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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CMPD7000 BK PBFREE | 0.0659 | ![]() | 3968 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD7000 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,500 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 100 v | 200ma | 1.1 v @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N4033 W/GOLD | - | ![]() | 3647 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | To-39 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5242B BK PBFREE | 0.0353 | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-120 TR | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 1514-CR3-120TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1200 v | 1.1 v @ 3 a | 10 µa @ 1200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N2820B PBFREE | - | ![]() | 4235 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 1N2820 | 50 W. | TO-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-1n2820bpbfree | 귀 99 | 8541.10.0050 | 20 | 1.5 V @ 10 a | 5 µa @ 18.2 v | 24 v | 2.6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS28 TR PBFREE | - | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BAS28 | 기준 | SOT-143 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-bas28trpbfreetr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 75 v | 250MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CEDM8001 BK PBFREE | 0.1842 | ![]() | 2538 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.1V @ 250µA | 0.66 nc @ 4.5 v | 10V | 45 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 1N4625 BK PBFREE | 0.4320 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 250 MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 v @ 200 ma | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBAT54A TR PBFREE | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CBAT54 | Schottky | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 30 v | 200ma | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
CBRHD-01 TR13 PBFREE | 0.5800 | ![]() | 243 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | CBRHD-01 | 기준 | 4-HD 딥 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 100 v | 500 MA | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4743A TR PBFREE | 0.0742 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CLL4743 | 1 W. | 멜프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 9.9 v | 13 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4626 BK PBFREE | 0.2190 | ![]() | 3374 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 250 MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 v @ 200 ma | 10 µa @ 4 v | 5.6 v | 1400 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N662A BK | - | ![]() | 7706 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 기준 | DO-7 | - | 1514-1n662ABK | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1 v @ 100 ma | 300 ns | 20 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 150ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5241B BK | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PN4209 | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-PN4209 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 v | 200 MA | 10NA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10MA, 300MV | 850MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMZ5335B BK | - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 2 w | SMC | 다운로드 | 1 (무제한) | CMZ5335BBK | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.9 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4680 TR PBFREE | 0.2190 | ![]() | 9352 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 4 µa @ 1 v | 2.2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMPT5401E BK | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | PNP | 150mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 5V | 300MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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