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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SQJ401EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj401ep-t1_ge3 2.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 32A (TC) 2.5V, 4.5V 6MOHM @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 164 NC @ 4.5 v ± 8V 10015 pf @ 6 v - 83W (TC)
2N4859JTX02 Vishay Siliconix 2N4859JTX02 -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4859 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
IRFP26N60LPBF Vishay Siliconix IRFP26N60LPBF 10.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP26 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP26N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 250mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 30V 5020 pf @ 25 v - 470W (TC)
SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4949 MOSFET (금속 (() 3.3W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7.5A (TC) 35mohm @ 5.9a, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1020pf @ 25v -
SI4451DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4451 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SI3445ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3445ADV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 4.4A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
2N4393 Vishay Siliconix 2N4393 -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4393 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 14pf @ 20V 40 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
SI2316BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-BE3 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2316BDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.9A (TA), 4.5A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.66W (TC)
2N4117A Vishay Siliconix 2N4117A -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4117 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 30 µa @ 10 v 600 MV @ 1 NA
2N4859JTXL02 Vishay Siliconix 2N4859JTXL02 -
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4859 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6544BDQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6544 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.7a, 3.8a 43mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFD9123 Vishay Siliconix IRFD9123 -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9123 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1A (TA) 600mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v 390 pf @ 25 v - -
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 SIUD412 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 500MA (TC) 1.2V, 4.5V 340mohm @ 500ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.71 NC @ 4.5 v ± 5V 21 pf @ 6 v - 1.25W (TA)
SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA04DP-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira04 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.15mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SST5485-E3 Vishay Siliconix SST5485-E3 -
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5485 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 4 ma @ 15 v 500 mV @ 10 NA
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix SST5484-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 1 ma @ 15 v 300 MV @ 10 NA
U441 Vishay Siliconix U441 -
RFQ
 ECAD 7261 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-71-6 U441 500MW - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 2 n 채널 (채널) 3pf @ 10V 25 v 6 ma @ 10 v 1 v @ 1 na
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix 2N4858JTXV02 -
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4858 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI7998DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 1.5900
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7998 MOSFET (금속 (() 22W, 40W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 25A, 30A 9.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1100pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7956DP-T1-GE3 3.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7956 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 150V 2.6a 105mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 26NC @ 10V - 논리 논리 게이트
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix TP0202K-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0202 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 31 pf @ 15 v - 350MW (TA)
IRLZ44L Vishay Siliconix IRLZ44L -
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRLZ44 MOSFET (금속 (() TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ44L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - -
SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA440DJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 2.5V, 10V 26mohm @ 9a, 10V 1.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 12V 700 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix IRFBC40ARST -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4825DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4825DDY-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4825 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.9A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 25V 2550 pf @ 15 v - 2.7W (TA), 5W (TC)
SIHP16N50C-BE3 Vishay Siliconix SIHP16N50C-BE3 5.8400
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-SIHP16N50C-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFIBC40G Vishay Siliconix IRFIBC40G -
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irfibc40g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SUP60N02-4M5P-E3 Vishay Siliconix sup60n02-4m5p-e3 -
RFQ
 ECAD 4071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5950 pf @ 10 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
IRFBE30 Vishay Siliconix IRFBE30 -
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBE30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7336ADP-T1-E3 1.8000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7336 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 5.4W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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