RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (4522)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
CMDZ5235B BK PBFREE	0.1727	RFQ	2089	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5235		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v									6.8 v	5 옴
CMHZ5236B TR PBFREE	0.3600	RFQ	17	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SOD-123	CMHZ5236		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6 v									7.5 v	6 옴
1N5940B TR PBFREE	-	RFQ	3055	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v									43 v	53
1N5278B BK	-	RFQ	9296	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 129 v									170 v	1900 옴
1N4622 BK PBFREE	0.2190	RFQ	6296	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			250 MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500															1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v									3.9 v	1650 옴
CLL5229D BK	-	RFQ	6380	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	4,000															1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	22 옴
CMHZ5245B BK PBFREE	0.0900	RFQ	1747	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C		표면 표면	SOD-123	CMHZ5245		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,500															900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v									15 v	16 옴
CMZ5938B TR13 PBFREE	0.6500	RFQ	6941	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5938		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 27.4 v									36 v	38 옴
CZ5335B BK	-	RFQ	3926	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5335BBK	귀 99	8541.10.0050	500															1.2 v @ 1 a		50 µa @ 1 v									3.9 v	2 옴
CMOZ18L TR PBFREE	0.5600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ18		250 MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		1 µa @ 16 v									18 v	100 옴
1N5247B tr pbfree	0.0353	RFQ	9142	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 13 v									17 v	19 옴
1N5277B BK	-	RFQ	6008	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 122 v									160 v	1700 옴
CBR10F-J040	-	RFQ	5380	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-		구멍을 구멍을	4- 스퀘어, cm		기준		cm	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1															1.3 V @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a				단일 단일	400 v
CMDZ5L1 TR PBFREE	0.5000	RFQ	7	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma		1 µa @ 1.5 v									5.1 v	400 옴
PN3646-18	-	RFQ	8007	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는										다운로드		1 (무제한)		1514-PN3646-18	귀 99	8541.21.0075	1
TIP41 PBFREE	0.6296	RFQ	5087	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3	팁 41		65 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50																					40 v	6 a			700µA			NPN	1.5V @ 600MA, 6A	30 @ 300ma, 4v	3MHz
CEN1232 BK	-	RFQ	2092	Central Semiconductor Corp	*	대부분	쓸모없는										-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
CMPDM203NH BK	-	RFQ	2794	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-3 3 리드		MOSFET (금속 (()		SOT-23F	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	3,500		n 채널		20 v	3.2A (TA)	2.5V, 4.5V	50mohm @ 1.6a, 4.5v	1.2V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	12V	395 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
CMPDM7002AG TR PBFREE	0.5100	RFQ	147	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPDM7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		60 v	280MA (TA)	5V, 10V	2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA		40V	50 pf @ 25 v	-	350MW (TA)
CEN1181	-	RFQ	7371	Central Semiconductor Corp	*	튜브	쓸모없는										-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CEN1181	쓸모없는		30
CP388X-BC546B-WR	-	RFQ	6455	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위	CP388		500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1514-CP388X-BC546B-WR	귀 99	8541.21.0095	1																					65 v	100 MA			15NA (ICBO)				600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V
CP307-CZTA27-CT	-	RFQ	3144	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP307-CZTA27-CT	쓸모없는	0000.00.0000	400																					60 v	500 MA			500NA			npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	10000 @ 10ma, 5V	125MHz
CP188-2N2919-CT	-	RFQ	6395	Central Semiconductor Corp	CP188	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위			300MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP188-2N2919-CT	귀 99	8541.29.0040	1																					60 v	30 MA			2NA				350MV @ 100µa, 1mA	150 @ 1ma, 5V
2N6211	-	RFQ	5139	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			35 W.	To-66	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-2N6211	귀 99	8541.29.0095	30																					225 v	2 a			5MA			PNP	1.4V @ 125MA, 1A	10 @ 1a, 2.8v	20MHz
CP188-2N5088-CT	-	RFQ	6807	Central Semiconductor Corp	CP188	쟁반	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	주사위			625 MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP188-2N5088-CT	귀 99	8541.29.0040	1																					30 v	50 MA			50NA (ICBO)				500mv @ 1ma, 10ma	350 @ 1ma, 5V
cllr1u-01 tr 틴/리드	0.5300	RFQ	824	Central Semiconductor Corp	cllr1u	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	DO-213AB, MELF	cllr1	기준		멜프	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CMJH180 TR PBFREE	6.5000	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	실리콘 실리콘 효과	표면 표면	SOD-123F	CMJH180		500MW	SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000																																	50V	20MA	4.6v
CP229-2N5109 -wn	-	RFQ	2179	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	주사위			-	주사위	-				1514-cp229-2n5109 -wn	쓸모없는		500			11db																		20V	400ma						NPN		40 @ 50MA, 15V	1.2GHz	3DB @ 200MHz
BSX62-10	-	RFQ	1513	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			5 w	To-39	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-BSX62-10	귀 99	8541.29.0095	1																					40 v	3 a			100NA (ICBO)			NPN	800mv @ 200ma, 2a	63 @ 1a, 1v	30MHz
CEN1179	-	RFQ	3987	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-						-		-				1514-CEN1179	쓸모없는		500			-																		-	-						-		-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²