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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 - 출력	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	전압	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	현재 -볼리 (IV)	현재 - 피크	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
CMR1U-13M TR13 PBFREE	0.4500	RFQ	866	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	DO-214AC, SMA	CMR1U-13		기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																														1300 v		1.9 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1300 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	6pf @ 4V, 1MHz
CLL4688 BK	-	RFQ	3815	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4688BK	귀 99	8541.10.0050	1																																		1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 3 v								4.7 v
CLL4732A TR	-	RFQ	3800	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF				1 W.	멜프	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																																		1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v								4.7 v	8 옴
CLLRH-07 BK	-	RFQ	5341	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는					표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			기준		SOD-80	-	재고 재고 요청합니다	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1		짐																														700 v		1.1 v @ 500 ma		200 na @ 700 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	10pf @ 4V, 1MHz
2N5486	0.4704	RFQ	7658	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		25 v			구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		400MHz	JFET		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500	n 채널				30ma		4 MA	-	-																					4db												15 v
CXT2907A TR PBFREE	0.6000	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-243AA	CXT2907			1.2 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																																								60 v	600 MA		10NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
49	-	RFQ	8368	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3				40 W.	TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TIP49CS	귀 99	8541.29.0095	400																																								350 v	1 a		1MA			NPN	1V @ 200MA, 1A	30 @ 300ma, 10V	10MHz
CMPT5087 TR PBFREE	0.4300	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT5087			350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																																								50 v	50 MA		10NA (ICBO)			PNP	300mv @ 1ma, 10ma	250 @ 100µa, 5V	40MHz
CMDZ5251B BK	-	RFQ	7947	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5251			250 MW	SOD-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																																		900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v								22 v	29 옴
2N681	-	RFQ	3915	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-65 ° C ~ 125 ° C		섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드					To-48	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N681CS	쓸모없는	0000.00.0000	100						100 MA																25 v	25 a	2 v	200a @ 60Hz	40 MA	2 v	13 MA	표준 표준
CQ220-6NS	-	RFQ	7010	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3					TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의					15 MA															내부적으로 내부적으로	800 v	6 a	1.5 v	-	5 MA
2N5210 PBFREE	0.5600	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500																																								50 v	50 MA		50NA (ICBO)			NPN	700mv @ 1ma, 10ma	200 @ 100µa, 5V	30MHz
CBCX68 TR PBFREE	0.9700	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-243AA	CBCX68			1.2 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																																								20 v	1 a		100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 100ma, 1a	85 @ 500ma, 1V	65MHz
CMSSH-3E TR PBFREE	0.5400	RFQ	1900	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSSH-3		Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																														40 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
CMJ0500 TR PBFREE	6.2800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	실리콘 실리콘 효과	표면 표면	SOD-123F	CMJ0500			500MW	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																																																				100V	630µA	1.1V
CR3F-100 TR	-	RFQ	7003	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는					구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			기준		Do-201	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																														1000 v		1.2 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CMSH1-100M BK PBFREE	0.1086	RFQ	9563	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인					표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH1		Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																														100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	29pf @ 4V, 1MHz
CMSH2-40M TR13 PBFREE	0.5200	RFQ	20	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH2		Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																														40 v		550 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	150pf @ 4V, 1MHz
CMDZ4L3 TR PBFREE	0.6600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ4			250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																																		900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v								4.3 v	900 옴
CMPZ5261B TR PBFREE	0.4800	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5261			350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																																		900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v								47 v	105 옴
CLL5230C BK	-	RFQ	1957	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500MW	SOD-80	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000																																		1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 2 v								4.7 v	19 옴
CMXD6001 TR PBFREE	0.7300	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SOT-23-6	CMXD6001		기준		SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		짐																													3 독립	75 v	250ma	1.1 v @ 100 ma	3 µs	500 PA @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CMRSH-4DO TR PBFREE	1.0900	RFQ	28	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					표면 표면	SOT-963	CMRSH-4		Schottky		SOT-963	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																													2 독립	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C
CMOZ24V TR PBFREE	0.5600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ24			300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																																		900 mV @ 10 ma		50 NA @ 16.8 v								24 v	70 옴
1N967B BK PBFREE	0.0734	RFQ	8736	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																																		1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 13.7 v								18 v	21 옴
1N486B BK 주석/리드	0.4300	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인					구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			기준		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																														250 v		1 v @ 100 ma		50 na @ 250 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	-
2N4853	-	RFQ	7315	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는						TO-206AA, TO-18-3 금속 캔						다운로드		적용 적용 수 할			쓸모없는	0000.00.0000	1			6V							-										300MW																														6 MA	400 NA
CLL5225B BK 주석/리드	0.3800	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	상자	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																																		1.25 V @ 200 ma		50 µa @ 1 v								3 v	29 옴
CMKT5088 TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CMKT5088			350MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																																								30V	50ma		50NA (ICBO)			2 NPN (()	500mv @ 1ma, 10ma	300 @ 100µa, 5V	50MHz
CP775-CWDM3011P-CT	-	RFQ	6057	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위			MOSFET (금속 (()		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP775-CWDM3011P-CT	쓸모없는		100				p 채널							30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	20mohm @ 11a, 10V	3V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 8 v	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²