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불연속 불연속 제품 (4522)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
CMR1-02M BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMR1-02M BK PBFREE 0.1715
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CMR1-02 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
1N4007 TR Central Semiconductor Corp 1N4007 tr 0.0508
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
1N5343B BK Central Semiconductor Corp 1N5343B BK -
RFQ
 ECAD 3447 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 T-18, 축, 5 w AX-5W 다운로드 1514-1n5343BBK 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 5.7 v 7.5 v 1.5 옴
CTLSH1-40M322 TR Central Semiconductor Corp CTLSH1-40M322 TR -
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 3-tdfn n 패드 Schottky TLM322 다운로드 1514-CTLSH1-40M322TR 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 15 ns 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
1N969B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N969B TR PBFREE 0.0734
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 29 옴
CMOD6263 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMOD6263 BK PBFREE 0.1605
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 CMOD6263 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 410 mV @ 1 ma 5 ns 200 na @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 15MA 2pf @ 0V, 1MHz
CLL5240B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CLL5240B BK PBFREE 0.0519
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL5240 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.25 V @ 200 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
CMSH2-40L TR13 Central Semiconductor Corp CMSH2-40L TR13 -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 400 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
CZ5349B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CZ5349B BK PBFREE 0.4521
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 CZ5349 5 w Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 9.1 v 12 v 2.5 옴
CSTB569 BK Central Semiconductor Corp CSTB569 BK -
RFQ
 ECAD 9126 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 다운로드 1514-CSTB569BK 귀 99 8541.10.0080 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3.01 V @ 10 ma - 10MA -
CMHZ4617 TR Central Semiconductor Corp CMHZ4617 TR -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-CMHZ4617TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 2.4 v 1400 옴
CMSZ5237B TR Central Semiconductor Corp CMSZ5237B TR -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 CMSZ5237 275 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
BC184B PBFREE Central Semiconductor Corp BC184B PBFREE 0.2625
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC184 300MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,500 30 v 200 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 250 @ 2MA, 5V 280MHz
CLL914 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CLL914 BK PBFREE 0.0575
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL914 기준 SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 200 ° C 250ma 4pf @ 0V, 1MHz
CMHZ5267B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ5267B TR PBFREE 0.3600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CMHZ5267 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
MPQ6502 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp MPQ6502 2/리드 -
RFQ
 ECAD 7070 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) MPQ6502 650MW TO-116 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 25 30V 500ma 30NA (ICBO) 2 NPN, 2 PNP 1.4V @ 30MA, 300MA 30 @ 300ma, 10V 200MHz
1N5233B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5233B TR PBFREE 0.0353
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
CLL5251B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CLL5251B TR PBFREE 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL5251 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 29 옴
1N5255B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5255B BK PBFREE 0.0353
RFQ
 ECAD 2823 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
CZ5348B BK Central Semiconductor Corp CZ5348B BK -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 5 w Do-201 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-CZ5348BBK 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
CMPZ5262B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZ5262B TR PBFREE 0.4800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPZ5262 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
TIP112 SL Central Semiconductor Corp TIP112 SL -
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 50 W. TO-220-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-TIP112SL 쓸모없는 1 100 v 2 a 2MA npn-달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v 25MHz
CMPZ5264B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZ5264B TR PBFREE 0.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPZ5264 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
CDM3-800 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CDM3-800 TR13 PBFREE -
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 CDM3-800 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v 30V 415 pf @ 25 v - 80W (TC)
TIP36C TO-247 SL Central Semiconductor Corp TIP36C TO-247 SL -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 125 w TO-247 다운로드 1514-TIP36CTO-247SL 쓸모없는 1 100 v 25 a 1MA NPN 4V @ 5A, 25A 25 @ 1.5A, 4V 1MHz
TIP42C PBFREE Central Semiconductor Corp TIP42C PBFREE 0.6296
RFQ
 ECAD 8926 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 마지막으로 마지막으로 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 42 65 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 400µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 30 @ 300ma, 4v 3MHz
CMSSH-3E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMSSH-3E TR PBFREE 0.5400
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 CMSSH-3 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
CMSZ5261B TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMSZ5261B tr 주석/리드 0.0363
RFQ
 ECAD 1732 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 CMSZ5261 275 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
1N4002GL TR Central Semiconductor Corp 1N4002GL tr -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
CMHZ4709 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMHZ4709 tr 주석/리드 -
RFQ
 ECAD 1898 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-cmhz4709trtin/리드 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 na @ 18.2 v 24 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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