RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI3812DV-T1-GE3	-	RFQ	4771	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3812	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2A (TA)	2.5V, 4.5V	125mohm @ 2.4a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	4 NC @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	830MW (TA)
SIZF906DT-T1-GE3	1.6700	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	8-powerwdfn	SIZF906	MOSFET (금속 (()	38W (TC), 83W (TC)	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	60A (TC)		3.8mohm @ 15a, 10v, 1.17mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 4.5v, 92nc @ 4.5v		2000pf @ 15V, 8200pf @ 15V	-
SI8410dB-T2-E1	1.0700	RFQ	8575	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA	SI8410	MOSFET (금속 (()		4 x 1 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	3.8A (TA)	1.5V, 4.5V	37mohm @ 1.5a, 4.5v	850MV @ 250µA	16 nc @ 8 v	± 8V	620 pf @ 10 v	-	780MW (TA), 1.8W (TC)
SI7904DN-T1-E3	-	RFQ	5923	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7904	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	5.3A		30mohm @ 7.7a, 4.5v	1V @ 935µA	15NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI5511DC-T1-E3	-	RFQ	9656	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5511	MOSFET (금속 (()	3.1W, 2.6W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	4A, 3.6A		55mohm @ 4.8a, 4.5v	2V @ 250µA	7.1NC @ 5V		435pf @ 15V	논리 논리 게이트
irfr024trlpbf	1.6800	RFQ	9041	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7880	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SI3473CDV-T1-BE3	0.7100	RFQ	2129	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)		742-SI3473CDV-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8A (TA), 8A (TC)	1.8V, 4.5V	22mohm @ 8.1a, 4.5v	1V @ 250µA	65 NC @ 8 v	± 8V	2010 pf @ 6 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SQM120P06-07L_GE3	3.6400	RFQ	2557	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM120	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	60 v	120A (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	270 nc @ 10 v	± 20V	14280 pf @ 25 v	-	375W (TC)
SI8901EDB-T2-E1	-	RFQ	1912	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6 c ® ®csp	SI8901	MOSFET (금속 (()	1W	6 (™ ™ (2.36x1.56)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		20V	3.5a		-	1V @ 350µA	-		-	논리 논리 게이트
SI7925DN-T1-GE3	-	RFQ	8830	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7925	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	4.8a		42MOHM @ 6.5A, 4.5V	1V @ 250µA	12NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRF740APBF	2.7800	RFQ	674	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF740	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF740APBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	125W (TC)
irfr010trl	-	RFQ	7602	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR010	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	50 v	8.2A (TC)	10V	200mohm @ 4.6a, 10V	4V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	250 pf @ 25 v	-	25W (TC)
IRFBC40STRL	-	RFQ	6695	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	6.2A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 130W (TC)
IRF820	-	RFQ	8979	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF820	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	2.5A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	50W (TC)
SISH106DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISH106	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	12.5A (TA)	2.5V, 4.5V	6.2mohm @ 19.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 12V		-	1.5W (TA)
IRF624STRL	-	RFQ	5786	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF624	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	4.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
irfr9110trr	-	RFQ	7100	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9110	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	100 v	3.1A (TC)	10V	1.2ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7997DP-T1-GE3	2.2000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7997	MOSFET (금속 (()	46W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	60a		5.5mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	160NC @ 10V		6200pf @ 15V	-
IRFD9120PBF	1.5700	RFQ	62	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD9120	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFD9120PBF	귀 99	8541.29.0095	100		p 채널	100 v	1A (TA)	10V	600mohm @ 600ma, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	390 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
IRFZ44R	-	RFQ	5443	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFZ44R	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	28mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IRF9Z14L	-	RFQ	2860	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF9	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF9Z14L	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	60 v	6.7A (TC)	10V	500mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SIHD5N50D-E3	1.2400	RFQ	6018	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD5	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	500 v	5.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 30V	325 pf @ 100 v	-	104W (TC)
SQD50P03-07_GE3	2.7600	RFQ	3796	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	146 NC @ 10 v	± 20V	5490 pf @ 25 v	-	136W (TC)
IRFR9024PBF	1.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		p 채널	60 v	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
IRFPS40N50LPBF	-	RFQ	7861	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPS40N50LPBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	46A (TC)	10V	100mohm @ 28a, 10V	5V @ 250µA	380 nc @ 10 v	± 30V	8110 pf @ 25 v	-	540W (TC)
IRFPS43N50K	-	RFQ	6544	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA	IRFPS43	MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFPS43N50K	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	500 v	47A (TC)	10V	90mohm @ 28a, 10V	5V @ 250µA	350 NC @ 10 v	± 30V	8310 pf @ 25 v	-	540W (TC)
SI4682DY-T1-E3	-	RFQ	9753	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4682	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	16A (TC)	4.5V, 10V	9.4mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1595 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 4.45W (TC)
SIHP25N50E-BE3	3.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	26A (TC)	10V	145mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 30V	1980 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SI9424BDY-T1-GE3	-	RFQ	1114	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9424	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	5.6A (TA)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 7.1a, 4.5v	850MV @ 250µA	40 nc @ 4.5 v	± 9V		-	1.25W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²