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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF9Z34PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z34PBF-BE3 1.8300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9z34pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 18A (TC) 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3 1.0200
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6562 MOSFET (금속 (() 1.6W, 1.7W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 6.7A, 6.1A 22mohm @ 5.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 23NC @ 10V 850pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF540STRLPBF Vishay Siliconix IRF540STRLPBF 2.3500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
IRL540S Vishay Siliconix IRL540S -
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL540S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SUD50N02-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N02-09P-GE3 -
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 20A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 39.5W (TC)
IRFL110TR Vishay Siliconix irfl110tr -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.5A (TC) 10V 540mohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix irfr9310trlpbf 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1926DL-T1-BE3 0.4100
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1926 MOSFET (금속 (() 300MW (TA), 510MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1926DL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 340ma (TA), 370ma (TC) 1.4ohm @ 340ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 18.5pf @ 30V -
SQJ186EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ186EP-T1_GE3 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 10V 15mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1942 pf @ 25 v - 135W (TC)
SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4396DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4396 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1675 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.4W (TC)
SI4455DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4455DY-T1-GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4455 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 150 v 2A (TA) 6V, 10V 295mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 5.9W (TC)
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3443BDV-T1-GE3 0.2588
RFQ
 ECAD 4809 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3443 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.1W (TA)
SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4948BEY-T1-E3 1.3200
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4948 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 2.4a 120mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3499DV-T1-BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3499DV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.3A (TA) 1.5V, 4.5V 23mohm @ 7a, 4.5v 750MV @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 5V - 1.1W (TA)
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 1.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS76 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS76LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 70 v 19.6A (TA), 67.4A (TC) 3.3V, 4.5V 6.25mohm @ 10a, 4.5v 1.6V @ 250µA 33.5 nc @ 4.5 v ± 12V 2780 pf @ 35 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI8445DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8445DB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8445 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.8A (TC) 1.2V, 4.5V 84mohm @ 1a, 4.5v 850MV @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 5V 700 pf @ 10 v - 1.8W (TA), 11.4W (TC)
IRFR020PBF Vishay Siliconix IRFR020PBF -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4436DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4436DY-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4436 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.6a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz322DT-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz322 MOSFET (금속 (() 16.7W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 30A (TC) 6.35mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 20.1NC @ 10V 950pf @ 12.5v -
IRFI520GPBF Vishay Siliconix IRFI520GPBF 1.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI520GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 7.2A (TC) 10V 270mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 37W (TC)
SIHD3N50DT1-GE3 Vishay Siliconix SIHD3N50DT1-GE3 0.3563
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHD3N50DT1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI1471DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1471DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1471 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TC) 2.5V, 10V 100mohm @ 2a, 10V 1.6V @ 250µA 9.8 nc @ 4.5 v ± 12V 445 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix SUD23N06-31-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 21.4A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 5.7W (TA), 31.25W (TC)
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4894BDY-T1-GE3 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4894 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2319ADS-T1_BE3 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 20 v - 2.5W (TC)
SIHP30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix sihp30n60ael-ge3 -
RFQ
 ECAD 6312 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 120mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2565 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix SQD23N06-31L_GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 23A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 845 pf @ 25 v - 37W (TC)
SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix SQM90142E_GE3 2.9200
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM90142 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 95A (TC) 10V 15.3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 25 v - 375W (TC)
SIA419DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA419DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA419 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 30mohm @ 5.9a, 4.5v 850MV @ 250µA 29 NC @ 5 v ± 5V 1500 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIE816DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE816DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE816 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 7.4mohm @ 19.8a, 10V 4.4V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 30 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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