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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
IRF740STRL	-	RFQ	3914	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRF740APBF-BE3	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF740	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRF740APBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	125W (TC)
sqj461ep-t1_ge3	2.9100	RFQ	8209	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ461	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	30A (TC)	4.5V, 10V	14.4A, 10V 16mohm	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	4710 pf @ 30 v	-	83W (TC)
SQ2337ES-T1_GE3	0.6900	RFQ	7873	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2337	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	80 v	2.2A (TC)	6V, 10V	290mohm @ 1a, 4.5v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	620 pf @ 30 v	-	3W (TC)
SUD09P10-195-GE3	0.8700	RFQ	39	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD09	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	100 v	8.8A (TC)	4.5V, 10V	195mohm @ 3.6a, 10V	2.5V @ 250µA	34.8 nc @ 10 v	± 20V	1055 pf @ 50 v	-	2.5W (TA), 32.1W (TC)
SIA414DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA414	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	12A (TC)	1.2V, 4.5V	11mohm @ 9.7a, 4.5v	800MV @ 250µA	32 NC @ 5 v	± 5V	1800 pf @ 4 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI6415DQ-T1-BE3	1.8600	RFQ	6460	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드		1 (무제한)		742-si6415dq-t1-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	19mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SUD40N10-25-T4-E3	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD40	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	40A (TC)	10V	25mohm @ 40a, 10V	3V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	3W (TA), 136W (TC)
SI3460BDV-T1-GE3	0.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3460	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	8A (TC)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 5.1a, 4.5v	1V @ 250µA	24 nc @ 8 v	± 8V	860 pf @ 10 v	-	2W (TA), 3.5W (TC)
SI7469DP-T1-GE3	2.6600	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7469	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	80 v	28A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 10.2a, 10V	3V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	4700 pf @ 40 v	-	5.2W (TA), 83.3W (TC)
IRLZ14PBF-BE3	1.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRLZ14	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irlz14pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	10A (TC)		200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	43W (TC)
Sir870BDP-T1-RE3	2.2000	RFQ	9421	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir870	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	18.8A (TA), 81A (TC)	4.5V, 10V	6.1mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	4870 pf @ 50 v	-	5.4W (TA), 100W (TC)
SI6954ADQ-T1-BE3	1.1800	RFQ	4755	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6954	MOSFET (금속 (()	830MW (TA)	8-tssop	다운로드		1 (무제한)		742-SI6954ADQ-T1-BE3TR	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	3.1A (TA)		53mohm @ 3.4a, 10V	1V @ 250µA	16NC @ 10V		-	-
SI7100DN-T1-E3	-	RFQ	4211	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7100	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	35A (TC)	2.5V, 4.5V	3.5mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	105 NC @ 8 v	± 8V	3810 pf @ 4 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI1071X-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1071	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	960MA (TA)	2.5V, 10V	167mohm @ 960ma, 10V	1.45V @ 250µA	13.3 NC @ 10 v	± 12V	315 pf @ 15 v	-	236MW (TA)
SIS902DN-T1-GE3	-	RFQ	2874	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SIS902	MOSFET (금속 (()	15.4W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		75V	4a		186mohm @ 3a, 10V	2.5V @ 250µA	6NC @ 10V		175pf @ 38V	-
U431	-	RFQ	5300	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	U431		500MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	100		2 n 채널 (채널)								5pf @ 10V			25 v	24 ma @ 10 v	2 v @ 1 na
VP0808B	-	RFQ	6750	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	VP0808	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		p 채널	80 v	880MA (TA)	10V	5ohm @ 1a, 10V	4.5V @ 1mA		± 20V	150 pf @ 25 v	-	6.25W (TA)
SISS32DN-T1-GE3	1.3000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS32	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	17.4A (TA), 63A (TC)	7.5V, 10V	7.2MOHM @ 10A, 10V	3.8V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1930 pf @ 40 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SI4456DY-T1-GE3	1.2758	RFQ	5606	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4456	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	33A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10V	2.8V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 20V	5670 pf @ 20 v	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIA928DJ-T1-GE3	0.4800	RFQ	5011	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA928	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	4.5A (TC)		25mohm @ 5a, 10V	2.2V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		490pf @ 15V	-
SQ4153EY-T1_BE3	1.6500	RFQ	485	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4153	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	12 v	25A (TC)	1.8V, 4.5V	8.32mohm @ 14a, 4.5v	900MV @ 250µA	151 NC @ 4.5 v	± 8V	11000 pf @ 6 v	-	7.1W (TC)
sqj488ep-t2_ge3	1.3300	RFQ	6170	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj488ep-t2_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	42A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 7.1a, 10V	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	978 pf @ 50 v	-	83W (TC)
SI1029X-T1-E3	-	RFQ	3438	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1029	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		60V	305ma, 190ma		1.4ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.75NC @ 4.5V		30pf @ 25V	논리 논리 게이트
SI3469DV-T1-BE3	0.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)		742-SI3469DV-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 6.7a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SI1300BDL-T1-GE3	-	RFQ	2563	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1300	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	400MA (TC)	2.5V, 4.5V	850mohm @ 250ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.84 nc @ 4.5 v	± 8V	35 pf @ 10 v	-	190MW (TA), 200MW (TC)
SIHH11N60EF-T1-GE3	3.9700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH11	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	11A (TC)	10V	357mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 30V	1078 pf @ 100 v	-	114W (TC)
SI4932DY-T1-GE3	1.4000	RFQ	64	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4932	MOSFET (금속 (()	3.2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	8a		15mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	48NC @ 10V		1750pf @ 15V	논리 논리 게이트
SQM40P10-40L_GE3	2.6100	RFQ	6137	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM40	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	100 v	40A (TC)	4.5V, 10V	40mohm @ 17a, 10V	2.5V @ 250µA	134 NC @ 10 v	± 20V	5295 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IRFI820GPBF	2.7800	RFQ	5552	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI820	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFI820GPBF	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	2.1A (TC)	10V	3ohm @ 1.3a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	30W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²