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![]() | CUD3-02 TR13 PBFREE | 1.0200 | ![]() | 6506 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | CUD3-02 | 기준 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.25 V @ 12 a | 35 ns | 20 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1776A | - | ![]() | 5199 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-208AB, TO-64-3, 스터드 | To-64 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-2N1776A | 귀 99 | 8541.30.0080 | 100 | 25 MA | 300 v | 7.4 a | 2 v | 60A @ 60Hz | 15 MA | 1.85 v | 4.7 a | 4 MA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4002 TR | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | UF4002 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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CMR1F-10M TR13 PBFREE | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMR1F-10 | 기준 | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMKZ5241B TR | - | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4678 BK PBFREE | 0.2190 | ![]() | 2462 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 100 ma | 7.5 µa @ 1 v | 1.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CS3P-40m | - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5265B tr 주석/리드 | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 47 v | 62 v | 185 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3811A | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N3811 | 600MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50ma | 10NA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 1ma, 100µa | 300 @ 1ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmush2-4a tr pbfree | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CMUSH2-4 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | cmush2 | Schottky | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 40 v | 200ma | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
CMSH3-40M BK PBFREE | 0.2155 | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CMSH3 | Schottky | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 167pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
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CMR1U-06 BK PBFREE | 0.2325 | ![]() | 4346 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CMR1U-06 | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
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