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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3465DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3465DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2979 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3465 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.5 nc @ 5 v ± 20V - 1.14W (TA)
SI2367DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2367 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TC) 1.8V, 4.5V 66mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 23 nc @ 8 v ± 8V 561 pf @ 10 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1330 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 3V, 10V 2.5ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V - 280MW (TA)
IRF9630PBF Vishay Siliconix IRF9630PBF 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9630pbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS407ENW-T1_GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS407 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 4572 pf @ 20 v - 62.5W (TC)
IRFP150PBF Vishay Siliconix IRFP150PBF 4.2600
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP150 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP150PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 41A (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 230W (TC)
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz914 MOSFET (금속 (() 22.7W, 100W 8-PowerPair® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16a, 40a 6.4mohm @ 19a, 10V 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIJ4106DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ4106DP-T1-GE3 1.6900
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 15.8A (TA), 59A (TC) 7.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10V 3.8V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3610 pf @ 50 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ700DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6812 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz700 MOSFET (금속 (() 2.36W, 2.8W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16A 8.6mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 35NC @ 10V 1300pf @ 10V -
IRFPF30PBF Vishay Siliconix irfpf30pbf 4.9000
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPF30PBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFP22N60KPBF Vishay Siliconix IRFP22N60KPBF 8.1300
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP22N60KPBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 280mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3570 pf @ 25 v - 370W (TC)
SIR800DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir800dp-t1-Re3 0.7090
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 2.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 1.5V @ 250µA 133 NC @ 10 v ± 12V 5125 pf @ 10 v - 69W (TC)
SIHG15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG15N80AEF-GE3 3.0600
RFQ
 ECAD 525 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG15N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1128 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRFBC40STRR Vishay Siliconix IRFBC40STRR -
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SI8405DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8405DB-T1-E1 -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8405 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 3.6A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 1a, 4.5v 950MV @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.47W (TA)
IRFD020PBF Vishay Siliconix IRFD020PBF 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD020 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 50 v 2.4A (TC) 10V 100mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TC)
SIS478DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS478DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS478 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 25V 398 pf @ 15 v - 15.6W (TC)
SIR180DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir180DP-T1-RE3 1.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir180 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 32.4A (TA), 60A (TC) 7.5V, 10V 2.05mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 4030 pf @ 30 v - 5.4W (TA), 83.3W (TC)
IRFD110PBF Vishay Siliconix IRFD110PBF 1.6900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD110 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD110PBF 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 1A (TA) 10V 540mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SQM60030E_GE3 Vishay Siliconix SQM60030E_GE3 3.8400
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM60030 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI7818DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7818DN-T1-E3 1.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7818 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 2.2A (TA) 6V, 10V 135mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRLZ44SPBF Vishay Siliconix IRLZ44SPBF 3.0600
RFQ
 ECAD 945 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SQD40N10-25_GE3 Vishay Siliconix SQD40N10-25_GE3 6.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3380 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIHG155N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG155N60EF-GE3 4.5500
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG155 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG155N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 149mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI1403BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-GE3 0.5200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1403 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 1.5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 625MW (TA)
SI4862DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3 1.6758
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4862 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 16 v 17A (TA) 2.5V, 4.5V 3.3mohm @ 25a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 70 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SI2318DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2318DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2318DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 20 v - 750MW (TA)
IRFR220TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR220TRPBF-BE3 0.6674
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr220trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80AE-GE3 2.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB11N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 804 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFR310TRL Vishay Siliconix irfr310trl -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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