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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQS405EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS405EN-T1_GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS405 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 13.5a, 4.5v 1V @ 250µA 75 NC @ 8 v ± 8V 2650 pf @ 6 v - 39W (TC)
SI7980DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2807 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7980 MOSFET (금속 (() 19.8W, 21.9W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 8a 22mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1010pf @ 10v -
IRFU9220PBF Vishay Siliconix IRFU9220PBF 2.2900
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9220 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9220pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF9640STRRPBF Vishay Siliconix IRF9640STRPBF 3.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIR474DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir474dp-t1-re3 0.3517
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir474 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 985 pf @ 15 v - 29.8W (TC)
SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir182DP-T1-RE3 1.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir182 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 7.5V, 10V 2.8mohm @ 15a, 10V 3.6V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 30 v - 69.4W (TC)
SI1054X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1054X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1054 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 12 v 1.32A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 1.32a, 4.5v 1V @ 250µA 8.57 NC @ 5 v ± 8V 480 pf @ 6 v - 236MW (TA)
SQJ912AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ912AEP-T2_GE3 -
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ912 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 742-sqj912aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.3mohm @ 9.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38NC @ 10V 1835pf @ 20V -
SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA447DJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA447 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 13.5mohm @ 7a, 4.5v 850MV @ 250µA 80 nc @ 8 v ± 8V 2880 pf @ 6 v - 19W (TC)
SIZ250DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz250DT-T1-GE3 1.2100
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz250 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 14A (TA), 38A (TC) 12.2mohm @ 10a, 10V, 12.7mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21NC @ 10V 840pf @ 30v, 790pf @ 30v -
SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5504BDC-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5504 MOSFET (금속 (() 3.12W, 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3.7A 65mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIHP7N60E-BE3 Vishay Siliconix sihp7n60e-be3 2.0900
RFQ
 ECAD 1036 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH068N60E-T1-GE3 8.1500
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH068 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 68mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 30V 2650 pf @ 100 v - 202W (TC)
SI1037X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1037X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1037 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 770MA (TA) 1.8V, 4.5V 195mohm @ 770ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 170MW (TA)
IRFUC20PBF Vishay Siliconix IRFUC20PBF 1.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFUC20 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFUC20PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5975 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a, 4.5v 450mv @ 1ma (min) 9NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI1563DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1563DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1563 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.13a, 880ma 280mohm @ 1.13a, 4.5v 1V @ 100µA 2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIHG15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG15N80AE-GE3 2.9700
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG15 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG15N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1093 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIHA22N60EL-E3 Vishay Siliconix SiHA22N60EL-E3 2.2050
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 197mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 1690 pf @ 100 v - 35W (TC)
VP0808B-2 Vishay Siliconix VP0808B-2 -
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 VP0808 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 p 채널 80 v 880MA (TA) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 6.25W (TA)
IRFIBE20G Vishay Siliconix irfibe20g -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibe20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibe20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 1.4A (TC) 10V 6.5ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI4453DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4453DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7111 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4453 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 6.5mohm @ 14a, 4.5v 900MV @ 600µA 165 NC @ 5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SIHP052N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP052N60EF-GE3 6.9500
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP052 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 48A (TC) 10V 52mohm @ 23a, 10V 5V @ 250µA 101 NC @ 10 v ± 30V 3380 pf @ 100 v - 278W (TC)
SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH103DN-T1-GE3 0.9300
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH103 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 155mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2540 pf @ 15 v - 3.67W (TA), 41.6W (TC)
IRF730ASTRR Vishay Siliconix IRF730AST -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SUD35N10-26P-BE3 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-BE3 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD35 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 12A (TA), 35A (TC) 7V, 10V 26mohm @ 12a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 12 v - 8.3W (TA), 83W (TC)
SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7445DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7445 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TA) 1.8V, 4.5V 7.7mohm @ 19a, 4.5v 1V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 8V - 1.9W (TA)
SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3437DV-T1-E3 0.9300
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3437 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 1.4A (TC) 6V, 10V 750mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 510 pf @ 50 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
IRFR9110TRL Vishay Siliconix irfr9110trl -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4974DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4974DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4974 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6a, 4.4a 19mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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