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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | CMPDM202PH TR | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA) | 2.5V, 5V | 88mohm @ 1.2a, 5V | 1.4V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | 12V | 800 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH2-40M832 TR | - | ![]() | 3470 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-tdfn n 패드 | Schottky | TLM832 | 다운로드 | 1514-CTLSH2-40M832TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | 70pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT5551E TR | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | CZT5551 | 2 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 10ma, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMHZ4692 BK 주석/리드 | - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CMHZ4692BKTIN/리드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 100 ma | 10 µa @ 5.1 v | 6.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CMWSH-4 TR | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | Schottky | SOT-343 | 다운로드 | 1514-CMWSH-4TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 40 v | 100MA (DC) | 600 mv @ 100 ma | 5 ns | 5 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CLL4689 BK 주석/리드 | 0.4800 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.5 v @ 100 ma | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5226B BK | - | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 25 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4709 TR PBFREE | 0.2190 | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 10 na @ 18.2 v | 24 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CLL5231B BK | - | ![]() | 3437 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | 재고 재고 요청합니다 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5342B BK | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 5 w | AX-5W | 다운로드 | 1514-1n5342BBK | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 1 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRSDSH2-40 BK | - | ![]() | 1626 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 튜브 | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | Schottky | 4-SMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-CBRSDSH2-40BK | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 450 mV @ 2 a | 70 µa @ 40 v | 2 a | 단일 단일 | 40 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N5918B BK PBFREE | - | ![]() | 3032 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-tdfn n 패드 | CTLDM7120 | MOSFET (금속 (() | 1.65W | tlm832d | 다운로드 | 1514-CTLDM7120-M832DBK | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1A | 100mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2v @ 1ma | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5250B BK PBFREE | 0.0353 | ![]() | 5150 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 15 v | 20 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMMR1-06 TR PBFREE | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | CMMR1 | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ13L TR PBFREE | 0.1875 | ![]() | 2038 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | CMOZ13 | 250 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 10.5 v | 13 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6006B BK PBFREE | 0.0494 | ![]() | 8391 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 100 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 42 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4707 TR | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CMHZ4707TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 100 ma | 10 na @ 15.2 v | 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N971B BK PBFREE | 0.0734 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CFSH01-30 TR | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-882 | CFSH01 | Schottky | SOD-882 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 460 mV @ 10 ma | 300 na @ 10 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 100ma | 7pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUD2836 TR | - | ![]() | 6319 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | 기준 | SOT-523 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-cmud2836tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 75 v | 200ma | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
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