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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 얻다 | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 짐 | 레귤레이터 레귤레이터 (전류) | 전압- 최대 (제한) |
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![]() | BCY59-IX PBFREE | 1.0545 | ![]() | 7977 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | bcy59 | 1 W. | TO-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 2.5ma, 100ma | 630 @ 10ma, 1v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V3 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXT3904 TR PBFREE | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CMXT3904 | 350MW | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200ma | - | 2 NPN (() | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5222B TR | - | ![]() | 6916 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.5 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP49 SL | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 40 W. | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300ma, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1U-02M TR13 PBFREE | 0.9300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMR1U | 기준 | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5559B tr | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 5 w | AX-5W | 다운로드 | 1514-1n5559btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220-8m | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 25 MA | 내부적으로 내부적으로 | 600 v | 8 a | 2.5 v | - | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMJ1000 TR | - | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 실리콘 실리콘 효과 | 표면 표면 | SOD-123F | CMJ1000 | 500MW | SOD-123FL | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-cmj1000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5263B TR PBFREE | 0.0709 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5263 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-12p | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 400 | 20 MA | 1kv | 12 a | 1.5 v | - | 15 MA | 1.6 v | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5233B TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ5233 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2219A PBFREE | 2.4300 | ![]() | 576 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | To-39 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 500 | 40 v | 800 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPD16-CMR1U06M-CT20 | 150.0000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 활동적인 | 표면 표면 | 주사위 | CPD16 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | CPD16-CMR1U06M-CT20 PBFREE | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.4 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5253B tr 주석/리드 | 0.0569 | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | CMSZ5253 | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N959B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 7071 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 50 µa @ 6.2 v | 8.2 v | 6.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmush2-4a tr pbfree | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CMUSH2-4 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | cmush2 | Schottky | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 40 v | 200ma | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 674 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMZ5917B TR13 | - | ![]() | 5496 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | SMA | 다운로드 | 1 (무제한) | CMZ5917BTR13 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR1F-100 BK | 0.0718 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | CR1F-100 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.2 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP788X-BCY70-WN | - | ![]() | 9380 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 주사위 | CP788 | 350 MW | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-cp788x-bcy70-wn | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 200 MA | - | 250mv @ 1ma, 10ma | 60 @ 10µA, 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ22L TR PBFREE | 0.5300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | CMOZ22 | 250 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 20 v | 22 v | 150 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N34A BK | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 기준 | DO-7 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1 v @ 5 ma | 500 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 75 ° C | 50ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4758A TR | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | 멜프 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4916 | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-106-3 | TO-106 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | 30 v | - | PNP | 300mv @ 5ma, 50ma | 70 @ 10ma, 1v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBAT54A TR PBFREE | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CBAT54 | Schottky | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 30 v | 200ma | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6714 7/리드 | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | 2N6714 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-237AA | 1 W. | TO-237 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 60 @ 100MA, 1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6211 | - | ![]() | 5139 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 35 W. | To-66 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-2N6211 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 225 v | 2 a | 5MA | PNP | 1.4V @ 125MA, 1A | 10 @ 1a, 2.8v | 20MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRSH2-4 BK | - | ![]() | 3929 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | Schottky | DO-15 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | 170pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPTH81 BK | - | ![]() | 2044 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225MW | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 20V | 50ma | PNP | 60 @ 5MA, 10V | 600MHz | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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