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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
CR3-040GPP TR	-	RFQ	6854	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-040GPTR	귀 99	8541.10.0080	1,200		짐																			400 v		1.2 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CMDZ5236B TR PBFREE	0.3600	RFQ	913	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5236		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																							900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v				7.5 v	6 옴
CMPD3003A TR PBFREE	0.4600	RFQ	7252	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD3003	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																		1 양극 양극 공통	180 v	200ma	1.15 V @ 300 ma		1 na @ 125 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4444 TR	-	RFQ	2843	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35	다운로드				1514-1n4444tr	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																			70 v		1 v @ 100 ma	7 ns	50 Na @ 50 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	-
2N6073B PBFREE	-	RFQ	5945	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3				TO-126	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-2N6073BPBFREE	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		15 MA								논리 - 게이트 민감한	400 v	4 a	2 v	30A @ 60Hz	5 MA
CLL4756A tr	-	RFQ	3420	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																							1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 35.8 v				47 v	80 옴
CLLSH1-40 TR	-	RFQ	2068	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		SMA	-				1514-Cllsh1-40tr	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																			40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-	1A	-
CMOZ10V TR PBFREE	0.5800	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ10		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																							900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v				10 v	20 옴
1N754A BK PBFREE	0.0766	RFQ	5068	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																							1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v				6.8 v	5 옴
CMJH120 TR PBFREE	6.5000	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	실리콘 실리콘 효과	표면 표면	SOD-123F	CMJH120		500MW	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																															50V	14.4ma	3.8V
CLL4729C BK	-	RFQ	4873	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	800																							1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v				3.6 v	10 옴
CLL4116 TR 11/리드	0.6300	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CLL4116		500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500																							1 v @ 200 ma		10 na @ 18.3 v				24 v	150 옴
CMPZDA12V TR PBFREE	0.1600	RFQ	44	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZDA12		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통																						900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				12.05 v	250 옴
1N4947 TR	-	RFQ	2784	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로				구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N4947	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																			800 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	1 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
CZ5360B BK PBFREE	0.4526	RFQ	4995	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5360		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	500																							1.2 v @ 1 a		500 na @ 19 v				25 v	4 옴
1N5419 BK 주석/리드	-	RFQ	5557	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로				구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-1n5419BKTIN/리드	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																			500 v		1.1 v @ 3 a	250 ns	1 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	110pf @ 12v, 1MHz
CS202-4D	-	RFQ	2064	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-202 긴 2				TO-202	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500			2 MA									400 v	4 a	800 MV	-	200 µA	1.8 v		표준 표준
CTLDM8120-M832DS BK	-	RFQ	4694	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLDM8120	MOSFET (금속 (()	1.65W	TLM832DS	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)			20V	860MA (TA)	150mohm @ 950ma, 4.5v	1V @ 250µA	3.56NC @ 4.5V	200pf @ 16V	-
CPZ19-BZX55C22-CT	-	RFQ	9768	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5.68%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ19-BZX55C22-CT	귀 99	8541.10.0040	1																							1 v @ 100 ma		100 na @ 16 v				22 v	55 옴
CMOZ16L TR PBFREE	0.1500	RFQ	3361	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ16		250 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																							900 mV @ 10 ma		1 µa @ 14 v				16 v	100 옴
1N5914B tr	-	RFQ	7654	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	5,000																							1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v				3.5 v	9 옴
CS218i-30p	-	RFQ	4022	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-218-3				TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1			75 MA									1kv	30 a	1.5 v	400A @ 100Hz	50 MA	2.1 v	20 µA	표준 표준
CQ220I-16N	-	RFQ	8208	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		50 MA								내부적으로 내부적으로	800 v	16 a	1.5 v	-	100 MA
CMR2U-02 BK PBFREE	0.1425	RFQ	5653	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인				표면 표면	DO-214AA, SMB	CMR2U-02	기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																			200 v		1 V @ 2 a	50 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
CMZ5951B TR13	0.9700	RFQ	4024	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5951		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																							1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 91.2 v				120 v	360 옴
BAW100 TR PBFREE	-	RFQ	3230	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAW100	기준		SOT-143	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-baw100trpbfreetr	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		2 독립	75 v	250MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4002sp tr	-	RFQ	6137	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐																			100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
2N6071A 주석/리드	-	RFQ	2748	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3				TO-126	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-2N6071ATIN/납	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		15 MA								논리 - 게이트 민감한	200 v	4 a	2 v	30A @ 60Hz	10 MA
1N5416 BK 주석/리드	0.8200	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는				구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																			100 v		1.1 v @ 3 a	150 ns	1 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	175pf @ 12v, 1MHz
1N5913B tr	-	RFQ	3856	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	5,000																							1.5 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v				3.3 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²