전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 | 전압- v (VT) | 전류- 양극 게이트에서 누출 (igao) | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6028 PBFREE | 1.2383 | ![]() | 1873 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 6V | 40V | 300MW | 600 MV | 10 na | 25 µA | 150 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4466 TR PBFREE | 0.3465 | ![]() | 3121 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 300 NA @ 8.8 v | 11 v | 6 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4474 BK PBFREE | 0.3465 | ![]() | 4690 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 NA @ 19.2 v | 24 v | 16 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4743A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 1444 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4758A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249B BK PBFREE | 0.0798 | ![]() | 7616 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5931B TR PBFREE | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 13.7 v | 18 v | 12 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRLD1-08 BK | - | ![]() | 2741 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | 기준 | 4-LPDIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 800 v | 1 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP245-MJE15030-CT | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP245 | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | 1 (무제한) | 1514-CP245-MJE15030-CT | 쓸모없는 | 1 | 150 v | 8 a | 100µA | 500mv @ 100ma, 1a | 40 @ 3a, 2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP307V -2N5308 -wn | - | ![]() | 1801 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-cp307v-2n5308 -wn | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 40 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.4V @ 200µA, 200mA | 7000 @ 2MA, 5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3981 BK | - | ![]() | 3973 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 1N3981 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPR5U-040 TR | - | ![]() | 8517 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & t (TB) | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | R-4, 축, | cpr5u | 기준 | GPR-4AM | - | 영향을받지 영향을받지 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 10 ma | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP608-TIP32C-CM | - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | CP608 | 2 w | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP608-TIP32C-CM | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2v @ 375ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP608-2N6475-CT | - | ![]() | 8369 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | CP608 | 40 W. | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP608-2N6475-CT | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 4 a | 1MA | PNP | 2.5V @ 2A, 4A | 15 @ 1.5a, 4v | 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP767V-2N3467-CT | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | CP767V | 1 W. | 주사위 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP767V-2N3467-CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 100NA | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 40 @ 1a, 5V | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW81 TR | - | ![]() | 4962 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-bcw81tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2MA, 5V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ59X -1N968B -WN | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | 1514-CPZ59X-1N968B -WN | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 15.2 v | 20 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4002 tr 00/리드 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | UF4002 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP125 SL sl/리드 | - | ![]() | 4221 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | 팁 125 | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 125 | 65 w | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 5 a | 500NA | npn-달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR6M-L080M 주석/리드 | 1.2700 | ![]() | 401 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, DMM | CBR6M-L080 | 기준 | DMM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CBR6M-L080MTIN/리드 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 800 v | 6 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tn2219a 주석/리드 | 1.5600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-237AA | TN2219 | 2 w | TO-237 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 v | 800 MA | - | npn-달링턴 | - | - | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP406-CWDM3011N-CT | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP406-CWDM3011N-CT | 귀 99 | 8541.29.0040 | 340 | n 채널 | 30 v | 9.93A (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 1a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | - | 1.15W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 TRE TIN/리드 | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1514-pn3646tretin/leadtr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-D060S | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CBR1 | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | 기준 | 4-SMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CBR1-D060S | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 600 v | 1 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP246-PN3646-WN | - | ![]() | 6375 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 1514-CP246-PN3646-Wn | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-100 00/리드 | 1.4800 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CBR1 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, 케이스 | 기준 | 사례 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 1000 v | 1.5 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5559B BK 주석/리드 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 5 w | AX-5W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 1 a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4393-CM | - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 1.8 w | 주사위 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1514-CP206-2N4393-CM | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 400 MV | 14pf @ 20V | 40 v | 5 ma @ 20 v | 500 MV @ 1 NA | 100 옴 | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CET3904EVL TR | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | 250 MW | SOT-883VL | - | 1 (무제한) | 1514-CET3904EVLTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 v | 200 MA | - | NPN | 200mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001VL BK | - | ![]() | 2551 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | MOSFET (금속 (() | SOT-883VL | 다운로드 | 1 (무제한) | 1514-CEDM8001VLBK | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.1V @ 250µA | 0.658 NC @ 4.5 v | 10V | 45 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고