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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CMDZ5243B TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CMDZ5243 | 250 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4705 TR PBFREE | 0.2190 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 50 NA @ 13.6 v | 18 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBRLDSH2-60 TR13 PBFREE | 1.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | cbrldsh2 | Schottky | 4-LPDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 60 v | 2 a | 단일 단일 | 60 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CBR10A-J060 | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, cm | 눈사태 | cm | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 v @ 5 a | 10 µa @ 600 v | 10 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N4392 PBFREE | 3.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 1.8 w | TO-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 14pf @ 20V | 40 v | 25 ma @ 20 v | 2 v @ 1 na | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMPZ5243B BK PBFREE | 0.0709 | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5243 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 900 mV @ 10 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLLSH1-20 BK | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA | - | 1514-Cllsh1-20BK | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 v | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CP588-bcy70-wn | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | 350 MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-cp588-bcy70-wn | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 200 MA | - | 250mv @ 1ma, 10ma | 60 @ 10µA, 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD1001 TR PBFREE | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD1001 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 1 v @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 90 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 250ma | 35pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cllr1u-02 tr | - | ![]() | 1970 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | 멜프 | 다운로드 | 1514-cllr1u-02tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5231B TR PBFREE | 0.4500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5231 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31C SL PBFREE | 0.6296 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 31 | 40 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7120G TR PBFREE | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLDM7120 | MOSFET (금속 (() | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1A (TA) | 1.5V, 4V | 100mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2v @ 1ma | 2.4 NC @ 4.5 v | 8V | 220 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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