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불연속 불연속 제품 (4522)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMZ5924B TR13 PBFREE	0.8600	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5924		1.5 w	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 7 v									9.1 v	4 옴
1N4762A BK	-	RFQ	5860	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	2,000																	1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 62.2 v									82 v	200 옴
CMHZ4698 TR	-	RFQ	7692	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmhz4698tr	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 100 ma		50 na @ 8.4 v									11 v
CP219-2N5338 -wn	-	RFQ	3904	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1																							100 v	5 a			100µA			NPN	1.2v @ 500ma, 5a	30 @ 2a, 2v	30MHz
CMDZ5241B BK PBFREE	0.0610	RFQ	2054	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5241		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 8.4 v									11 v	22 옴
2N4916	-	RFQ	6468	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-106-3				TO-106	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,500																							30 v				-			PNP	300mv @ 5ma, 50ma	70 @ 10ma, 1v	400MHz
CZT5401 BK PBFREE	0.5883	RFQ	9020	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	CZT5401		2 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	350																							150 v	600 MA			50NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	60 @ 10ma, 5V	300MHz
CXDM1002N TR PBFREE	1.0400	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXDM1002	MOSFET (금속 (()		SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	100 v	2A (TA)	4.5V, 10V	300mohm @ 2a, 10V	2.5V @ 250µA	6 nc @ 5 v	20V	550 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)
CMSSH-3 TR PBFREE	0.7000	RFQ	983	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSSH-3	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C	100ma	7pf @ 1v, 1MHz
CR250F-3 BK	-	RFQ	6845	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	축		기준		축	-				1514-CR250F-3BK	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													3000 v		6.75 V @ 250 Ma	200 ns	1 µa @ 3000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	250ma	-
CXTA14 TR PBFREE	0.9400	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXTA14		1.2 w	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																							30 v	500 MA			100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	20000 @ 100MA, 5V	125MHz
CMSZ5257B BK	-	RFQ	2529	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5257		275 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v									33 v	58 옴
CMPD3003S BK PBFREE	0.2678	RFQ	1535	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD3003	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,500		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												1 연결 연결 시리즈	180 v	200ma	1.1 v @ 200 ma		10 na @ 180 v	-65 ° C ~ 150 ° C
TIP29B PBFREE	0.6296	RFQ	2859	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	29		30 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																							80 v	1 a			300µA			NPN	700mv @ 125ma, 1a	40 @ 200ma, 4v	3MHz
CRSH2-6 BK	-	RFQ	7199	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		Schottky		DO-15	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
1N4729A tr	-	RFQ	7254	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v									3.6 v	10 옴
CMPT8099 TR PBFREE	0.4400	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT8099		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																							80 v	500 MA			100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 10ma, 100ma	100 @ 1ma, 5V	150MHz
CMPZ5224B TR PBFREE	0.0709	RFQ	5012	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5224		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v									2.8 v	30 옴
CTLT5551-M832D TR	-	RFQ	6214	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-tdfn n 패드	CTLT5551		1.65W	tlm832d	다운로드				1514-CTLT5551-M832DTR	귀 99	8541.29.0075	1																							160V	600ma			50NA (ICBO)			2 NPN (()	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	100MHz
1N4003 BK	-	RFQ	7586	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐													200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CPZ18-1N4680-CT	-	RFQ	1674	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-	-	표면 표면	주사위				주사위	-			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ18-1N4680-CT	귀 99	8541.10.0040	1
CP327V -2N5308 -wn	-	RFQ	3597	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP327V-2N5308 -wn	귀 99	8541.21.0040	1																							40 v	300 MA			100NA (ICBO)			npn-달링턴	1.4V @ 200µA, 200mA	7000 @ 2MA, 5V	60MHz
CMLDM7002AJ TR PBFREE	0.8700	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	CMLDM7002	MOSFET (금속 (()	350MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	280ma		2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.59NC @ 4.5V		50pf @ 25V	-
CMHZ4694C TR	-	RFQ	4338	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4694CTR	귀 99	8541.10.0050	1																	1.5 v @ 100 ma		1 µa @ 6.2 v									8.2 v
CMPD2004S BK PBFREE	0.1293	RFQ	3384	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD2004	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 연결 연결 시리즈	240 v	225MA (DC)	1 v @ 100 ma	50 ns	100 na @ 240 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5248B tr pbfree	0.4200	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.1 v @ 200 ma		100 na @ 14 v									18 v	21 옴
CBR1-D020 PBFREE	0.1852	RFQ	2880	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D020	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a				단일 단일	200 v
CBR1-D040 PBFREE	0.1884	RFQ	4374	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D040	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 400 v		1 a				단일 단일	400 v
CMDZ5255B TR PBFREE	0.2550	RFQ	5294	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5255		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v									28 v	44 옴
CBR1-D060 PBFREE	0.5300	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	튜브	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm)	CBR1-D060	기준		4-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a				단일 단일	600 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²