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불연속 불연속 제품 (4522)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMHZ5264B TR PBFREE	0.4400	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5264		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 46 v									60 v	170 옴
CMKZ5226B TR	-	RFQ	6654	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v									3.3 v	28 옴
CLL5231C TR	-	RFQ	3166	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 2 v									5.1 v	17 옴
1N4678 BK PBFREE	0.2190	RFQ	2462	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 1 v									1.8 v
2N3054A PBFREE	-	RFQ	1403	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-2n3054apbfree	귀 99	8541.29.0095	1
CMPZ5261B BK PBFREE	0.0709	RFQ	7493	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5261		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,500																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v									47 v	105 옴
CLL4730A BK	-	RFQ	4167	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	800																	1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v									3.9 v	9 옴
CSTB568 BK	-	RFQ	7095	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35	다운로드				1514-CSTB568BK	귀 99	8541.10.0080	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도															2.31 V @ 10 ma			-	10MA	-
1N975B BK PBFREE	0.0734	RFQ	5269	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v									39 v	80 옴
1N5956B tr	-	RFQ	3127	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v									200 v	1200 옴
CXDM6053N TR PBFREE	0.9700	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXDM6053	MOSFET (금속 (()		SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	60 v	5.3A (TA)	4.5V, 10V	41mohm @ 5.3a, 10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 v	20V	920 pf @ 30 v	-	1.2W (TA)
CMZ5334B TR13	-	RFQ	2007	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			2 w	SMC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 1 a		150 µa @ 1 v									3.6 v	3 옴
Cll4749a tr pbfree	0.4000	RFQ	7	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4749		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 18.2 v									24 v	25 옴
CMHZ4698 TR	-	RFQ	7692	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmhz4698tr	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 100 ma		50 na @ 8.4 v									11 v
CBR1-D020 PBFREE	0.1852	RFQ	2880	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D020	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a				단일 단일	200 v
CBR1-D040 PBFREE	0.1884	RFQ	4374	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D040	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 400 v		1 a				단일 단일	400 v
CBR1-D060 PBFREE	0.5300	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D060	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v
CMKZ5261B BK	-	RFQ	4233	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립																900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v									47 v
CJD3055 TR13 PBFREE	-	RFQ	6891	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-cjd3055tr13pbfreetr	귀 99	8541.29.0095	2,500																							60 v	10 a			50µA			NPN	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
2N5784	-	RFQ	1094	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	To-39	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N5784	귀 99	8541.29.0095	1																							65 v	3.5 a			100µA			NPN	500mv @ 100ma, 1a	20 @ 1a, 2v	-
PN2906A TRE PBFREE	-	RFQ	9293	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			625 MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-PN2906ATREPBFREERT	귀 99	8541.21.0075	2,000																							60 v	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	40 @ 500ma, 10V	200MHz
CPZ58X-CMPZ5235B-CT	-	RFQ	3843	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	-				1514-CPZ58X-CMPZ5235B-CT	귀 99	8541.10.0050	1																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v									6.8 v	5 옴
CTLSH10-60M856 TR13	-	RFQ	1214	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	8-powertdfn		Schottky		TLM856	-				1514-CTLSH10-60M856TR13	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		670 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
CLL4690 BK 주석/리드	2.1200	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 4 v									5.6 v
CLL4122 TR	-	RFQ	7221	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL412TR	귀 99	8541.10.0050	1																	1 v @ 200 ma		10 NA @ 27.4 v									36 v	200 옴
CP247-MJ11016-CT	-	RFQ	8037	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-			CP247				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP247-MJ11016-TR		0000.00.0000	1																											-			-	-	-	-
CP647-MJ11015-CT	-	RFQ	7284	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP647			주사위	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0040	36																							120 v	30 a			1MA			pnp- 달링턴	4V @ 300MA, 30A	200 @ 30a, 5V	-
CPD30V -CMLD2838 -WN	-	RFQ	3867	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	주사위		기준		주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cpd30v-cmld2838 -wn	귀 99	8541.10.0040	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	75 v	200ma	1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CED2838E TR	-	RFQ	1523	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-101, SOT-883		기준		SOT-883	다운로드				1514-CED2838etr	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 음극 음극 공통	100 v	200ma	1.1 v @ 100 ma		100 na @ 70 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CTLM3474-M832D TR	-	RFQ	8860	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLM3474		1.65W	tlm832d	다운로드				1514-CTLM3474-M832DTR	귀 99	8541.29.0075	1																							25V	1A			100NA (ICBO)			NPN, PNP	450MV @ 100MA, 1A	100 @ 500ma, 1V	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²