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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
BZX84C3V9 TR PBFREE	0.5000	RFQ	674	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v									3.9 v	90 옴
1N746A BK PBFREE	0.4000	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.5 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v									3.3 v	28 옴
CPZ58X-CMPZ5235B-CT	-	RFQ	3843	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위				주사위	-				1514-CPZ58X-CMPZ5235B-CT	귀 99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v									6.8 v	5 옴
2N5194	-	RFQ	6975	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			40 W.	TO-126	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2N5194cs	귀 99	8541.29.0095	1,000																					60 v	4 a			1MA			PNP	1.4v @ 1a, 4a	25 @ 1.5A, 2V	2MHz
CLLR1-06 TR	-	RFQ	8763	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	DO-213AB, MELF		기준		멜프	-				1514-cllr1-06tr	귀 99	8541.10.0080	1		짐												600 v	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N5943B tr pbfree	-	RFQ	8858	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
BC856BT TR PBFREE	0.4300	RFQ	19	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-89, SOT-490	BC856		250 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																					65 v	100 MA			15NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5ma, 100ma	220 @ 2MA, 5V	100MHz
CMPZ5256B TR PBFREE	0.4600	RFQ	16	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5256		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v									30 v	49 옴
CZ5352B BK PBFREE	0.6118	RFQ	7401	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5352		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	500															1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v									15 v	2.5 옴
CP547-CEN1103-WS	-	RFQ	1124	Central Semiconductor Corp	CP547	쟁반	쓸모없는				표면 표면	주사위				주사위	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
CMR3U-01 BK PBFREE	0.1836	RFQ	5644	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인				표면 표면	DO-214AB, SMC	CMR3U-01	기준		SMC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v	1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CPS053-2N5064 -wn	-	RFQ	7472	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인				표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1
CMJ1500 TR PBFREE	6.2200	RFQ	13	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	실리콘 실리콘 효과	표면 표면	SOD-123F	CMJ1500		500MW	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																																100V	1.72MA	2V
2N5878 PBFREE	-	RFQ	5423	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			150 W.	TO-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20																					80 v	10 a			1MA			NPN	3V @ 2.5A, 10A	20 @ 4a, 4v	4MHz
1N486B tr 틴/리드	0.4300	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												250 v	1 v @ 100 ma		50 na @ 250 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	-
CP788X-BCY70-WN	-	RFQ	9380	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-		표면 표면	주사위	CP788		350 MW	주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-cp788x-bcy70-wn	귀 99	8541.21.0095	1																					45 v	200 MA			-				250mv @ 1ma, 10ma	60 @ 10µA, 1V
CMZ5942B TR13 PBFREE	0.8600	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5942		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v									51 v	70 옴
CTLSH15-30M364 TR13 PBFREE	1.3100	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	3-smd,, 리드	CTLSH15	Schottky		TLM364	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v	560 mV @ 15 a		100 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	920pf @ 4V, 1MHz
CTLSH10-60M856 TR13	-	RFQ	1214	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는				표면 표면	8-powertdfn		Schottky		TLM856	-				1514-CTLSH10-60M856TR13	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v	670 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
CZT3906 TR PBFREE	0.9700	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	CZT3906		2 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																					40 v	200 MA			-			PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
CS65-70m	-	RFQ	1292	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)		스터드 스터드	TO-208AC, TO-65-3, 스터드				To-65	다운로드		적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	1			200 MA		600 v	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	100 MA	3 v	40 a	6 MA	표준 표준
CMJ1000 TR PBFREE	6.2200	RFQ	26	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	실리콘 실리콘 효과	표면 표면	SOD-123F	CMJ1000		500MW	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																																100V	1.32MA	1.7V
CLL4690 BK 주석/리드	2.1200	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000															1.5 v @ 100 ma		10 µa @ 4 v									5.6 v
CMHZ5253B TR PBFREE	0.3600	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SOD-123	CMHZ5253		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v									25 v	35 옴
CBRHD-01 TR13 PBFREE	0.5800	RFQ	243	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 날개	CBRHD-01	기준		4-HD 딥	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000															1 V @ 400 mA		5 µa @ 100 v		500 MA				단일 단일	100 v
CLL5222A BK	-	RFQ	1163	Central Semiconductor Corp	*	대부분	쓸모없는										-				1514-CLL5222ABK	귀 99	8541.10.0050	1
CLL4122 TR	-	RFQ	7221	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL412TR	귀 99	8541.10.0050	1															1 v @ 200 ma		10 NA @ 27.4 v									36 v	200 옴
BU426	-	RFQ	2518	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-		구멍을 구멍을	TO-218-3			115 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																					375 v	6 a			-			NPN	1.5v @ 500ma, 2.5a	-	-
CMSZ5234B TR PBFREE	0.4800	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5234		500MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		5 µa @ 4 v									6.2 v	7 옴
CQ220-8m	-	RFQ	5251	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		25 MA	내부적으로 내부적으로	600 v	8 a	2.5 v	-	50 MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²