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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	현재- 정류 평균 (IO)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 -rds (on)
2N5116	-	RFQ	8359	Central Semiconductor Corp	-	상자	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW	TO-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000	p 채널	25pf @ 15V						30 v	5 ma @ 15 v	1 v @ 1 na			150 옴
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CBR10-J020	-	RFQ	2996	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-CBR10-J020	귀 99	8541.10.0080	400			1.2 v @ 5 a	10 µa @ 200 v	5 a	단일 단일	200 v
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CBR10-J060	-	RFQ	1147	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-CBR10-J060	귀 99	8541.10.0080	400			1.2 v @ 5 a	10 µa @ 600 v	5 a	단일 단일	600 v
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CBR1F-D020	-	RFQ	1289	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1.3 v @ 1 a	10 µa @ 200 v	1 a	단일 단일	200 v
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²