0.0618
RFQ
 ECAD 6206 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER207 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
DMMT5401-TP Micro Commercial Co DMMT5401-TP -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT5401 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150V 200ma 50NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
MCQ16N03-TP Micro Commercial Co MCQ16N03-TP 0.3706
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ16N03 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MCQ16N03-TPTR 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1550 pf @ 15 v - 2.5W
MCT04N10B-TP Micro Commercial Co MCT04N10B-TP 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MCT04 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4a 4.5V, 10V 105mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1143 pf @ 50 v - 1.25W
PN2222A-AP Micro Commercial Co PN2222A-AP -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN2222 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 20,000 40 v 600 MA - NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
DTA144ESA-AP Micro Commercial Co DTA144ESA-AP -
RFQ
 ECAD 5337 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 (형성 된 리드 리드) DTA144 300MW 92S 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-DTA1444444444444444444444444444444444444444444444444444444444 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
SI3407HE3-TP Micro Commercial Co SI3407HE3-TP 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI3407 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-SI3407HE3-TPTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.1a 4.5V, 10V 60mohm @ 4.1a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 700 pf @ 15 v - 1.3W
BZT52B3V6BS-TP Micro Commercial Co BZT52B3V6BS-TP 0.0355
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZT52B3 400MW SOD-323 다운로드 353-BZT52B3V6BS-TP 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 84 옴
SMB5817 Micro Commercial Co SMB5817 -
RFQ
 ECAD 4433 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB SMB581 Schottky DO-214AA (SMB) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
DZ23C12-TP Micro Commercial Co DZ23C12-TP 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C12 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
BCX53-16-TP Micro Commercial Co BCX53-16-TP 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 50MHz
DTC114YUA-TP Micro Commercial Co DTC114YUA-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
MPSW01A-AP Micro Commercial Co MPSW01A-AP -
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPSW01 625 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-MPSW01A-APTB 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 60 @ 100MA, 1V 50MHz
DTC114EUA-TP Micro Commercial Co DTC114EUA-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
HER206-AP Micro Commercial Co HER206-AP -
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER206 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
DL4007-TP Micro Commercial Co DL4007-TP -
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AB, MELF DL4007 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v - 1A -
SI3415C-TP Micro Commercial Co SI3415C-TP 0.0596
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 353-SI3415C-TPTR 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 5a, 4.5v 1.25V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 10V 540 pf @ 10 v - 1W
2SB1151-G-BP Micro Commercial Co 2SB1151-g-bp -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 2SB1151 1.25 w TO-126 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 5 a 10µA (ICBO) PNP 300mv @ 200ma, 2a 200 @ 2a, 1v -
MUR115-TP Micro Commercial Co mur115-tp -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 mur115 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 1 a 45 ns 5 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BC328-25-AP Micro Commercial Co BC328-25-AP -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC328 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 800 MA 200na PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 260MHz
HER101S-AP Micro Commercial Co HER101S-AP -
RFQ
 ECAD 7151 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 축 HER101 기준 A-405 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 ma @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
HER152-TP Micro Commercial Co HER152-TP -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER152 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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