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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMPZ5223B TR PBFREE	0.4800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5223		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																						900 mV @ 10 ma	75 µa @ 1 v							2.7 v	30 옴
CZ5346B TR 주석/리드	-	RFQ	7946	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CZ5346Btrtin/리드	귀 99	8541.10.0050	1																						1.2 v @ 1 a	7.5 µa @ 6.9 v							9.1 v	2 옴
1N4748A BK 주석/리드	0.0565	RFQ	7620	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																						1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 16.7 v							22 v	23 옴
1N87A tr	-	RFQ	4863	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향		기준		DO-7	다운로드				1514-1n87atr	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																			23 v	250 mV @ 100 µA	10 µa @ 1.5 v	-50 ° C ~ 75 ° C	50ma	-
CZ5352B TR	-	RFQ	9221	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cz5352btr	귀 99	8541.10.0050	1																						1.2 v @ 1 a	1 µa @ 11.5 v							15 v	2.5 옴
1N5221B BK PBFREE	0.0353	RFQ	3557	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																						1.1 v @ 200 ma	100 µa @ 1 v							2.4 v	30 옴
CMKZ5223B BK	-	RFQ	2075	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립																					900 mV @ 10 ma	75 µa @ 1 v							2.7 v	30 옴
2N3583 PBFREE	13.1200	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			35 W.	To-66	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30																											175 v	1 a	10MA			NPN	5V @ 125MA, 1A	40 @ 500ma, 10V	10MHz
CTLT853-M833S BK	-	RFQ	1335	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn			2.5 w	TLM833S	다운로드		1 (무제한)		CTLT853-M833SBK	귀 99	8541.29.0075	5,000																											100 v	6 a	10NA			NPN	340mv @ 500ma, 5a	100 @ 2a, 2v	190mhz
CP611-2N6107-CM	-	RFQ	4157	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP611		40 W.	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CP611-2N6107-CM	귀 99	8541.29.0095	1																											70 v	7 a	1MA			PNP	3.5v @ 3a, 7a	30 @ 2a, 4v	4MHz
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CZ5387B TR	-	RFQ	8576	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5387BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400																						1.2 v @ 1 a	500 NA @ 144 v							190 v	450 옴
CP247-2N6284 -wn	-	RFQ	4971	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			160 W.	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-cp247-2n6284 -wn	귀 99	8541.29.0095	1																											100 v	20 a	1MA			npn-달링턴	3v @ 200ma, 20a	750 @ 10a, 3v	4MHz
1N973B BK PBFREE	0.0734	RFQ	6936	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																						1.5 v @ 200 ma	5 µa @ 25.1 v							33 v	58 옴
CMZ5949B TR13	0.4200	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5949		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																						1.5 v @ 200 ma	1 µa @ 76 v							100 v	250 옴
CLL4104 TR	-	RFQ	4469	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-cll4104tr	귀 99	8541.10.0050	1																						1 v @ 200 ma	1 µa @ 7.6 v							10 v	200 옴
2N2907 PBFREE	1.1880	RFQ	2578	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			1.8 w	TO-18	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																											40 v	600 MA	20NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
CLL4682 TR	-	RFQ	4964	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-Cll4682tr	귀 99	8541.10.0050	1																						1.5 v @ 100 ma	1 µa @ 1 v							2.7 v
CLL4738A TR PBFREE	0.4000	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4738		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																						1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 6 v							8.2 v	4.5 옴
CMOZ22V TR PBFREE	0.1875	RFQ	4298	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ22		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																						900 mV @ 10 ma	50 NA @ 15.4 v							22 v	55 옴
CMKZ5242B TR	-	RFQ	2171	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																					900 mV @ 10 ma	1 µa @ 9.1 v							12 v	30 옴
CTLDM7120-M832D TR	-	RFQ	5142	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLDM7120	MOSFET (금속 (()	1.65W	tlm832d	다운로드				1514-CTLDM7120-M832DTR	귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				20V	1A		100mohm @ 500ma, 4.5v	1.2v @ 1ma	2.4NC @ 4.5V		220pf @ 10V	논리 논리 게이트
CQ92BT	-	RFQ	1734	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				To-92-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의			3 MA											내부적으로 내부적으로	200 v	1 a	2 v	-	3 MA
1N5370B tr	-	RFQ	1744	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5370btr	귀 99	8541.10.0050	1																						1.2 v @ 1 a	500 NA @ 42.6 v							56 v	35 옴
1N4686 TR PBFREE	0.2190	RFQ	4425	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																						1.5 v @ 100 ma	5 µa @ 2 v							3.9 v
CLL4692 BK 주석/리드	0.4800	RFQ	803	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000																						1.5 v @ 100 ma	10 µa @ 5.1 v							6.8 v
1N4001 BK	-	RFQ	2865	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐																			50 v	1.1 v @ 1 a	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CTLDM304P-M832DS TR	0.9000	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLDM304P	MOSFET (금속 (()	1.65W	TLM832DS	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)				30V	4.2A		70mohm @ 4.2a, 10V	1.3V @ 250µA	6.4nc @ 4.5v		760pf @ 15V	-
CEDM7004VL BK	-	RFQ	9380	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883		MOSFET (금속 (()		SOT-883VL	다운로드		1 (무제한)		1514-CEDM7004VLBK	귀 99	8541.21.0095	1			n 채널		30 v	450MA (TA)	1.8V, 4.5V	460mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.792 NC @ 4.5 v	8V	43 pf @ 25 v	-	100MW (TA)
cmoz3l6 tr pbfree	0.6600	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ3		250 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																						900 mV @ 10 ma	5 µa @ 1 v							3.6 v	1700 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²