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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 505 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA427 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 16mohm @ 8.2a, 4.5v 800MV @ 250µA 50 nc @ 5 v ± 5V 2300 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3197 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6413 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 10mohm @ 8.8a, 4.5v 800MV @ 400µA 105 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SI3948DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1883 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI5480DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5480DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5480 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 7.2a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
V30393-T1-E3 Vishay Siliconix V30393-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1069 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30393 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3 0.6700
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2309 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 336mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 25 v - 2W (TC)
SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS414CENW-T1_GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 25 v - 33W (TC)
IRFBC30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBC30PBF-BE3 1.7300
RFQ
 ECAD 938 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFBC30PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 74W (TC)
SUD50N024-09P-E3 Vishay Siliconix SUD50N024-09P-E3 -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 22 v 49A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 6.5W (TA), 39.5W (TC)
SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-E3 2.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1416 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.9A (TC) 2.5V, 10V 58mohm @ 3.1a, 10V 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V - 2.8W (TC)
SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ466 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 200a (TC) 10V 1.9mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 10210 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQJ168ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ168ELP-T1_GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj168elp-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 24A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 987 pf @ 25 v - 29.4W (TC)
SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_BE3 1.1000
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ570 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj570ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 100V 15A (TC), 9.5A (TC) 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10v, 20nc @ 10v 600pf @ 25v, 650pf @ 25v -
SQJA60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja60ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA60 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIR104LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104LDP-T1-RE3 1.7200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir104 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 18.8A (TA), 81A (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4870 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 100W (TC)
SI9410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9410 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.1a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJ150EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj150ep-t1_ge3 0.8500
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ150 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj150ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 66A (TC) 10V 8.4mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1274 pf @ 25 v - 65W (TC)
SIR576DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR576DP-T1-RE3 1.4000
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR576DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 11.1A (TA), 42.4A (TC) 7.5V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 75 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir800ADP-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50.2A (TA), 177a (TC) 2.5V, 10V 1.35mohm @ 10a, 10V 1.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v +12V, -8V 3415 pf @ 10 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRFR430ATRPBF Vishay Siliconix irfr430atrpbf 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
SIJ4819DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ4819DP-T1-GE3 2.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 11.5A (TA), 44.4A (TC) 4.5V, 10V 20.7mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 40 v - 5W (TA), 73.5W (TC)
SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3 6.5000
RFQ
 ECAD 734 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 98mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 30V 3454 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI3438DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3438DV-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3438 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 7.4A (TC) 4.5V, 10V 35.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 20 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7454FDP-T1-RE3 0.8800
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.2A (TA), 23.5A (TC) 4.5V, 10V 29.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 26.5 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRFR220TRLPBF Vishay Siliconix irfr220trlpbf 0.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4569DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4569 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 7.6a, 7.9a 27mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
SI4833ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4833ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4833 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.93W (TA), 2.75W (TC)
SI4636DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4636DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4636 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 16V 2635 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.4W (TC)
SI9945AEY-T1 Vishay Siliconix SI9945AEY-T1 -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9945 MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q4552539A 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 60V 3.7a 80mohm @ 3.7a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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