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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SIA400EDJ-T1-GE3	0.6200	RFQ	160	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA400	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TC)	2.5V, 4.5V	19mohm @ 11a, 4.5v	1.5V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 12V	1265 pf @ 15 v	-	19.2W (TC)
sir808dp-t1-ge3	-	RFQ	6098	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir808	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	20A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 17a, 10V	2.5V @ 250µA	22.8 nc @ 10 v	± 20V	815 pf @ 12.5 v	-	29.8W (TC)
SI5943DU-T1-E3	-	RFQ	7896	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 듀얼	SI5943	MOSFET (금속 (()	8.3W	PowerPak® Chipfet Dual	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	6A		64mohm @ 3.6a, 4.5v	1V @ 250µA	15nc @ 8v		460pf @ 6v	논리 논리 게이트
Sisha18ADN-T1-GE3	0.8100	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	22A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 v	+20V, -16V	1650 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 26.5W (TC)
irfiz34g	-	RFQ	9889	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irfiz34	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irfiz34g	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	20A (TC)	10V	50mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 20V	1200 pf @ 25 v	-	42W (TC)
SUM65N20-30-E3	4.8900	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	sum65	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	65A (TC)	10V	30mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 375W (TC)
IRF2807ZSTRL	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF2807	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	75 v	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	3270 pf @ 25 v	-	170W (TC)
SI5419DU-T1-GE3	0.6200	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5419	MOSFET (금속 (()		PowerPak® ChipFet ™ 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	12A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 6.6a, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI4423DY-T1-E3	2.6600	RFQ	102	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4423	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	10A (TA)	1.8V, 4.5V	7.5mohm @ 14a, 4.5v	900MV @ 600µA	175 NC @ 5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
irfr9110tr	-	RFQ	6803	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9110	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	100 v	3.1A (TC)	10V	1.2ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRF720S	-	RFQ	4878	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF720	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF720S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	3.3A (TC)	10V	1.8ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	410 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
irlr024trpbf	1.2900	RFQ	709	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	60 v	14A (TC)	4V, 5V	100mohm @ 8.4a, 5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 10V	870 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
IRF624S	-	RFQ	8769	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF624	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF624S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	4.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI4413DDY-T1-GE3	0.9214	RFQ	7408	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4413	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널		-	4.5V, 10V	5.5mohm @ 10a, 10V	1.6V @ 250µA	114 NC @ 10 v	-	4780 pf @ 15 v	-	-
IRF720STRR	-	RFQ	5118	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF720	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	3.3A (TC)	10V	1.8ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	410 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI4412ADY-T1-E3	-	RFQ	7409	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4412	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	5.8A (TA)	4.5V, 10V	24mohm @ 8a, 10V	1V @ 250µA (Min)	20 nc @ 10 v	± 20V		-	1.3W (TA)
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IRFL110PBF	-	RFQ	5730	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL110	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널	100 v	1.5A (TC)	10V	540mohm @ 900ma, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SIA449DJ-T1-GE3	0.4600	RFQ	1183	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA449	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	12A (TC)	2.5V, 10V	20mohm @ 6a, 10V	1.5V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 12V	2140 pf @ 15 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI3441BDV-T1-E3	-	RFQ	3503	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3441	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.45A (TA)	2.5V, 4.5V	90mohm @ 3.3a, 4.5v	850MV @ 250µA	8 NC @ 4.5 v	± 8V		-	860MW (TA)
SI7328DN-T1-GE3	0.9923	RFQ	7802	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7328	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 18.9a, 10V	1.5V @ 250µA	31.5 nc @ 4.5 v	± 12V	2610 pf @ 15 v	-	3.78W (TA), 52W (TC)
SI3443CDV-T1-GE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3443	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.97A (TC)	2.5V, 4.5V	60mohm @ 4.7a, 4.5v	1.5V @ 250µA	12.4 NC @ 5 v	± 12V	610 pf @ 10 v	-	2W (TA), 3.2W (TC)
IRFBC30	-	RFQ	9367	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC30	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFBC30	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	3.6A (TC)	10V	2.2ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 v	± 20V	660 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SI1441EDH-T1-GE3	0.5300	RFQ	9255	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1441	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4A (TC)	1.8V, 4.5V	41mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	33 NC @ 8 v	± 10V		-	2.8W (TC)
SI4972DY-T1-GE3	-	RFQ	6328	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4972	MOSFET (금속 (()	3.1W, 2.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	10.8A, 7.2A		14.5mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	28NC @ 10V		1080pf @ 15V	-
SIHF080N60E-GE3	4.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		742-SIHF080N60E-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	14A (TC)	10V	80mohm @ 17a, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 30V	2557 pf @ 100 v	-	35W (TC)
SI3447CDV-T1-GE3	-	RFQ	8328	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3447	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	7.8A (TC)	1.8V, 4.5V	36mohm @ 6.3a, 4.5v	1V @ 250µA	30 nc @ 8 v	± 8V	910 pf @ 6 v	-	2W (TA), 3W (TC)
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SI3493DV-T1-GE3	-	RFQ	1209	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3493	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.3A (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 7a, 4.5v	1V @ 250µA	32 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)
SIE812DF-T1-GE3	3.4500	RFQ	275	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE812	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.6mohm @ 25a, 10V	3V @ 250µA	170 nc @ 10 v	± 20V	8300 pf @ 20 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²