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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 짐 | 레귤레이터 레귤레이터 (전류) | 전압- 최대 (제한) |
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![]() | CP645-MJE15031-CM | - | ![]() | 2209 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | CP645 | 2 w | 주사위 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP645-MJE15031-CM | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 8 a | 100µA | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 40 @ 3a, 2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CEN867 TR PBFREE | - | ![]() | 9940 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-cen867trpbfreetr | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 1N4760A BK 주석/리드 | 0.0692 | ![]() | 8673 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 150 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5253B BK | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | CMSZ5253 | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMZ5914B TR13 | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | SMA | 다운로드 | 1 (무제한) | CMZ5914BTR13 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 3.6 v | 9 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5238B BK | - | ![]() | 6677 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CMDZ5238 | 250 MW | SOD-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5240B BK PBFREE | 0.0353 | ![]() | 4183 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPD25-1N5417-WN | - | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | CPD25 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR2U-01 TR13 PBFREE | 0.6500 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CMR2U-01 | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5930B BK PBFREE | 0.2315 | ![]() | 2322 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5930 | 500MW | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CMZ5933B BK | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5933 | 500MW | SMA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 16.7 v | 22 v | 17.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4477 TR PBFREE | 0.3465 | ![]() | 7150 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 50 NA @ 26.4 v | 33 v | 25 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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