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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI7674DP-T1-E3	-	RFQ	7899	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7674	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	5910 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SIB911DK-T1-GE3	-	RFQ	8294	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-75-6L 듀얼	SIB911	MOSFET (금속 (()	3.1W	PowerPak® SC-75-6L 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	2.6a		295mohm @ 1.5a, 4.5v	1V @ 250µA	4NC @ 8V		115pf @ 10V	-
sqj262ep-t1_ge3	1.3600	RFQ	11	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ262	MOSFET (금속 (()	27W (TC), 48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	15A (TC), 40A (TC)		35.5mohm @ 2a, 10v, 15.5mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 250µA	10nc @ 10v, 23nc @ 10v		550pf @ 25v, 1260pf @ 25v	-
IRFR9014PBF	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9014	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		p 채널	60 v	5.1A (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
irfl9110pbf	-	RFQ	6715	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL9110	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	1.1A (TC)	10V	1.2ohm @ 660ma, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
sqja80ep-t1_ge3	1.3300	RFQ	4217	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA80	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	60A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SISH108DN-T1-GE3	0.7100	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen II	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISH108	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	14A (TA)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 22a, 10V	2V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 16V		-	1.5W (TA)
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SI3459DV-T1-E3	-	RFQ	1946	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3459	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	2.2A (TC)	4.5V, 10V	220mohm @ 2.2a, 10V	1V @ 250µA (Min)	14 nc @ 10 v	± 20V		-	2W (TA)
SI4916DY-T1-GE3	-	RFQ	7840	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4916	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10a, 10.5a		18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
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IRFBC40PBF-BE3	2.4100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRFBC40PBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	6.2A (TC)		1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	125W (TC)
IRFL014PBF	-	RFQ	2443	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL014	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	80		n 채널	60 v	2.7A (TC)	10V	200mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SISA40DN-T1-GE3	0.8000	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA40	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	43.7a (TA), 162a (TC)	2.5V, 10V	1.1MOHM @ 10A, 10V	1.5V @ 250µA	53 NC @ 10 v	+12V, -8V	3415 pf @ 10 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI3459BDV-T1-BE3	0.8300	RFQ	967	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	2.2A (TA), 2.9A (TC)	4.5V, 10V	216MOHM @ 2.2A, 10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 30 v	-	2W (TA), 3.3W (TC)
sir468dp-t1-ge3	-	RFQ	1595	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir468	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1720 pf @ 15 v	-	5W (TA), 50W (TC)
SQ3426AEEV-T1_GE3	0.7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	7A (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	± 20V	700 pf @ 30 v	-	5W (TC)
irf820strlpbf	1.8600	RFQ	8744	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF820	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	2.5A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
sqjb68ep-t1_be3	0.8900	RFQ	7342	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB68	MOSFET (금속 (()	27W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)		742-sqjb68ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	11A (TC)		92mohm @ 4a, 10V	2.5V @ 250µA	8NC @ 10V		280pf @ 25v	-
SI1026X-T1-GE3	0.5100	RFQ	340	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1026	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	305MA		1.4ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		30pf @ 25V	논리 논리 게이트
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SI1077X-T1-GE3	0.4900	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1077	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.75A (TA)	1.5V, 4.5V	78mohm @ 1.8a, 4.5v	1V @ 250µA	31.1 NC @ 8 v	± 8V	965 pf @ 10 v	-	330MW (TA)
sir402dp-t1-ge3	0.8647	RFQ	7180	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir402	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 15 v	-	4.2W (TA), 36W (TC)
IRFI620GPBF	1.7500	RFQ	896	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI620	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFI620GPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	4.1A (TC)	10V	800mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	30W (TC)
SI7149DP-T1-GE3	1.5800	RFQ	30	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7149	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	147 NC @ 10 v	± 25V	4590 pf @ 15 v	-	69W (TC)
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SI5484DU-T1-GE3	-	RFQ	4333	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5484	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	12A (TC)	2.5V, 4.5V	16mohm @ 7.6a, 4.5v	2V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 12V	1600 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²