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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIDR392DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-RE3 3.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR392DP-T1-RE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 82A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.62MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 188 NC @ 10 v +20V, -16V 9530 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
V30429-T1-GE3 Vishay Siliconix V30429-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30429 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SIHL630STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHL630STRL-GE3 0.7501
RFQ
 ECAD 7576 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHL630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4812 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.4W (TA)
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj960ep-t1_ge3 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ960 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 8a 36mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 735pf @ 25v 논리 논리 게이트
SI7120DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7120DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7120 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.3A (TA) 19mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v -
IRFR010TRR Vishay Siliconix irfr010trr -
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SI1902DL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-BE3 0.5200
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 270MW (TA) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1902DL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 660MA (TA) 385mohm @ 660ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V - -
SQJ414EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj414ep-t1_ge3 0.9400
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ414 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 15 v - 45W (TC)
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3805DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3805 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.3A (TC) 2.5V, 10V 84mohm @ 3a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 330 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA), 1.4W (TC)
SI2341DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2341DS-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2341 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 72mohm @ 2.8a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 15 v - 710MW (TA)
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8475EDB-T1-E1 -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8475 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.9A (TA) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA ± 12V - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
IRFR120TRRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR120TRRPBF-BE3 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr120trrpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5406 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 6.9A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 6.9a, 4.5v 600mv @ 1.2ma (min) 20 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SISS78LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS78LDN-T1-GE3 1.3300
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS78 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS78LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 70 v 19.4A (TA), 66.7A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2280 pf @ 35 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI5856DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5856DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5856 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.4A (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 8V Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA)
SI5857DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5857DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5857 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 58mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 12V 480 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2.3W (TA), 10.4W (TC)
SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7948DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7948 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3A 75mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI5446DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5446DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5446 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v +20V, -16V 1610 pf @ 15 v - 31W (TC)
2N6660JTX02 Vishay Siliconix 2N6660JTX02 -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SUD42N03-3M9P-GE3 Vishay Siliconix SUD42N03-3M9P-GE3 -
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD42 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 73.5W (TC)
SI7629DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7629DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7629 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 1.5V @ 250µA 177 NC @ 10 v ± 12V 5790 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ956EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ956 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 23A (TC) 26.7mohm @ 5.2a, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1395pf @ 30v -
IRLR024TRLPBF Vishay Siliconix irlr024trlpbf 0.7683
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIE848DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE848DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE848 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4103DY-T1-GE3 0.7700
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4103 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.2W (TC)
SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4866DY-T1-GE3 2.2000
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4866 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 11A (TA) 2.5V, 4.5V 5.5mohm @ 17a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 30 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.6W (TA)
SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2308CES-T1_BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 742-SQ2308CES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.3A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.3a, 10V 2.5V @ 250µA 5.3 NC @ 10 v ± 20V 205 pf @ 30 v - 2W (TC)
IRFPC60LCPBF Vishay Siliconix IRFPC60LCPBF 6.6100
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC60 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC60LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SIS903 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 23W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 6A (TC) 20.1mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 42NC @ 10V 2565pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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