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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMSH3-100MA TR13 PBFREE	0.8900	RFQ	40	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH3	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		100 v	850 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	280pf @ 4V, 1MHz
BC846BT TR PBFREE	0.4300	RFQ	11	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	BC846		250 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											65 v	100 MA	15NA (ICBO)			NPN	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
CSHD8-200 TR13 PBFREE	1.3200	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CSHD8	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		200 v	900 mV @ 8 a		50 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
1N457A BK	-	RFQ	1403	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-1n457ABK	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																		70 v	1 v @ 100 ma		25 na @ 70 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	6pf @ 0V, 1MHz
CMUT3904 TR PBFREE	0.4000	RFQ	15	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	CMUT3904		250 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											40 v	200 MA	-			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
BDW84C	-	RFQ	2980	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-218-3			130 W.	TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BDW84CC	귀 99	8541.29.0095	1																											100 v	15 a	-			PNP	-	750 @ 6a, 3v	-
CPD76X-1N5817-CT	-	RFQ	2314	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위		Schottky		주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0040	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		20 v	450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MD918B	-	RFQ	1785	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	MD91		2W	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																											15V	50ma	10NA (ICBO)			2 NPN (()	900mv @ 1ma, 10ma	50 @ 3ma, 5V	600MHz
2N2916A	-	RFQ	8829	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N2916		600MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																											45V	30ma	-			2 NPN (()	-	150 @ 10µA, 5V	60MHz
2N5232A PBFREE	0.6900	RFQ	28	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500																											50 v	100 MA	30NA			NPN	125mv @ 1ma, 10ma	250 @ 2MA, 5V	-
CMZ5938B BK PBFREE	0.2315	RFQ	8660	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5938		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800																					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 27.4 v							36 v	38 옴
CMHZ4717 BK	-	RFQ	2200	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4717BK	귀 99	8541.10.0050	1																					1.5 v @ 100 ma		10 na @ 32.6 v							43 v
2N6502	-	RFQ	6523	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N650		-	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																											-	-	-			-	-	-	-
1N816 BK	-	RFQ	3492	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			400MW	DO-35	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-1N816BK	귀 99	8541.10.0050	1																					1 v @ 100 ma		100 na @ 4 v
CDM2209-900FP SL	-	RFQ	1434	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									-				1514-CDM2209-900FPSL			1
CTLDM7003T-M563D BK	-	RFQ	9797	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	CTLDM7003T	MOSFET (금속 (()	350MW	TLM563D	다운로드				1514-CTLDM7003T-M563DBK	귀 99	8541.21.0095	1	2 n 채널 (채널)			50V	280ma	1.5ohm @ 50ma, 5V	1.2V @ 250µA	-	50pf @ 25V	-
CPZ28X-CEN950-CT	-	RFQ	1742	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ28X-CEN950-CT	귀 99	8541.10.0040	1																					1 v @ 100 ma
CZ5336B TR	-	RFQ	2094	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5336BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400																					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v							4.3 v	2 옴
팁 106	-	RFQ	7869	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			80 W.	TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	tip106cs	귀 99	8541.29.0095	500																											80 v	8 a	50µA			pnp- 달링턴	2.5V @ 80MA, 8A	1000 @ 3A, 4V	4MHz
CR250F-4 BK	-	RFQ	9213	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	축		기준		축	-				1514-CR250F-4BK	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		4000 v	6.75 V @ 250 Ma	200 ns	1 µa @ 4000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	250ma	-
CMPZ5227B TR PBFREE	0.4800	RFQ	14	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5227		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v							3.6 v	24 옴
2N3741A	-	RFQ	5989	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			25 W.	To-66	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N3741A	귀 99	8541.29.0095	1																											80 v	4 a	1µA				600mv @ 125ma, 1a	40 @ 100ma, 1v	4MHz
CMUT3904 BK PBFREE	0.0789	RFQ	3881	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-89, SOT-490	CMUT3904		250 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																											40 v	200 MA	-			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
BRX46 PBFREE	0.2730	RFQ	7463	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BRX46			To-92	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500			5 MA								100 v	800 MA	800 MV	-	200 µA	1.7 v	500 MA	1 µA	표준 표준
1N5275B tr	-	RFQ	9845	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000																					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 106 v							140 v	1300 옴
2N3947 PBFREE	1.7325	RFQ	3048	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			1.2 w	TO-18	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																											40 v	200 MA	-			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
2N5962 PBFREE	0.1691	RFQ	2433	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1.5 w	To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																											45 v	50 MA	2NA (ICBO)			NPN	200MV @ 500µA, 10MA	600 @ 10ma, 5V	100MHz
CPD25-1N5416-CT	-	RFQ	8079	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					CPD25				-			영향을받지 영향을받지				1
CTLSH3-30M833 TR	-	RFQ	3232	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	8-vdfn d 패드		Schottky		TLM833	다운로드				1514-CTLSH3-30M833TR	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		30 v	450 mV @ 3 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZ5362B TR	-	RFQ	7616	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cz5362btr	귀 99	8541.10.0050	1																					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v							28 v	6 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²