SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFBE20 Vishay Siliconix IRFBE20 -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBE20 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 54W (TC)
SIE800DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE800DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE800 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 11a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4943BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4943 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 6.3A 19mohm @ 8.4a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 5V - 논리 논리 게이트
IRLR120TRLPBF Vishay Siliconix IRLR120TRLPBF 1.6500
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI2337DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-BE3 1.0100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2337DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 80 v 1.2A (TA), 2.2A (TC) 6V, 10V 270mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 40 v - 760MW (TA), 2.5W (TC)
SQJA80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja80ep-t1_be3 1.3300
RFQ
ECAD 6360 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja80ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI4778DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4778DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8494 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4778 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 16V 680 pf @ 13 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4505 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V, 8V 6a, 3.8a 18mohm @ 7.8a, 10V 1.8V @ 250µA 20NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5519DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5519 MOSFET (금속 (() 10.4W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 6A 36mohm @ 6.1a, 4.5v 1.8V @ 250µA 17.5NC @ 10V 660pf @ 10V -
SI1022R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1022R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1022 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 1.25ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 250MW (TA)
IRF7822TRL Vishay Siliconix IRF7822TRL -
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7822 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V 6.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 12V 5500 pf @ 16 v - 3.1W (TA)
SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8362 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7403 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 74mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 430 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 9.6W (TC)
IRFU010 Vishay Siliconix IRFU010 -
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.2a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira00dp-t1-ge3 2.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 v +20V, -16V 11700 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI3851DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3851DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3851 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.6 NC @ 5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 830MW (TA)
SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7983DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7983 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 7.7a 17mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 600µA 74NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4434ADY-T1-GE3 2.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4434 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 2.8A (TA), 4.1A (TC) 7.5V, 10V 150mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 125 v - 2.9W (TA), 6W (TC)
SI7856ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7856 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
SQD100N03-3M2L_GE3 Vishay Siliconix SQD100N03-3M2L_GE3 1.8700
RFQ
ECAD 7112 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD100 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 6316 pf @ 15 v - 136W (TC)
IRFR420APBF Vishay Siliconix IRFR420APBF 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR420APBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQD50034EL_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRFR110 Vishay Siliconix IRFR110 -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR110 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF840STRL Vishay Siliconix IRF840Strl -
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFZ46L Vishay Siliconix IRFZ46L -
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ46 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFZ46L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 50A (TC) 10V 24mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIHP065N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP065N60E-GE3 7.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP065 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFR214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr214trpbf-be3 0.6159
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr214trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI2318DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2318DS-T1-E3 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2318 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 20 v - 750MW (TA)
SI4825DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4825DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4825 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.1A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V - 1.5W (TA)
SUP50010E-GE3 Vishay Siliconix SUP50010E-GE3 3.3600
RFQ
ECAD 297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50010 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 212 NC @ 10 v ± 20V 10895 pf @ 30 v - 375W (TC)
IRFBF20 Vishay Siliconix IRFBF20 -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBF20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBF20 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 54W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고