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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
2N5912	-	RFQ	4940	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N591		-	To-78-6	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																	-	-	-			-	-	-	-
1N4622 TR PBFREE	0.2190	RFQ	8809	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			250 MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000											1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v							3.9 v	1650 옴
1N5994B TR PBFREE	-	RFQ	7737	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000											1.5 v @ 100 ma		2 µa @ 3 v							5.6 v	25 옴
CMKZ5258B BK	-	RFQ	7335	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립										900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v							36 v	70 옴
2N2218A PBFREE	2.1500	RFQ	283	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			800MW	To-39	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	500																	40 v	800 MA	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	250MHz
CLL4755A TR	-	RFQ	5528	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 32.7 v							43 v	70 옴
CMHZ5259B TR PBFREE	0.4500	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5259		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000											900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v							39 v	80 옴
CMPT2369 TR PBFREE	0.3900	RFQ	35	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT2369		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	15 v	500 MA	400NA (ICBO)			NPN	250mv @ 1ma, 10ma	40 @ 10ma, 1v	500MHz
CMR3-06 BK PBFREE	0.4661	RFQ	9203	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CMR3-06	기준		SMC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200		짐								600 v	1.2 v @ 3 a		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CP611-2N5955-CT	-	RFQ	1157	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	CP611		40 W.	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CP611-2N5955-CT	귀 99	8541.29.0095	1																	60 v	6 a	1MA			PNP	2V @ 1.2A, 6A	20 @ 2.5a, 4v	5MHz
1N649 BK	-	RFQ	3088	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향		기준		DO-7	-				1514-1n649BK	귀 99	8541.10.0070	1		짐								600 v	1 V @ 400 mA		200 na @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	400ma	5pf @ 12v, 1MHz
MD2905	-	RFQ	5154	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	MD290		-	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																	60V	600ma	-			2 PNP (()	-	100 @ 150ma, 10V	200MHz
CPD24-CMR1F06M-CT20	150.0000	RFQ	23	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	CPD24	기준		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CPD24-CMR1F06M-CT20 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								600 v	1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CMMR1-10 TR PBFREE	0.6500	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	CMMR1	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐								1000 v	1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1MHz
CLL4116 TR	-	RFQ	5671	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드				1514-cll4116tr	귀 99	8541.10.0050	1											1 v @ 200 ma		10 na @ 18.3 v							24 v	200 옴
CMPSH1-4 TR PBFREE	-	RFQ	7944	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-23-3 3 리드	CMPSH1	Schottky		SOT-23F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								40 v	620 MV @ 1.5 a	12 ns	100 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75A	25pf @ 25V, 1MHz
2N6316 PBFREE	-	RFQ	2277	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-2n6316pbfree	귀 99	8541.29.0095	1
CR3-060 BK	-	RFQ	5212	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드				1514-CR3-060BK	귀 99	8541.10.0080	1		짐								600 v	1.1 v @ 3 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	25pf @ 4V, 1MHz
CLL4757A BK	-	RFQ	6042	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	800											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 38.8 v							51 v	95 옴
cmszda11v tr pbfree	0.5100	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZDA11		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통										900 mV @ 10 ma		100 µa @ 8 v							11 v	20 옴
CMSH1-150HE TR13 PBFREE	0.7000	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH1	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								150 v	900 mV @ 1 a		50 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CQ92M	-	RFQ	4383	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				To-92-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		5 MA	내부적으로 내부적으로	600 v	1 a	2 v	-	5 MA
CMR3U-10 TR13 PBFREE	1.6300	RFQ	2165	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CMR3U-10	기준		SMC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								1000 v	1.7 V @ 3 a	100 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
2N4238	-	RFQ	2748	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			6 w	To-39	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-2N4238	귀 99	8541.29.0095	1																	60 v	3 a	700µA			PNP	600mv @ 100ma, 1a	30 @ 500ma, 1V	3MHz
BDV64	-	RFQ	6723	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-218-3			125 w	TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1																	60 v	12 a	-			PNP	-	1000 @ 5a, 4V	60MHz
CJD42C TR13 PBFREE	-	RFQ	6337	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CJD42		1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500																	100 v	6 a	50µA			PNP	1.5V @ 600MA, 6A	15 @ 3a, 4v	3MHz
CRSH2-5 BK	-	RFQ	1052	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		Schottky		DO-15	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								50 v	700 mv @ 2 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
CPS053-2N5064-CT	-	RFQ	1103	Central Semiconductor Corp	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위				주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	400
CMKZ5228B TR	-	RFQ	1768	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립										900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v							3.9 v	23 옴
TIP36C ~ 247	-	RFQ	2075	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3			125 w	TO-247	다운로드				1514-TIP36CTO-247	쓸모없는		1																	100 v	25 a	1MA			NPN	4V @ 5A, 25A	25 @ 1.5A, 4V	2MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²