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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CBR10-J080	-	RFQ	7321	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.2 v @ 5 a		10 µa @ 800 v		10 a				단일 단일	800 v
CBR10A-J010	-	RFQ	9918	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	-	-		눈사태		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.2 v @ 5 a		10 µa @ 100 v		10 a				단일 단일	100 v
CBR10F-J020	-	RFQ	6776	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.3 V @ 5 a		10 µa @ 200 v		10 a				단일 단일	200 v
CBR10F-J100	-	RFQ	5472	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.3 V @ 5 a		10 µa @ 1000 v		10 a				단일 단일	1kv
CBR6-020	-	RFQ	8957	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.1 v @ 3 a		10 µa @ 200 v		6 a				단일 단일	200 v
CBR6-040	-	RFQ	9666	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.1 v @ 3 a		10 µa @ 400 v		6 a				단일 단일	400 v
CBR6F-040	-	RFQ	6702	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm				cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1
CEN931	-	RFQ	5587	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			-	-				-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1
2N5320 PBFREE	3.0000	RFQ	316	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			10 W.	To-39	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500																					75 v	2 a			500NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	30 @ 500ma, 4v	50MHz
CP372-WN	-	RFQ	5123	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-cp372-wn	쓸모없는		1
CMKZ5223B TR	-	RFQ	8677	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립														900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v									2.7 v	30 옴
CMZ5917B BK	-	RFQ	5192	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1.5 w	SMA	다운로드		1 (무제한)		CMZ5917BBK	귀 99	8541.10.0050	1,000															1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 1.5 v									4.7 v	5 옴
CMPDM202PH BK	-	RFQ	7469	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-3 3 리드		MOSFET (금속 (()		SOT-23F	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,500			p 채널	20 v	2.3A (TA)	2.5V, 5V	88mohm @ 1.2a, 5V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 5 v	12V	800 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
tip30a pbfree	-	RFQ	6432	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	팁 30		30 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																					60 v	1 a			300µA			PNP	700mv @ 125ma, 1a	40 @ 200ma, 4v	3MHz
CMMSH1-100G TR PBFREE	0.4400	RFQ	111	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	cmmsh1	Schottky		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
CMZ5919B TR13	-	RFQ	9075	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5919		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v									5.6 v	2 옴
CTLDM7002A-M621 BK	-	RFQ	5440	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powervfdfn		MOSFET (금속 (()		TLM621	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	5,000			n 채널	60 v	280MA (TA)	5V, 10V	2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.592 NC @ 4.5 v	40V	50 pf @ 25 v	-	900MW (TA)
CP247-2N6284-CM	-	RFQ	7287	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-			CP247				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP247-2N6284-CM		0000.00.0000	1																									-			-	-	-	-
CR3F-060 TR	-	RFQ	7708	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향		기준		Do-201	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.2 v @ 3 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CMOZ36L TR PBFREE	0.6200	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 155 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ36		250 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		1 µa @ 33 v									36 v	200 옴
CP647-PMD19K100-WN	-	RFQ	5184	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP647			주사위	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0040	1																					100 v	30 a			-			pnp- 달링턴	2.8V @ 60MA, 15a	800 @ 15a, 3v	4MHz
1N4700 BK PBFREE	0.2190	RFQ	4821	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.5 v @ 100 ma		50 na @ 9.8 v									13 v
MPSA18 PBFREE	0.9600	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPSA18		625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,500																					45 v	200 MA			50NA (ICBO)			NPN	300mv @ 5ma, 50ma	500 @ 10ma, 5V	100MHz
CLL4688 BK 주석/리드	2.2100	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000															1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 3 v									4.7 v
CMZ5921B BK PBFREE	0.3345	RFQ	5008	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5921		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800															1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v									6.8 v	2.5 옴
CMZ5945B BK PBFREE	0.1512	RFQ	9220	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5945		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 51.7 v									68 v	120 옴
CP307-MPSA13-CT	-	RFQ	5780	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			625 MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP307-MPSA13-CT	귀 99	8541.21.0075	400																					30 v	500 MA			100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	10000 @ 100MA, 5V	125MHz
SE9300	-	RFQ	7468	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			70 W.	TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400																					60 v	10 a			200µA (ICBO)			npn-달링턴	2.5V @ 150MA, 7.5A	100 @ 7.5a, 3v	-
1N5343C BK	-	RFQ	6333	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	-				1514-1n5343cbk	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		10 µa @ 5.7 v									7.5 v	1.5 옴
CMUDM7004 TR PBFREE	0.6100	RFQ	13	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	CMUDM7004	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널	30 v	450MA (TA)	1.8V, 4.5V	460mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.79 nc @ 4.5 v	8V	45 pf @ 25 v	-	250MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²