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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CMHZ4709C TR	-	RFQ	1956	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4709CTR	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 100 ma		10 na @ 18.2 v							24 v
CTLHR10-06 TR13 PBFREE	1.8300	RFQ	29	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	3-smd,, 리드	CTLHR10	기준		TLM364	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											600 v		1.7 V @ 10 a	25 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	42pf @ 4V, 1MHz
CZT2222A BK PBFREE	0.4611	RFQ	2862	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	CZT2222		2 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	350																					40 v	600 MA	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
1N5236B BK PBFREE	0.0353	RFQ	4508	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6 v							7.5 v	6 옴
CET3906E TR PBFREE	0.4900	RFQ	12	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	CET3906		250 MW	SOT-883	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	8,000																					40 v	200 MA	-			PNP	200mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	300MHz
TIP33C	-	RFQ	7938	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3			80 W.	TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	tip33ccs	귀 99	8541.29.0095	100																					100 v	10 a	-			NPN	-	100 @ 3a, 4v	3MHz
CMDD6263 TR PBFREE	0.2835	RFQ	2972	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDD6263	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											70 v		410 mV @ 1 ma	5 ns	200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	15MA	2pf @ 0V, 1MHz
1N5551 TR	-	RFQ	8548	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	1N5551	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1		짐											400 v		1 V @ 3 a	2 µs	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	-
2N2914	-	RFQ	2837	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N291		600MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																					45V	30ma	-			2 NPN (()	-	150 @ 10µA, 5V	60MHz
CQ202-4m	-	RFQ	2022	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2				TO-202	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		25 MA	내부적으로 내부적으로	600 v	4 a	2.5 v	-	50 MA
CMDZ5260B TR PBFREE	0.3600	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5260		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		100 na @ 33 v							43 v	93 옴
CSHD3-60 TR13 PBFREE	0.8800	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CSHD3	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											60 v		750 mV @ 3 a		30 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CQ220-25B	-	RFQ	7828	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		50 MA	내부적으로 내부적으로	200 v	25 a	2.5 v	-	60 MA
1N750A TR PBFREE	0.4600	RFQ	27	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v							4.7 v	19 옴
CS220-8D	-	RFQ	6930	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	400			20 MA		400 v	8 a	1.5 v	60A @ 50Hz	15 MA	1.8 v	표준 표준
CP327V-CZTA27-CT	-	RFQ	8760	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP327			주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP327V-CZTA27-CT	귀 99	8541.21.0040	400																					60 v	500 MA	500NA			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	10000 @ 100MA, 5V	125MHz
1N5937B TR PBFREE	-	RFQ	6392	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 25.1 v							33 v	33 옴
MPS3415 4/리드	1.4475	RFQ	2699	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPS3415		625 MW	To-92	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,500																					25 v	500 MA	100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 3ma, 50ma	180 @ 2MA, 4.5V	-
1N5362B BK	-	RFQ	7738	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5362bbk	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v							28 v	6 옴
CMPD2003C tr 주석/리드	0.0868	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD2003	기준		SOT-23	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도										1 음극 음극 공통	200 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
J203-18	-	RFQ	5551	Central Semiconductor Corp	*	대부분	쓸모없는									-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	8536.69.4040	1
CP206-2N4392-CM	-	RFQ	2591	Central Semiconductor Corp	*	쟁반	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP206-2N4392-CM	쓸모없는		400
1N5273B BK	-	RFQ	6926	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 91 v							120 v	900 옴
CMDZ5235B TR PBFREE	0.5200	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5235		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v							6.8 v	5 옴
CMZ5918C BK	-	RFQ	8629	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			5 w	SMA	-				1514-CMZ5918CBK	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 1 a
CMR1-02 TR13 PBFREE	0.6500	RFQ	92	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CMR1-02	기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
CMHD4448 TR PBFREE	0.7300	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CMHD4448	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											75 v		1 v @ 100 ma	4 ns	25 na @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	250ma	4pf @ 0V, 1MHz
CLL5260B TR PBFREE	0.3500	RFQ	11	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CLL5260		500MW	SOD-80	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1.25 V @ 200 ma		100 na @ 33 v							43 v	93 옴
CR3-080GPP BK	-	RFQ	7982	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-080GPPBK	귀 99	8541.10.0080	500		짐											800 v		1.1 v @ 3 a		10 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	25pf @ 4V, 1MHz
TIP32A PBFREE	0.6296	RFQ	3518	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	팁 32		40 W.	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																					60 v	3 a	300µA			PNP	1.2v @ 375ma, 3a	25 @ 1a, 4v	3MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²