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불연속 불연속 제품 (4522)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CLL4740A TR PBFREE	0.4000	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4740		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500							1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7.6 v									10 v	7 옴
1N5370B BK	-	RFQ	1600	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5370BBK	귀 99	8541.10.0050	1							1.2 v @ 1 a		500 NA @ 42.6 v									56 v	35 옴
CLL4104 BK	-	RFQ	4633	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4104BK	귀 99	8541.10.0050	1							1 v @ 200 ma		1 µa @ 7.6 v									10 v	200 옴
BCW31 TR	-	RFQ	7713	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-bcw31tr	귀 99	8541.21.0095	1													20 v	100 MA			-			NPN	250mv @ 500µa, 10ma	110 @ 2MA, 5V	4MHz
CMDZ5233B BK PBFREE	0.0692	RFQ	3628	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5233		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
1N827A tr	-	RFQ	3631	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드				1514-1n827atr	귀 99	8541.10.0050	1																		6.2 v	10 옴
CMOZ27V TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ27		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		50 NA @ 18.9 v									27 v	80 옴
CEN1232 TR	-	RFQ	6830	Central Semiconductor Corp	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
CMPT3640 BK	-	RFQ	8055	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	다운로드				1514-CMPT3640BK	귀 99	8541.21.0075	1													12 v	80 MA			10NA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	30 @ 10MA, 300MV	500MHz
CPR4-100 BK	-	RFQ	3856	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					CPR4				-			영향을받지 영향을받지				1
CMZ5917BP TR13	-	RFQ	2159	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB	다운로드		1 (무제한)		CMZ5917BPTR13	귀 99	8541.10.0050	3,000							1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 1.5 v									4.7 v	5 옴
CMDZ5233B TR PBFREE	0.3600	RFQ	7	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5233		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
1N5985B TR PBFREE	0.0494	RFQ	1553	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							1.5 v @ 100 ma		100 µa @ 1 v									2.4 v	100 옴
CMDZ43V TR PBFREE	0.3600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ43		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		50 NA @ 30.1 v									43 v	150 옴
CBR1-D040S PBFREE	0.5191	RFQ	6200	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	CBR1-D040	기준		4-SMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50							1.1 v @ 1 a		10 µa @ 400 v		1 a				단일 단일	400 v
1N4749A TR PBFREE	0.0522	RFQ	1620	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v									24 v	25 옴
CLLR1-10 BK	-	RFQ	3793	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF		기준		멜프	다운로드				1514-CLLR1-10BK	귀 99	8541.10.0080	1	짐				1000 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CMDZ5237B BK PBFREE	0.1350	RFQ	4750	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5237		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v									8.2 v	8 옴
CMDSH-3G BK PBFREE	-	RFQ	2639	Central Semiconductor Corp	CMDSH-3	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDSH-3	Schottky		SOD-323	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-CMDSH-3GBKPBFREE	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도				30 v		800 mv @ 100 ma		1 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C	100ma	7pf @ 1v, 1MHz
1N5274 TR	-	RFQ	6564	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	-				-	다운로드		1 (무제한)		1N5274tr	귀 99	8541.10.0050	10,000
1N5061 BK	-	RFQ	3753	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N5061	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1	짐				600 v		1.2 v @ 1 a		200 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CPD16-CMR1U06M-CT20	150.0000	RFQ	25	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	CPD16	기준		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CPD16-CMR1U06M-CT20 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				600 v		1.4 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CMOZ16V TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ16		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							900 mV @ 10 ma		50 NA @ 11.2 v									16 v	40
1N823A DO-7 TR	-	RFQ	6684	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드				1514-1n823ado-7tr	귀 99	8541.10.0050	1																		6.2 v	10 옴
BAS56 BK	-	RFQ	8070	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAS56	기준		SOT-143	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	1,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도			2 독립	60 v	200MA (DC)	1 v @ 200 ma	6 ns	100 na @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CP210-2N5486-CT	-	RFQ	4934	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-							-				1514-CP210-2N5486-CT	쓸모없는		1		-	-
2N6316 3/리드	-	RFQ	2186	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-2n6316tin/리드	귀 99	8541.29.0095	1
CPD25-1N5418-CT	-	RFQ	4056	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					CPD25				-			영향을받지 영향을받지				1
1N6013B BK PBFREE	0.0494	RFQ	3412	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500							1.5 v @ 100 ma		100 µa @ 27 v									36 v	95 옴
CP611-TIP42C-CT	-	RFQ	1671	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP611		2 w	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CP611-TIP42C-CT	귀 99	8541.29.0095	1													100 v	6 a			700µA			PNP	1.5V @ 600MA, 6A	30 @ 300ma, 4v	3MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²