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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 - 출력	전압	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	현재 -볼리 (IV)	현재 - 피크
CMR1F-04M BK PBFREE	0.1181	RFQ	3031	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMR1F-04	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										400 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CBR1-010	-	RFQ	5602	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		적용 적용 수 할		CBR1-010 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250													1 V @ 1 a		10 µa @ 100 v		1.5 a				단일 단일	100 v
CBR1-040	-	RFQ	1663	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		적용 적용 수 할		CBR1-040 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250													1 V @ 1 a		10 µa @ 400 v		1.5 a				단일 단일	400 v
CBR1-100	-	RFQ	3076	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		적용 적용 수 할		CBR1-100 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250													1 V @ 1 a		10 µa @ 1000 v		1.5 a				단일 단일	1kv
CBRDFSH2-100 TR13	0.6600	RFQ	29	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	4-LDFN	cbrdfsh2	Schottky		4-BR DFN	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000													850 mv @ 2 a		200 µa @ 100 v		2 a				단일 단일	100 v
CBRDFSH2-40 TR13	0.6400	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	4-LDFN	cbrdfsh2	Schottky		4-BR DFN	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000													520 MV @ 2 a		200 µa @ 40 v		2 a				단일 단일	40 v
2N4949	-	RFQ	5297	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는				TO-206AA, TO-18-3 금속 캔					-		적용 적용 수 할			쓸모없는	0000.00.0000	1			3V	-																										2 MA	1 µA
CR3-040GPP BK	-	RFQ	7732	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-040GPPBK	귀 99	8541.10.0080	500		짐										400 v	1.2 v @ 3 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CTLT953-M833 BK	-	RFQ	2625	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드			2.5 w	TLM833	다운로드				1514-CTLT953-M833BK	귀 99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			50NA			PNP	420mv @ 400ma, 4a	100 @ 1a, 1v	150MHz
CMLDM7002AJ TR PBFREE	0.8700	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	CMLDM7002	MOSFET (금속 (()	350MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)				60V	280ma	2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.59NC @ 4.5V	50pf @ 25V	-
CMHZ5242B TR PBFREE	0.7500	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5242		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v									12 v	30 옴
CMSZ5234B TR PBFREE	0.4800	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5234		500MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		5 µa @ 4 v									6.2 v	7 옴
CMFD2004I BK	-	RFQ	1003	Central Semiconductor Corp	*	대부분	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CMFD2004IBK	귀 99	8541.10.0070	1,000
CMPT2907AE TR PBFREE	0.4000	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT2907		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																			60 v	600 MA			10NA (ICBO)			PNP	700mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	200MHz
CMKZ5261B TR	-	RFQ	7159	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립												900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v									47 v
CBR6F-100	-	RFQ	1671	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm				cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1
1N4468 BK PBFREE	0.3465	RFQ	7583	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000															100 na @ 10.4 v									13 v	8 옴
CLL4614 TR	-	RFQ	1107	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-Cll4614tr	귀 99	8541.10.0050	1													1 v @ 200 ma		7.5 µa @ 1 v									1.8 v	1200 옴
CFD4448 TR PBFREE	0.0972	RFQ	5192	Central Semiconductor Corp	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					CFD4448				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000
CMDZ5255B TR PBFREE	0.2550	RFQ	5294	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5255		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									28 v	44 옴
CLL5226B TR	-	RFQ	6981	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500													1.25 V @ 200 ma		25 µa @ 1 v									3.3 v	28 옴
CZ5359B BK PBFREE	0.4526	RFQ	2141	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5359		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	500													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 18.2 v									24 v	3.5 옴
CLL4683 BK	-	RFQ	4537	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4683BK	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 100 ma		800 na @ 1 v									3 v
CP225-2N2218A-WN	-	RFQ	5318	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			800MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP225-2N2218A-WNTB	귀 99	8541.21.0075	1,000																			40 v	800 MA			10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	250MHz
CR3-100GPP BK	-	RFQ	1134	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-100GPPBK	귀 99	8541.10.0080	500		짐										1000 v	1.2 v @ 3 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CMOZ13V TR PBFREE	0.5800	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ13		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v									13 v	30 옴
cyta44d bk	-	RFQ	3989	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-228	cyta44		2W	SOT-228	다운로드				1514-Cyta44dbk	귀 99	8541.29.0095	1																			400V	300ma			500NA			2 NPN (()	750mv @ 5ma, 50ma	50 @ 10ma, 10V	20MHz
CLL5232D BK	-	RFQ	8102	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000													1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 3 v									5.6 v	11 옴
1N5554 BK	-	RFQ	2773	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	1N5554	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1		짐										1000 v	1.1 v @ 10 ma	4 µs	1 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BZX84C5V1 TR PBFREE	0.5000	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v									5.1 v	60 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²