SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SST5484-E3 Vishay Siliconix SST5484-E3 -
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 1 ma @ 15 v 300 MV @ 10 NA
2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N4119A-E3 -
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4119 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
2N4860JTX02 Vishay Siliconix 2N4860JTX02 -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix 2N5116JTXL02 -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
3N163-E3 Vishay Siliconix 3N163-E3 -
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 3N163 MOSFET (금속 (() To-72 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 p 채널 40 v 50MA (TA) 20V 250ohm @ 100µa, 20V 5V @ 10µA ± 30V 3.5 pf @ 15 v - 375MW (TA)
SIR172ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir172ADP-T1-GE3 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir172 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 29.8W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
SI4178DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4178DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4178 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8.4a, 10V 2.8V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 405 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
SUM90P10-19-E3 Vishay Siliconix SUM90P10-19-E3 -
RFQ
ECAD 9815 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 90A (TC) 10V 19mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 13.6W (TA), 375W (TC)
SI7664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7664DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7664 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 1.8V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 12V 7770 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI8401DB-T1-E3 Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E3 1.0490
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8401 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.47W (TA)
SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE726DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8611 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE726 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIJ484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ484DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7114 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ484 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix irfr210trlpbf 1.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR420ATRLPBF Vishay Siliconix irfr420atrlpbf 0.7088
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFR430ATRRPBF Vishay Siliconix irfr430atrrpbf -
RFQ
ECAD 7783 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRL510SPBF Vishay Siliconix IRL510SPBF 0.7072
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3433CDV-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3433 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 45 NC @ 8 v ± 8V 1300 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 3.3W (TC)
SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-E3 0.7100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 4.2W (TC)
SI3473DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
SI4158DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6438 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4158 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 36.5A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 16V 5710 pf @ 10 v - 3W (TA), 6W (TC)
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4214 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8.5A 19.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 10V 660pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4940DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4940DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4940 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.2A 36mohm @ 5.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4966DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4966 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V - 25mohm @ 7.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 50NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4966DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4966 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V - 25mohm @ 7.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 50NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7104DN-T1-E3 0.9923
RFQ
ECAD 9071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7104 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.7mohm @ 26.1a, 4.5v 1.8V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 12V 2800 pf @ 6 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7302DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7302 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 220 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 320mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 645 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7407DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7407 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9.9A (TA) 1.8V, 4.5V 12mohm @ 15.6a, 4.5v 1V @ 400µA 59 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SI4409DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4409DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4409 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 150 v 1.3A (TC) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 332 pf @ 50 v - 2.2W (TA), 4.6W (TC)
SI1315DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1315DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1315 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 900ma (TC) 1.8V, 4.5V 336mohm @ 800ma, 4.5v 800MV @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v ± 8V 112 pf @ 4 v - 300MW (TA), 400MW (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고