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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	scr 유형	노이즈 노이즈	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMZ5913B BK	-	RFQ	2556	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA				1.5 w	SMA	다운로드		1 (무제한)		CMZ5913BBK	귀 99	8541.10.0050	1,000																												1.5 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v							3.3 v	10 옴
CMZ5931B BK PBFREE	0.2315	RFQ	5544	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5931			500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800																												1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v							18 v	12 옴
CMPDM302PH BK	-	RFQ	3290	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-3 3 리드			MOSFET (금속 (()		SOT-23F	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,500			p 채널					30 v	2.4A (TA)	2.5V, 4.5V	91mohm @ 1.2a, 4.5v	1.4V @ 250µA	9.6 NC @ 5 v	12V	800 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
1N5245B BK PBFREE	0.0353	RFQ	3266	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																												1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v							15 v	16 옴
CLL4692 TR	-	RFQ	2508	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500MW	SOD-80	다운로드				1514-Cll4692tr	귀 99	8541.10.0050	1																												1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 5.1 v							6.8 v
CMSZ5247B tr 주석/리드	0.0569	RFQ	2458	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5247			275 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																												900 mV @ 10 ma		100 na @ 13 v							17 v	19 옴
CQ220-25M	-	RFQ	7055	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3					TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의				50 MA													내부적으로 내부적으로	600 v	25 a	2.5 v	-	60 MA
CZ5386B TR	-	RFQ	5741	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향				5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5386BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400																												1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v							180 v	430 옴
CP547-MJ11015-CT	-	RFQ	1164	Central Semiconductor Corp	CP547	쟁반	쓸모없는				표면 표면	주사위					주사위	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	49
1N5336B BK	-	RFQ	3379	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,				5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5336bbk	귀 99	8541.10.0050	1																												1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v							4.3 v	2 옴
2N2905 PBFREE	1.2173	RFQ	3119	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔				3 w	To-39	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500																																		40 v	600 MA	20NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
2N5089 PBFREE	0.4900	RFQ	21	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500																																		25 v	50 MA	50NA (ICBO)			NPN	500mv @ 1ma, 10ma	400 @ 100µa, 5V	50MHz
CQ220-6NS	-	RFQ	7010	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3					TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의				15 MA													내부적으로 내부적으로	800 v	6 a	1.5 v	-	5 MA
CS220-12B	-	RFQ	2635	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3					TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	400					20 MA														200 v	12 a	1.5 v	-	15 MA	1.6 v	표준 표준
CZ5384B TR	-	RFQ	4449	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향				5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5384BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400																												1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v							160 v	350 옴
CLL4747A BK PBFREE	0.0742	RFQ	9118	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4747			1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800																												1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v							20 v	22 옴
1N749A BK PBFREE	0.4000	RFQ	15	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																												1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
1N5921B BK PBFREE	-	RFQ	4583	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향				1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	2,000																												1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v							6.8 v	3 옴
CMHZ4693 BK	-	RFQ	7792	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123				500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4693BK	귀 99	8541.10.0050	1																												1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 5.7 v							7.5 v
CMDD3003 TR PBFREE	0.3900	RFQ	21	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDD3003		기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																									180 v	1.15 V @ 300 ma		10 na @ 180 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
2N5245	-	RFQ	4950	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		30 v			-		-	MOSFET		To-92-3	-		1 (무제한)		1514-2N5245	쓸모없는	0000.00.0000	100	n 채널			-		-	-																			-
BAV45	-	RFQ	2639	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는				구멍을 구멍을	18-2까지			기준		TO-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																									20 v	1 V @ 10 ma	600 ns	5 pa @ 5 v	-65 ° C ~ 125 ° C	50ma	1.3pf @ 0v, 1MHz
CN645 TR	-	RFQ	6705	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000		짐																									225 v	1 V @ 400 mA		200 na @ 225 v	-65 ° C ~ 150 ° C	400ma	11pf @ 12v, 1MHz
CP736V-2N5401-CT	-	RFQ	2441	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위					주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0040	1																																		150 v	600 MA	50NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	60 @ 10ma, 5V	300MHz
CMDZ10V TR PBFREE	0.3600	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ10			250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																												900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v							10 v	20 옴
CZ5365B BK PBFREE	0.4521	RFQ	8743	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5365			5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	500																												1.2 v @ 1 a		500 NA @ 27.4 v							36 v	11 옴
1N5259B BK PBFREE	0.0353	RFQ	5251	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																												1.1 v @ 200 ma		100 na @ 30 v							39 v	80 옴
CPR1U-040 TR	-	RFQ	2935	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로				구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	cpr1u		기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																									400 v	1.6 V @ 1.5 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	35pf @ 4V, 1MHz
CEN1233 TR	-	RFQ	7533	Central Semiconductor Corp	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는											-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
1N984B BK	-	RFQ	6230	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,500																												1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 69.2 v							91 v	400 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²