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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
CLL5265B TR	-	RFQ	8697	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500																											1.25 V @ 200 ma		100 na @ 47 v							62 v	185 옴
CMHZ5231B BK PBFREE	0.0929	RFQ	6392	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	150 ° C	표면 표면	SOD-123	CMHZ5231		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,500																											900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v							5.1 v	17 옴
CN646 BK	-	RFQ	7289	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,000		짐																							300 v		1 V @ 400 mA		200 na @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	400ma	11pf @ 12v, 1MHz
팁 125	-	RFQ	6546	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TIP125C	귀 99	8541.29.0095	400																																	60 v		500µA			pnp- 달링턴	4V @ 20MA, 5A	1000 @ 3A, 3V	4MHz
CMDZ5255B BK PBFREE	0.2550	RFQ	4877	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5255		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																											900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v							28 v	44 옴
1N5935B TR PBFREE	-	RFQ	6452	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000																											1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 20.6 v							27 v	23 옴
CMPZ5239B TR PBFREE	0.4800	RFQ	525	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5239		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																											900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
tip112	-	RFQ	9631	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			50 W.	TO-220-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-TIP112	쓸모없는		1																																	100 v	2 a	2MA			npn-달링턴	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1a, 4v	25MHz
CMKZ5224B TR	-	RFQ	1180	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																										900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v							2.8 v	30 옴
1N829A DO-7 BK	-	RFQ	1724	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드				1514-1n829ADO-7BK	귀 99	8541.10.0050	1																																				6.2 v	10 옴
CS223-2M TR	-	RFQ	6503	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-50 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				SOT-223	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000				2 MA												600 v	2 a	800 MV	10A @ 50Hz	200 µA	1.7 v	10 µA	표준 표준
CS220-8B	-	RFQ	2645	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3				TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	400				20 MA												200 v	8 a	1.5 v	60A @ 50Hz	15 MA	1.8 v		표준 표준
CQ3P-25B	-	RFQ	3625	Central Semiconductor Corp	*	튜브	쓸모없는									다운로드		공급 공급 정의되지 업체는			쓸모없는	0000.00.0000	1
CMZ5940B TR13 PBFREE	0.8600	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5940		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																											1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v							43 v	53
CMDZ5258B TR PBFREE	0.3600	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5258		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																											900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v							36 v	70 옴
MPSA63 PBFREE	0.5200	RFQ	14	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPSA63		625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,500																																	20 v	500 MA	100NA (ICBO)			pnp- 달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	10000 @ 100MA, 5V	125MHz
1N4462 BK PBFREE	0.3465	RFQ	5637	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000																													1 µa @ 4.5 v							7.5 v	2.5 옴
CJD45H11 TR13	-	RFQ	9823	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CJD45		1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500																																	80 v	8 a	10µA			PNP	1V @ 400MA, 8A	40 @ 4a, 1v	50MHz
CLL4729C TR	-	RFQ	3011	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1,500																											1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v							3.6 v	10 옴
CMKZ5257B TR	-	RFQ	3941	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립																										900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v							33 v	58 옴
CR1F-100 TR	0.0718	RFQ	4976	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	CR1F-100	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																							1000 v		1.2 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	-
CLL4709C BK	-	RFQ	5373	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			5 w	SOD-80	다운로드				1514-CLL4709CBK	귀 99	8541.10.0050	1																											1.2 v @ 1 a
CUD6-02C TR13 PBFREE	1.3200	RFQ	7279	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CUD6-02	기준		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																						1 음극 음극 공통	200 v	6A	850 mV @ 5 a	35 ns	20 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C
2N2913	-	RFQ	7791	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N291		600MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																																	45V	30ma	-			2 NPN (()	-	60 @ 10µA, 5V	60MHz
BZX84C8V2 TR	-	RFQ	8670	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																											900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v							8.2 v	15 옴
1N5265B tr	-	RFQ	2120	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																											1.1 v @ 200 ma		100 na @ 47 v							62 v	185 옴
2N3701	-	RFQ	6764	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			1.8 w	TO-18	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	2N3701 PBFREE	귀 99	8541.29.0075	2,000																																	80 v	1 a	10NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	80MHz
CP617-CM4957-CT	-	RFQ	1099	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			-	주사위	-				1514-CP617-CM4957-CT	쓸모없는		500					25db																												25V	30ma				PNP		20 @ 2ma, 10V	2.5GHz	-
CMSH2-60M TR13 PBFREE	1.0500	RFQ	110	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CMSH2	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																							60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	120pf @ 4V, 1MHz
CTLDM8120-M621H TR	-	RFQ	3061	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드		MOSFET (금속 (()		TLM621H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널			20 v	950MA (TA)	1.8V, 4.5V	150mohm @ 950ma, 4.5v	1V @ 250µA	3.56 NC @ 4.5 v	8V	200 pf @ 16 v	-	1.6W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (4522)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²