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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
CMDZ5255B TR PBFREE	0.2550	RFQ	5294	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5255		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									28 v	44 옴
1N5418 TR	-	RFQ	7083	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드				1514-1n5418tr	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									400 v	1.1 v @ 3 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	120pf @ 12v, 1MHz
CBR1-D060 PBFREE	0.5300	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D060	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50												1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v
CMOZ20V TR PBFREE	0.5800	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ20		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		50 na @ 14 v									20 v	55 옴
CLL4747A TR PBFREE	0.6600	RFQ	104	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4747		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500												1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v									20 v	22 옴
1N4756A tr pbfree	0.0990	RFQ	5096	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000												1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 35.8 v									47 v	80 옴
CMDZ5253B TR PBFREE	0.0610	RFQ	1178	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5253		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v									25 v	35 옴
CMHZ5247B TR PBFREE	0.4500	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5247		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		100 na @ 13 v									17 v	19 옴
1N4755A tr pbfree	0.3900	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000												1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 32.7 v									43 v	70 옴
CP616-2N5160-CM	-	RFQ	8216	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			-	주사위	-				1514-CP616-2N5160-CM	쓸모없는		500			-															40V	400ma						PNP		10 @ 50MA, 5V	500MHz	-
CMDZ4L7 TR PBFREE	0.5800	RFQ	22	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ4		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		1 µa @ 1.5 v									4.7 v	750 옴
CTLDM8120-M832D TR	-	RFQ	4166	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLDM8120	MOSFET (금속 (()	1.65W (TA)	tlm832d	다운로드				1514-CTLDM8120-M832DTR	귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)			20V	860MA (TA)	150mohm @ 950ma, 4.5v	1V @ 250µA	3.56NC @ 10V	200pf @ 16V	논리 논리 게이트
CMPT2907A TR PBFREE	0.7000	RFQ	36	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT2907		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																		60 v	600 MA			10NA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	200MHz
CP710-CMPTA96-CT	-	RFQ	4920	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			350 MW	주사위	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	400																		450 v	500 MA			100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	50 @ 10ma, 10V	20MHz
2N3740	-	RFQ	3497	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			25 W.	To-66	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N3740	귀 99	8541.29.0095	1																		60 v	4 a			1MA				600mv @ 125ma, 1a	40 @ 100ma, 1v	4MHz
CMDZ10L TR PBFREE	0.5600	RFQ	448	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ10		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												1.25 V @ 200 ma		1 µa @ 8 v									10 v	80 옴
CLL4685 BK	-	RFQ	7296	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-CLL4685BK	귀 99	8541.10.0050	1												1.5 v @ 100 ma		7.5 µa @ 2 v									3.6 v
CTLM3474-M832D TR	-	RFQ	8860	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLM3474		1.65W	tlm832d	다운로드				1514-CTLM3474-M832DTR	귀 99	8541.29.0075	1																		25V	1A			100NA (ICBO)			NPN, PNP	450MV @ 100MA, 1A	100 @ 500ma, 1V	100MHz
CXT5401E BK	-	RFQ	9679	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			1.2 w	SOT-89	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																		220 v	600 MA			50NA			PNP	150mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 5V	300MHz
1N5352B tr	-	RFQ	7955	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5352btr	귀 99	8541.10.0050	1												1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v									15 v	2.5 옴
CMSZ5251B TR	-	RFQ	6035	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5251		275 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v									22 v	29 옴
CLL4740A TR PBFREE	0.4000	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4740		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500												1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7.6 v									10 v	7 옴
CN647 TR	-	RFQ	4147	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000		짐									400 v	1 V @ 400 mA		200 na @ 400 v	-65 ° C ~ 150 ° C	400ma	11pf @ 12v, 1MHz
CMUSH2-4L BK	-	RFQ	5968	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-89, SOT-490	cmush2	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-cmush2-4lbk	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									40 v	500 mV @ 200 mA	5 ns	50 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	8.5pf @ 4V, 1MHz
CMKZ5261B BK	-	RFQ	4233	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립											900 mV @ 10 ma		100 na @ 36 v									47 v
2N6724-18 주석/리드	1.5200	RFQ	501	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-237AA			2 w	TO-237	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000																		40 v	2 a			100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 2MA, 1A	25000 @ 200ma, 5V	1GHz
1N4480 TR PBFREE	0.3465	RFQ	1259	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000														50 na @ 34.4 v									43 v	40
CJD3055 TR13 PBFREE	-	RFQ	6891	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-cjd3055tr13pbfreetr	귀 99	8541.29.0095	2,500																		60 v	10 a			50µA			NPN	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4a, 4v	2MHz
CMZ5956B BK PBFREE	0.2315	RFQ	9333	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5956		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800												1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v									200 v	1200 옴
CMZ2361 TR	-	RFQ	5150	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmz2361tr	귀 99	8541.10.0070	1		짐									20 v	1.44 V @ 10 ma		10 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10MA	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²