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디스크리트 반도체(5717)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id
SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR500EP-T1-RE3 3.4400
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 ECAD 5 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® Gen V 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8DC 다운로드 1(무제한) 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 94A(Ta), 421A(Tc) 4.5V, 10V 0.47m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 250μA 180nC @ 10V +16V, -12V 8960pF @ 15V - 7.5W(Ta), 150W(Tc)
SQ4005EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_BE3 1.0100
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 ECAD 1 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SQ4005 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 1(무제한) 742-SQ4005EY-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 12V 15A(Tc) 2.5V, 4.5V 22m옴 @ 13.5A, 4.5V 1V @ 250μA 38nC @ 4.5V ±8V 3600pF @ 6V - 6W(Tc)
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-GE3 0.4100
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 ECAD 8266 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1401 MOSFET(금속) SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 4A(TC) 1.5V, 4.5V 34m옴 @ 5.5A, 4.5V 1V @ 250μA 36nC @ 8V ±10V - 1.6W(Ta), 2.8W(Tc)
SIHS90N65E-E3 Vishay Siliconix SIHS90N65E-E3 -
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 ECAD 8588 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SIHS90 MOSFET(금속) SUPER-247™(TO-274AA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 87A (Tc) 10V 29m옴 @ 45A, 10V 4V @ 250μA 591nC @ 10V ±30V 11826pF @ 100V - 625W(Tc)
SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3 0.9000
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 ECAD 1 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® Gen III 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S SISS65 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 25.9A(Ta), 94A(Tc) 4.5V, 10V 4.6m옴 @ 15A, 10V 2.3V @ 250μA 138nC @ 10V ±20V 4930pF @ 15V - 5.1W(Ta), 65.8W(Tc)
SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS92DN-T1-GE3 1.2000
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 ECAD 5690 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S SISS92 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 250V 3.4A(Ta), 12.3A(Tc) 7.5V, 10V 173m옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 250μA 16nC @ 10V ±20V 125V에서 350pF - 5.1W(Ta), 65.8W(Tc)
SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1023X-T1-GE3 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SI1023 MOSFET(금속) 250mW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 370mA 1.2옴 @ 350mA, 4.5V 250μA에서 450mV(최소) 1.5nC @ 4.5V - 게임 레벨 레벨
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA429DJT-T1-GE3 0.6200
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 ECAD 5578 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SC-70-6 SIA429 MOSFET(금속) PowerPAK® SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 12A(TC) 1.5V, 4.5V 20.5m옴 @ 6A, 4.5V 1V @ 250μA 62nC @ 8V ±8V 1750pF @ 10V - 3.5W(Ta), 19W(Tc)
SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5415EDU-T1-GE3 -
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 ECAD 4391 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -50°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® ChipFET™ 인디 SI5415 MOSFET(금속) PowerPAK® ChipFet 인디 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 25A(TC) 1.8V, 4.5V 9.8m옴 @ 10A, 4.5V 1V @ 250μA 120nC @ 8V ±8V 10V에서 4300pF - 3.1W(Ta), 31W(Tc)
SQA407CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA407CEJW-T1_GE3 0.5700
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 ECAD 6843 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(금속) PowerPAK®SC-70W-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 9A(TC) 2.5V, 4.5V 25m옴 @ 4.5A, 4.5V 1.3V @ 250μA 24nC @ 4.5V ±12V 10V에서 2100pF - 13.6W(Tc)
SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA470CEJW-T1_GE3 0.4200
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 ECAD 6 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(금속) PowerPAK® SC-70-6 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 2.25A(Tc) 2.5V, 4.5V 65m옴 @ 3A, 4.5V 1.3V @ 250μA 6nC @ 4.5V ±12V 20V에서 440pF - 13.6W(Tc)
SIS426DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS426DN-T1-GE3 -
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 ECAD 4830 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 SIS426 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 35A(Tc) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 42nC @ 10V ±20V 1570pF @ 10V - 3.7W(Ta), 52W(Tc)
SIA4446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4446DJ-T1-GE3 0.6800
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 ECAD 50 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SC-70-6 듀얼 MOSFET(금속) PowerPAK® SC-70-6 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 13A(Ta), 31A(Tc) 4.5V, 10V 11m옴 @ 10A, 10V 2.4V @ 250μA 19nC @ 10V +20V, -16V 20V에서 915pF - 3.5W(Ta), 19.2W(Tc)
2N4859JTXL02 Vishay Siliconix 2N4859JTXL02 -
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 ECAD 3422 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4859 TO-206AA (TO-18) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 - -
SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-GE3 1.0773
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 ECAD 4952 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SI7454 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 5A(타) 6V, 10V 34m옴 @ 7.8A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V - 1.9W(타)
SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix SQM50034E_GE3 2.4700
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 ECAD 1155 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET(금속) TO-263(D²Pak) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V 100A(Tc) 10V 3.9m옴 @ 20A, 10V 250μA에서 3.5V 90nC @ 10V ±20V 25V에서 6600pF - 150W(Tc)
SI7450DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-RE3 1.0516
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 ECAD 3794 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 SI7450 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 3.2A(Ta), 19.8A(Tc)
IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL014TRPBF-BE3 0.9400
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 ECAD 8923 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 2.7A(Tc) 200m옴 @ 1.6A, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 25V에서 300pF - 2W(Ta), 3.1W(Tc)
SI3447BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3447BDV-T1-E3 -
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 ECAD 9859 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 SI3447 MOSFET(금속) 6-TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 4.5A(타) 1.8V, 4.5V 40m옴 @ 6A, 4.5V 1V @ 250μA 14nC @ 4.5V ±8V - 1.1W(타)
SIA462DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T4-GE3 -
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 ECAD 6987 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SC-70-6 SIA462 MOSFET(금속) PowerPAK® SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 12A(Ta), 12A(Tc) 4.5V, 10V 18m옴 @ 9A, 10V 2.4V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 15V에서 570pF - 3.5W(Ta), 19W(Tc)
2N4117A-2 Vishay Siliconix 2N4117A-2 -
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 ECAD 6504 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4117 300mW TO-206AF (TO-72) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 20 N채널 3pF @ 10V 40V 10V에서 30μA 600mV @ 1nA
SQJ886EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_BE3 1.5700
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 ECAD 3 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 1(무제한) 742-SQJ886EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 60A(Tc) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 15.3A, 10V 2.5V @ 250μA 65nC @ 10V ±20V 2922pF @ 20V - 55W(Tc)
SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG085N60EF-GE3 6.5600
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 ECAD 2537 0.00000000 비세이 실리코닉스 EF 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SIHG085 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 742-SIHG085N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 34A(티씨) 10V 84m옴 @ 17A, 10V 5V @ 250μA 63nC @ 10V ±30V 100V에서 2733pF - 184W(Tc)
SQJ138EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ138EP-T1_GE3 1.6400
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 ECAD 1233 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SQJ138 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 - ROHS3 준수 1(무제한) 742-SQJ138EP-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 330A(Tc) 10V 1.8m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 3.5V 81nC @ 10V ±20V 4715pF @ 25V - 312W(Tc)
SQJA66EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA66EP-T1_GE3 1.4400
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 ECAD 8768 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SQJA66 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 75A(Tc) 10V 3m옴 @ 10A, 10V 3.3V @ 250μA 98nC @ 10V ±20V 5400pF @ 25V 기준 68W(Tc)
SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH105N60EF-T1GE3 6.8600
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 ECAD 49 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PowerPAK® 8x8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 742-SIHH105N60EF-T1GE3TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 26A(TC) 10V 105m옴 @ 13A, 10V 5V @ 250μA 50nC @ 10V ±30V 100V에서 2099pF - 174W(Tc)
SI4336DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4336DY-T1-E3 -
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 ECAD 8821 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SI4336 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 17A(타) 4.5V, 10V 3.25m옴 @ 25A, 10V 3V @ 250μA 50nC @ 4.5V ±20V 15V에서 5600pF - 1.6W(타)
SI1553DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-E3 -
보상요청
 ECAD 4161 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1553 MOSFET(금속) 270mW SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 660mA, 410mA 385m옴 @ 660mA, 4.5V 250μA에서 600mV(최소) 1.2nC @ 4.5V - 게임 레벨 레벨
SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7148DP-T1-GE3 2.9200
보상요청
 ECAD 6835 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SI7148 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 75V 28A(TC) 10V 11m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 250μA 100nC @ 10V ±20V 2900pF @ 35V - 5.4W(Ta), 96W(Tc)
SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9634LDN-T1-GE3 1.2600
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 ECAD 8140 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 듀얼 SIS9634 MOSFET(금속) 2.5W(Ta), 17.9W(Tc) PowerPAK® 1212-8 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 742-SIS9634LDN-T1-GE3DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 6A(Ta), 6A(Tc) 31m옴 @ 5A, 10V 3V @ 250μA 11nC @ 10V 420pF @ 30V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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