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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TIP117 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TIP117 TIN// 0.7250
RFQ
ECAD 8808 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 마지막으로 마지막으로 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip117 TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 tip117cs 귀 99 8541.29.0095 50 100 v - pnp- 달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v 25MHz
BCW31 TR Central Semiconductor Corp BCW31 TR -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-bcw31tr 귀 99 8541.21.0095 1 20 v 100 MA - NPN 250mv @ 500µa, 10ma 110 @ 2MA, 5V 4MHz
1N4004 BK Central Semiconductor Corp 1N4004 BK -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 400 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
CMHZ4697 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ4697 TR PBFREE 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CMHZ4697 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 100 ma 1 µa @ 7.6 v 10 v
CMKZ5222B TR Central Semiconductor Corp CMKZ5222B TR -
RFQ
ECAD 6916 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
1N5245B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5245B TR PBFREE 0.4100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
BC546A PBFREE Central Semiconductor Corp BC546A PBFREE 0.2536
RFQ
ECAD 6016 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 80 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
CP647-2N6287-CT Central Semiconductor Corp CP647-2N6287-CT -
RFQ
ECAD 9223 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 주사위 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 36 100 v 20 a 1MA pnp- 달링턴 3v @ 200ma, 20a 4MHz
CLL4763A TR Central Semiconductor Corp CLL4763A TR -
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. 멜프 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
1N5223B BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1N5223B bk 주석/리드 0.0431
RFQ
ECAD 2356 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
CP547-PMD19K100-WS Central Semiconductor Corp CP547-PMD19K100-WS -
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 Central Semiconductor Corp CP547 쟁반 쓸모없는 표면 표면 주사위 주사위 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 400
CEN1372 TR Central Semiconductor Corp CEN1372 TR -
RFQ
ECAD 8619 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - 1 (무제한) CEN1372TR 쓸모없는 0000.00.0000 1 - - - - -
CMUT5088E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMUT5088E TR PBFREE 0.6000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 CMUT5088 350 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 110mv @ 10ma, 100ma 430 @ 100µa, 5V 100MHz
CMPZ5241B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZ5241B TR PBFREE 0.7100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPZ5241 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
CMHZ5264B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ5264B TR PBFREE 0.4400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 CMHZ5264 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
CP788X-BC556B-WN Central Semiconductor Corp CP788X-BC556B-WN -
RFQ
ECAD 6343 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - 표면 표면 주사위 CP788 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1514-cp788x-bc556b-wn 귀 99 8541.21.0040 1 - - -
CLL914 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CLL914 TR PBFREE 0.3900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL914 기준 SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 200 ° C 250ma 4pf @ 0V, 1MHz
CP210-CEN1308-CT Central Semiconductor Corp CP210-CEN1308-CT -
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 - - 1514-CP210-CEN1308-CT 쓸모없는 1 - -
CMHZ4625 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMHZ4625 BK 주석/리드 -
RFQ
ECAD 9258 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-CMHZ4625BKTIN/리드 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 µa @ 3 v 5.1 v 1500 옴
CQ220I-100 Central Semiconductor Corp CQ220I-100 -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Central Semiconductor Corp * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR -
RFQ
ECAD 6530 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-tdfn n 패드 CTLDM303N MOSFET (금속 (() 1.65W TLM832DS 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.6a 40mohm @ 1.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 13NC @ 4.5V 590pf @ 10V -
CMPTH81 BK Central Semiconductor Corp CMPTH81 BK -
RFQ
ECAD 2044 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225MW SOT-23 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 - 20V 50ma PNP 60 @ 5MA, 10V 600MHz -
CMLSH05-10DA TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLSH05-10DA TR PBFREE 0.5600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 CMLSH05 Schottky SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 500ma 850 mV @ 500 mA 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
CMZ5336B BK Central Semiconductor Corp CMZ5336B BK -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 2 w SMC 다운로드 1 (무제한) CMZ5336BBK 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
CMLZDA3V3 TR Central Semiconductor Corp CMLZDA3V3 TR -
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 250 MW SOT-563 다운로드 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 1 양극 양극 공통 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
1N4461 TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4461 TR PBFREE 0.3465
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 4.08 v 6.8 v 2.5 옴
CMHZ4690 BK Central Semiconductor Corp CMHZ4690 BK -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-CMHZ4690BK 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v
CLL4736A BK PBFREE Central Semiconductor Corp CLL4736A BK PBFREE 0.0742
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CLL4736 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 800 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
CMPTA64 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPTA64 TR PBFREE 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPTA64 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
2N7002 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 2N7002 BK PBFREE 0.0959
RFQ
ECAD 9092 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 상자 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.59 nc @ 4.5 v 40V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고