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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5242B tr pbfree	0.4100	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	30 옴
CR3-010GPP BK	-	RFQ	7653	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-010GPPBK	귀 99	8541.10.0080	500	짐												100 v	1.2 v @ 3 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CPZ19-1N5255B-CM200	-	RFQ	8764	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	-			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ19-1N5255B-CM200	귀 99	8541.10.0040	1														1.25 V @ 200 ma		100 na @ 21 v							28 v	44 옴
CMHZ4620 TR	-	RFQ	9600	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4620TR	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 1.5 v							3.3 v	1650 옴
1N958B TR PBFREE	0.0734	RFQ	4894	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 5.7 v							7.5 v	5.5 옴
CXT5551 TR PBFREE	1.2200	RFQ	11	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXT5551		1.2 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																				160 v	600 MA	50NA (ICBO)			NPN	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	300MHz
CMSZ5250B TR PBFREE	0.4800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5250		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v							20 v	25 옴
CZ5337D TR	-	RFQ	2783	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5337DTR	귀 99	8541.10.0050	1,400														1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v							4.7 v	2 옴
2N3955	-	RFQ	4879	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									-				2N3955 PBFREE	쓸모없는	0000.00.0000	500
1N5244B Opaque Tr	-	RFQ	8919	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v							14 v	15 옴
2N3708 PBFREE	0.6000	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500																				30 v		100NA (ICBO)			NPN	-	45 @ 1ma, 5V	-
CXT5401E BK	-	RFQ	9679	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			1.2 w	SOT-89	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																				220 v	600 MA	50NA			PNP	150mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 5V	300MHz
CEDM8001 BK PBFREE	0.1842	RFQ	2538	Central Semiconductor Corp	-	상자	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	CEDM8001	MOSFET (금속 (()		SOT-883	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	5,000		p 채널	20 v	100MA (TA)	1.5V, 4V	8ohm @ 10ma, 4v	1.1V @ 250µA	0.66 nc @ 4.5 v	10V	45 pf @ 3 v	-	100MW (TA)
CP188-2N2919-CT	-	RFQ	6395	Central Semiconductor Corp	CP188	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			300MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP188-2N2919-CT	귀 99	8541.29.0040	1																				60 v	30 MA	2NA				350MV @ 100µa, 1mA	150 @ 1ma, 5V
CLL4704 BK	-	RFQ	5911	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4704BK	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 100 ma		50 na @ 12.9 v							17 v
CMSH3-40MA TR13 PBFREE	0.6300	RFQ	286	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH3	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v	500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	280pf @ 4V, 1MHz
1N750A TR PBFREE	0.4600	RFQ	27	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000														1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v							4.7 v	19 옴
TIP47 SL	-	RFQ	9478	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			40 W.	TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																				250 v	1 a	1MA			NPN	1V @ 200MA, 1A	30 @ 300ma, 10V	10MHz
CEN896	-	RFQ	9683	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	CEN8		-	To-78-6	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																				-	-	-			-	-	-	-
CP211-TIP41C-CT	-	RFQ	5970	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-CP211-TIP41C-CT	쓸모없는		1
MD8003	-	RFQ	3566	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	MD800		-	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																				60V	30ma	-			2 NPN (()	-	100 @ 1ma, 10V	260MHz
2N6668 6/리드	1.8431	RFQ	6157	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-	구멍을 구멍을	TO-220-3			65 w	TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																				80 v	10 a	-			pnp- 달링턴	-	-	20MHz
CMOD2004 TR13 PBFREE	0.7000	RFQ	2674	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOD2004	기준		SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												240 v	1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 240 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CMHZ4709C TR	-	RFQ	1956	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4709CTR	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 100 ma		10 na @ 18.2 v							24 v
CMDZ5228B TR PBFREE	0.3600	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5228		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
CMDZ5253B TR PBFREE	0.0610	RFQ	1178	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5253		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v							25 v	35 옴
CMR1U-06M BK PBFREE	0.5655	RFQ	8328	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMR1U-06	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1.4 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CMDZ39L TR PBFREE	0.6800	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ39		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														900 mV @ 10 ma		1 µa @ 36 v							39 v	350 옴
팁 145	-	RFQ	1549	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3			125 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TIP145C	귀 99	8541.29.0095	400																				60 v	10 a	-			PNP	-	1000 @ 5a, 4V	-
CP788X-2N5087-CT20	-	RFQ	4266	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CP788X-2N5087-CT20 PBFREE	귀 99	8541.21.0095	1																				50 v	50 MA	50NA (ICBO)			PNP	300mv @ 1ma, 10ma	250 @ 100µa, 5V	40MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²