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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CMHZ4104 BK | - | ![]() | 7388 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CMHZ4104BK | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 100 ma | 1 µa @ 7.6 v | 10 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5232B TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ5232 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 11 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CFSH01-30 TR | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-882 | CFSH01 | Schottky | SOD-882 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 460 mV @ 10 ma | 300 na @ 10 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 100ma | 7pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971B BK PBFREE | 0.0734 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 41 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMWSH-4 TR | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | Schottky | SOT-343 | 다운로드 | 1514-CMWSH-4TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 40 v | 100MA (DC) | 600 mv @ 100 ma | 5 ns | 5 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4715 BK 주석/리드 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.5 v @ 100 ma | 10 NA @ 27.3 v | 36 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW83C | - | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | 130 W. | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BDW83CC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 15 a | - | NPN | - | 750 @ 6a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ4101 TR | - | ![]() | 6842 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | cmpz4101tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.3 v | 8.2 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1-06M TR13 PBFREE | 0.6200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMR1-06 | 기준 | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936 BK PBFREE | 0.0725 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 v | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPTA06 TR PBFREE | 0.7400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPTA06 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7003 TR | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLDM7003 | MOSFET (금속 (() | 350MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 50V | 280ma | 2ohm @ 50ma, 5V | 1V @ 250µA | 0.76NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2721 | - | ![]() | 8177 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N272 | - | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5233B BK | - | ![]() | 6039 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4448 TR PBFREE | 0.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CLL4448 | 기준 | SOD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 75 v | 1 v @ 100 ma | 4 ns | 25 na @ 20 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 250ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832DS TR | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-tdfn n 패드 | CTLDM8120 | MOSFET (금속 (() | 1.65W | TLM832DS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 860MA (TA) | 150mohm @ 950ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 4.5V | 200pf @ 16V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222A PBFREE | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2222 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 v | 800 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP304V-MPSA06-CT | - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0040 | 400 | 80 v | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C4V7 TR PBFREE | 0.4600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR2U-04 BK PBFREE | 0.1455 | ![]() | 5823 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CMR2U-04 | 기준 | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5246B tr pbfree | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5237B BK PBFREE | 0.0519 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CLL5237 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.2 v | 8 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4689 TR PBFREE | 0.2190 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSH3-20 TR13 PBFREE | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CMSH3 | Schottky | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSDD-16M TR13 | - | ![]() | 2010 년 년 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | CSDD-16MTR13 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 800 | 20 MA | 600 v | 16 a | 1.5 v | 160A @ 60Hz | 15 MA | 1.6 v | 32 a | 10 µA | 민감한 민감한 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-005GPP TR | - | ![]() | 6626 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 1 (무제한) | CR3-005GPTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 짐 | 50 v | 1.2 v @ 3 a | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CQ202-4B | - | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-202 긴 2 | TO-202 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 500 | 하나의 | 25 MA | 내부적으로 내부적으로 | 200 v | 4 a | 2.5 v | - | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5248B TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CLL5248 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4763A BK | - | ![]() | 4945 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 69.2 v | 91 v | 250 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7001 BK PBFREE | 0.1934 | ![]() | 8215 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CEDM7001 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 3ohm @ 10ma, 4v | 900MV @ 250µA | 0.57 NC @ 4.5 v | 10V | 9 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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