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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CXDM6053N TR PBFREE	0.9700	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXDM6053	MOSFET (금속 (()		SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	60 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	41mohm @ 5.3a, 10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 v	20V	920 pf @ 30 v	-	1.2W (TA)
Cll4749a tr pbfree	0.4000	RFQ	7	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4749		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v									24 v	25 옴
2N5784	-	RFQ	1094	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	To-39	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N5784	귀 99	8541.29.0095	1																					65 v	3.5 a			100µA			NPN	500mv @ 100ma, 1a	20 @ 1a, 2v	-
CMHZ4698 TR	-	RFQ	7692	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmhz4698tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		50 na @ 8.4 v									11 v
CJD3055 TR13 PBFREE	-	RFQ	6891	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-cjd3055tr13pbfreetr	귀 99	8541.29.0095	2,500																					60 v	10 a			50µA			NPN	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
CMKZ5261B BK	-	RFQ	4233	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립														900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v									47 v
CBR1-D020 PBFREE	0.1852	RFQ	2880	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D020	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50															1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a				단일 단일	200 v
CBR1-D060 PBFREE	0.5300	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D060	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50															1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v
CTLSH10-60M856 TR13	-	RFQ	1214	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		TLM856	-				1514-CTLSH10-60M856TR13	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v	670 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
CLL4690 BK 주석/리드	2.1200	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000															1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 4 v									5.6 v
CLL4122 TR	-	RFQ	7221	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL412TR	귀 99	8541.10.0050	1															1 v @ 200 ma		10 NA @ 27.4 v									36 v	200 옴
CMKZ5256B TR	-	RFQ	5947	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립														900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	49 옴
CMHZ4685 TR	-	RFQ	6842	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4685TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 2 v									3.6 v
CMHZ4679 BK	-	RFQ	1117	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4679BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		5 µa @ 1 v									2 v
CBR10F-J040	-	RFQ	5380	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.3 V @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a				단일 단일	400 v
CBRHD-10 TR13 PBFREE	0.6300	RFQ	11	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	CBRHD-10	기준		4-HD 딥	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000															1 V @ 400 mA		5 µa @ 1000 v		500 MA				단일 단일	1kv
CBRHDSH1-200 BK	-	RFQ	3285	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		Schottky		4-HD 딥	다운로드		1 (무제한)		CBRHDSH1-200BK	귀 99	8541.10.0080	350															900 mV @ 1 a		50 µa @ 200 v		1 a				단일 단일	200 v
CBR2-040	-	RFQ	6350	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		1 (무제한)		CBR2-040 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250															1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a				단일 단일	400 v
CZT955 TR PBFREE	0.5700	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	CZT955		3 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																					140 v	4 a			20NA			PNP	360mv @ 300ma, 3a	100 @ 1a, 5V	200MHz
1N5418 TR	-	RFQ	7083	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드				1514-1n5418tr	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v	1.1 v @ 3 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	120pf @ 12v, 1MHz
1N978B TR PBFREE	0.0734	RFQ	5261	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 38.8 v									51 v	125 옴
CPZ28X-CMPZ5254B-CT	-	RFQ	4943	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			350 MW	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ28X-CMPZ5254B-CT	귀 99	8541.10.0040	1															900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									27 v	41 옴
C1Z180B TR	-	RFQ	6640	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1 V @ 500 MA		5 µa @ 136.8 v									180 v	1200 옴
1N5618 BK	-	RFQ	6020	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N5618	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		짐												600 v	1.2 v @ 1 a	2 µs	500 NA @ 600 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	35pf @ 12v, 130khz
CMKZ5231B TR	-	RFQ	6873	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립														900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v									5.1 v	17 옴
CMHZ4678 TR	-	RFQ	9949	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmhz4678tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 1 v									1.8 v
1N5339C tr	-	RFQ	2338	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	-				1514-1n5339ctr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		1 µa @ 2 v									5.6 v	1 옴
CP802-CWDM3011P-WN	-	RFQ	1231	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP802	MOSFET (금속 (()		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-cp802-cwdm3011p-wn	귀 99	8541.29.0040	8,000			p 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 1a, 10V	3V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 8 v	-	-
CLL4691 BK	-	RFQ	2165	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4691BK	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 5 v									6.2 v
CZ5337B BK	-	RFQ	8775	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5337BBK	귀 99	8541.10.0050	500															1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v									4.7 v	2 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²